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结型场效应管(JFET)

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659
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 225mW
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 功率(Pd): 150mW
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    • FET类型: P沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 功率(Pd): 100mW
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 功率(Pd): 100mW
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • FET类型: P沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • FET类型: 2个N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@0.1uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 输入电容(Ciss@Vds): 13pF@5V
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    • MMBF4117
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级,具有卓越性能。源自 Process 53。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@1nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 功率(Pd): 225mW
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      • ¥1.5356
      • ¥1.307026
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      ¥0.393188
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@0.5nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • J109-D26Z
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-92-3
    • 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V
    • 功率(Pd): 625mW
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    • J176-D74Z
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-92-3
    • 描述: 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
    • FET类型: P沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 功率(Pd): 350mW
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    • NSVJ2394SA3T1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-59
    • 描述: NSVJ2394SA3 是一款单 N 沟道结 FET,具有低噪声放大 (LNA) 特性,适用于汽车天线应用。此器件具有高正向传输导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,提供更高抗 ESD 性。此器件经过了 AEC-Q101 认证且具有 PPAP 功能,适用于汽车应用。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 700mV@100uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1uA
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    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@10nA
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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
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    • MMBF5484
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件主要用于电子开关应用,如低导通电阻模拟开关。源自 Process 50。 RF 晶体管
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    • FET类型: P沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA
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    • MMBFJ112
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA
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    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2.5V@1nA
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