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达林顿管

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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 750@5A,3V
    • 功率(Pd): 33W
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    • MMBT6427LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 20000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 225mW
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,3A
    • 功率(Pd): 2W
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    • 类型: NPN
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 90V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@2V,1A
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 1W
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    • MJD122T4G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-252-2(DPAK)
    • 描述: 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,4A
    • 功率(Pd): 1.75W
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    • 类型: NPN
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    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 20000@5v,100mA
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@5V,1A
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 250mW
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    • MJD127T4G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-252-2(DPAK)
    • 描述: 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,4A
    • 功率(Pd): 1.75W
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,3A
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,5A
    • 功率(Pd): 125W
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,5A
    • 功率(Pd): 125W
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 3000@5V,1A
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
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