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PCB/SMT 工业品面板定制

KIA

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广东可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管碳化硅mos管、IGBT等开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。 2005年在深圳福田，KIA半导体开启了前行之路，注册资金1000万，办公区域达1200平方，已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 快恢复/高效率二极管
- 线性稳压器(LDO)
- IGBT管/模块
- 碳化硅二极管
- 电压基准芯片
多选
封装
- TO-252
- TO-220
- TO-263
- TO-220F
- DFN-8(5x6)
- TO-247
- SOT-23(TO-236)
- TO-3P
- TOLL-8L
- SOP-8
- SOT-89
- DFN-8(3x3)
- TO-220-2
- TO-264
- TO-220F-2
- TO-247-4
- TO-263-3
- TO-263-6
- TO-3PF
- DFN5x6
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数293

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个N沟道耐压:60V

品牌: KIA

封装: TO-252-2(DPAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C130980

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

导通电阻(RDS(on)): 12.5mΩ@10V,30A

耗散功率(Pd): 88W

描述N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21

5+￥1.5073
50+￥1.2351
150+￥1.1185
500+￥0.9729
2500+￥0.7529
5000+￥0.714

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 17K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交90单

N沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5156065

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V,13.5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5192

1+￥1.8446
10+￥1.4514
30+￥1.283
100+￥1.0728
500+￥0.9792
1000+￥0.8762

现货最快4小时发货

广东仓: 5028

江苏仓: 3

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

1个N沟道耐压:80V 电流:80A

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C188764

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6.2mΩ@10V

描述N沟道,80V,80A,6.2mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4392

1+￥2.98
10+￥2.35
30+￥2.08
100+￥1.74
500+￥1.45
1000+￥1.36

现货最快4小时发货

广东仓: 4285

江苏仓: 1

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

P沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41369557

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.54299
50+￥1.34748
150+￥1.26369
500+￥1.159095
2500+￥1.112545
5000+￥1.084615

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4935

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

1个N沟道耐压:500V 电流:8A

品牌: KIA

封装: TO-252-2(DPAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C134928

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V,4A

描述环保

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3652

5+￥1.6408
50+￥1.298
150+￥1.1512
500+￥0.9475
2500+￥0.8659

现货最快4小时发货

广东仓: 3320

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

耐压:100V 电流:35A

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C134933

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 35A

耗散功率(Pd): 104W

阈值电压(Vgs(th)): 2.5V@250uA

描述-35A -100V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7

9.5折

5+￥2.044
50+￥1.6407
150+￥1.4679
500+￥1.065805
2500+￥0.97451
5000+￥0.91979

现货最快4小时发货

广东仓: 5

江苏仓: 2430

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

N沟道耐压:100V 电流:85A

品牌: KIA

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2839426

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V

阈值电压(Vgs(th)): 4V@250uA

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3940

9.3折

1+￥3.7386
10+￥3.3387
30+￥3.1341
100+￥2.9388
500+￥2.6319
1000+￥2.5668

现货最快4小时发货

广东仓: 3940

江苏仓: 20

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

1个N沟道耐压:30V 电流:90A

品牌: KIA

封装: PDFN-8(5.8x4.9)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382144

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 4mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1796

9.3折

5+￥1.353057
50+￥1.062432
150+￥0.937905
500+￥0.782502
2500+￥0.71331
5000+￥0.671739

现货最快4小时发货

广东仓: 1795

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

1个N沟道耐压:85V 电流:100A

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2839422

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2465

1+￥3.89
10+￥3.17
30+￥2.82
100+￥2.46
500+￥2.2
1000+￥2.09

现货最快4小时发货

广东仓: 2465

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

30A、40V N沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41369549

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

收藏
对比

9.5折

5+￥0.3895
50+￥0.342
150+￥0.31825
500+￥0.300485
2500+￥0.286235
5000+￥0.27911

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4805

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

N沟道,电流:3.0A,耐压:1200V

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2896660

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 9Ω@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥3.59
10+￥2.9
30+￥2.55
100+￥2.21
500+￥1.91
1000+￥1.8

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2386

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

1个N沟道耐压:500V 电流:20A

品牌: KIA

封装: TO-220IS

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C135545

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@10V,10A

描述N沟道 20A 500V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存434

9.3折

1+￥7.1982
10+￥6.5286
50+￥5.8218
100+￥5.4033
500+￥5.2173
1000+￥5.1336

现货最快4小时发货

广东仓: 434

江苏仓: 622

50个/管

个

总额￥0

近期成交8单

耐压:700V 电流:8A 反向恢复时间：30ns

品牌: KIA

封装: TO-252-2

类目: 快恢复/高效率二极管

编号: C176891

二极管配置: 独立式

正向压降(Vf): 1.8V@8A

直流反向耐压(Vr): 700V

整流电流: 8A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2463

5+￥1.9946
50+￥1.5662
150+￥1.3826
500+￥1.1535

现货最快4小时发货

广东仓: 2460

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

N沟道MOSFET，130A，150V

品牌: KIA

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5156071

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 7.3mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

5.4折

1+￥3.4776
10+￥3.1536
50+￥2.8458
100+￥2.646
500+￥2.5596
1000+￥2.5164

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 895

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

1个N沟道耐压:30V 电流:4.8A

品牌: KIA

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C114182

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.8A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@2.5V,3.5A

描述N沟道,30V,4.8A,42mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3400

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4

10+￥0.3182
100+￥0.251
300+￥0.2174
3000+￥0.1905

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 5100

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交30单

30A、40V N沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41369548

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

收藏
对比

9.5折

5+￥0.4674
50+￥0.4104
150+￥0.3819
500+￥0.360525
2500+￥0.343425
5000+￥0.334875

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4975

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:150V 电流:160A

品牌: KIA

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C1509104

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 160A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V,50A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存800

1+￥7.04
10+￥5.62
30+￥4.84
100+￥3.95

现货最快4小时发货

广东仓: 716

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

输入30V 输出5V 100mA

品牌: KIA

封装: SOT-89-3

类目: 线性稳压器(LDO)

编号: C116376

输出类型: 固定

工作电压: 20V

输出电压: 5V

输出电流: 100mA

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2993

5+￥0.5097
50+￥0.3993
150+￥0.3441
1000+￥0.3027
2000+￥0.2696
5000+￥0.253

现货最快4小时发货

广东仓: 2990

江苏仓: 2030

1000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

N沟道耐压:30V 电流:85A

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2839427

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

耗散功率(Pd): 71W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1

9.5折

5+￥0.661295
50+￥0.577505
150+￥0.541595
500+￥0.49685
2500+￥0.4769
5000+￥0.46493

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2440

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:60V 电流:130A

品牌: KIA

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C135566

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V,50A

描述N沟道 130A 60V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存528

9.5折

1+￥2.793
10+￥2.1945
30+￥1.938
100+￥1.615
500+￥1.4725
1000+￥1.387

现货最快4小时发货

广东仓: 528

江苏仓: 305

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

KPD6610B

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465121

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2500

9.5折

5+￥0.712025
50+￥0.621775
150+￥0.58311
500+￥0.534945
2500+￥0.513475
5000+￥0.500555

现货最快4小时发货

广东仓: 2500

江苏仓: 200

2500个/圆盘

个

总额￥0

1个N沟道耐压:30V 电流:50A

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C455976

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存904

5+￥0.72
50+￥0.576
150+￥0.504
500+￥0.45

现货最快4小时发货

广东仓: 540

江苏仓: 305

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交55单

N沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: TO-263-6L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5156066

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 190A

导通电阻(RDS(on)): 2.2mΩ@10V,30A

收藏
对比

SMT扩展库

5.3折

1+￥2.5599
10+￥2.3214
30+￥2.1942
100+￥2.0458
500+￥1.8815
800+￥1.855

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 788

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:80V

品牌: KIA

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C176888

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V,85A

阈值电压(Vgs(th)): 4V@250uA

描述N沟道，80V，150A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21

6.9折

1+￥4.4781
10+￥3.7122
30+￥3.2844
100+￥2.8083
500+￥2.4357
800+￥2.3391

现货最快4小时发货

广东仓: 21

江苏仓: 440

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

N沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41369551

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 135V

连续漏极电流(Id): 200A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@10V

收藏
对比

1+￥7.91
10+￥6.54
30+￥5.79
100+￥4.94
500+￥4.56

现货最快4小时发货

广东仓: 500

江苏仓: 18

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

耐压:20V 电流:2.8A

品牌: KIA

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C114185

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2.8A

导通电阻(RDS(on)): 190mΩ@2.5V,1.8A

耗散功率(Pd): 1.25W

描述P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2301

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4524

20+￥0.2289
200+￥0.1809
600+￥0.1569
3000+￥0.1339

现货最快4小时发货

广东仓: 4520

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

耐压:20V 电流:6A

品牌: KIA

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C114186

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@1.8V,2.0A

耗散功率(Pd): 1.25W

描述N沟道,20V,6A,40mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2300

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存51

9折

1+￥0.27639
10+￥0.22014
30+￥0.19206
100+￥0.171
500+￥0.15408
1000+￥0.14571

现货最快4小时发货

广东仓: 11

江苏仓: 674

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

1个P沟道耐压:30V 电流:4A

品牌: KIA

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C116049

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 100mΩ@2.5V,1.2A

描述P沟道,-30V,-4.0A,70mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3401

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1个P沟道耐压:16V 电流:4A

品牌: KIA

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C116040

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 16V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@1.8V,2A

描述P沟道,-20V,-4.0A,45mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3415

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N沟道MOSFET

品牌: KIA

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5156063

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@10V,20A

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