pSemi(游隼半导体)

PE613050A-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-12-EP(2x2)

类目

射频开关

编号

C5364162

频率

5MHz~3GHz

隔离度

46dB

插入损耗

0.6dB

工作电压

2.3V~5.5V

描述PE613050是一款基于UltraCMOS技术的单刀四掷（SP4T）调谐控制开关。这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑，尤其适用于阻抗匹配和孔径调谐应用。PE613050在5至3000 MHz的主要蜂窝频段内具有低导通电阻和插入损耗。PE613050具备高射频功率处理能力和耐用性，同时通过HaRP技术满足严苛的谐波和线性度要求。采用双引脚低压CMOS控制，所有解码和偏置功能均集成在芯片上，无需外部旁路或滤波组件。UltraCMOS调谐器件使用方便，同时具备卓越的射频性能。调谐控制开关内置偏置电压生成和静电放电（ESD）保护功能，为严苛的射频应用提供了单片集成的调谐解决方案。

PE4314B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

VFQFN-20-EP

类目

RF衰减器

编号

C7327101

频率范围

1MHz~2.5GHz

阻抗

75Ω

衰减值

31.5dB

工作温度

-40℃~+105℃

描述PE4314是一款基于HaRPTM技术的6位射频数字步进衰减器，支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换，并支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围，适用于多种有线宽带应用。

PE42641MLBD-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-16-EP(3x3)

类目

射频开关

编号

C2654719

频率

100MHz~3GHz

隔离度

29dB

插入损耗

0.45dB

工作电压

2.65V~2.85V

描述100MHz至3.0GHz的高性能SP4T射频开关，采用UltraCMOs工艺技术。该开关包含4个相同的WEDGE/CDMA兼容传输路径，适用于各种GSM和WCDMA移动应用以及其他无线应用。

PE42721MLBA-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-12-EP(3x3)

类目

射频开关

编号

C2151917

隔离度

85dB

插入损耗

0.65dB

工作电压

2.3V~5.5V

工作温度

-40℃~+85℃

描述PE42721是基于HaRPTM技术增强的UltraCMOs工艺开发的高度线性SPDT射频开关。它具有高隔离度和非常低的插入损耗，适用于电视调谐模块、CATV信号切换和分配、DTV、多调谐数字视频录像机(DVR)和机顶盒。

PE42820B-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-32-EP(5x5)

类目

射频开关

编号

C2654732

电路结构

单刀双掷

频率

30MHz~2.7GHz

隔离度

23dB

工作电压

2.3V~5.5V

描述PE42820是一款采用HaRPTM技术增强的高功率反射式SPDT射频开关，适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。这款开关是PE42510A的引脚兼容升级版，具有更宽的频率和电源范围，并提供外部负电源选项。它在30MHz至2.7GHz范围内具有出色的线性和功率处理能力。

PE43711B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-24-EP(4x4)

类目

RF衰减器

编号

C470929

频率范围

9kHz~6GHz

阻抗

50Ω

衰减值

0dB~31.75dB

工作温度

-40℃~+105℃

描述PE43711是一款超CMOS RF数字步进衰减器，具有0.25dB、0.5dB和1dB的灵活衰减步进，最大衰减范围为31.75dB。支持串行和并行编程接口，适用于3G/4G无线基础设施、陆地移动无线电系统和点对点通信系统。

PE44820B-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-32(5x5)

类目

RF其它IC和模块

编号

C6250847

应用领域

雷达

功能

移相器

频率

1.7GHz~2.2GHz

工作电压

2.3V~5.5V；3.3V~5.5V

PE42553B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-16-EP(3x3)

类目

射频开关

编号

C471160

电路结构

单刀双掷

频率

9kHz~8GHz

隔离度

41dB

插入损耗

1.05dB

描述PE42553是一款增强型吸收式SPDT射频开关，支持广泛的频率范围和其他高性能无线应用。它具有改进的功率处理能力，连续波(CW)为36dBm，脉冲功率在50Ω@8GHz时为38dBm。无需阻断电容器即可正常工作。

PE43704B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-32-EP(5x5)

类目

RF衰减器

编号

C2654128

频率范围

9kHz~8GHz

阻抗

50Ω

衰减值

0dB~31.75dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述9 kHz-8 GHz, 7位50Ω RF数字步进衰减器，最大功率处理能力为28 dBm，覆盖31.75 dB衰减范围，步进为0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB。

PE42442A-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-24-EP(4x4)

类目

射频开关

编号

C470913

频率

30MHz~6GHz

隔离度

61dB

插入损耗

2.35dB

工作电压

3.3V

描述PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关，设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口，最高工作频率可达6GHz，并且集成了CMOS解码器，支持1.8VCMOS控制接口。

PE45361A-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-12-EP(3x3)

类目

射频卡芯片

编号

C471173

频率

10MHz~6GHz

工作电压

0V~3.6V

描述PE45361是一款增强型HaRPTM技术的功率限制器，适用于高性能功率应用。与传统的PIN二极管解决方案不同，PE45361实现了可调输入1dB压缩点或限幅阈值，无需外部偏置组件。它在非限幅功率水平下提供低插入损耗和高线性度，并在限幅事件中具有极快的响应时间，确保敏感电路的保护。还提供了出色的ESD评级和ESD保护。

PE42424A-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

DFN-6-EP(1.5x1.5)

类目

射频开关

编号

C470896

电路结构

单刀双掷

频率

100MHz~6GHz

隔离度

48dB

插入损耗

1.2dB

描述PE42424是一款采用HaRPTM技术增强的反射式50ΩSPDT射频开关，适用于高功率和高性能WLAN802.11a/b/g/n/ac应用，支持高达6GHz的带宽。

PE42422MLAA-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-12-EP(2x2)

类目

射频开关

编号

C500477

隔离度

15dB

插入损耗

1.25dB

工作电压

2.3V~5.5V

工作温度

-40℃~+85℃

描述PE42422是一款基于HaRPTM技术增强的SPDT反射式射频开关，设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛频率范围。该开关集成了板载CMOS控制逻辑和低电压CMOS兼容控制接口，无需外部组件。

PE4251MLI-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

MSOP-8-EP

类目

射频开关

编号

C2654721

频率

10MHz~3GHz

隔离度

62dB

插入损耗

0.6dB

工作电压

3V~5.5V

描述10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关，适用于通用切换应用和移动基础设施。该设备提供灵活的3.3/5V电源电压，单引脚或互补引脚控制输入，4kVESD耐受能力。

PE42462A-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-24(4x4)

类目

射频开关

编号

C22419301

频率

10MHz~8GHz

隔离度

35dB

插入损耗

1.9dB

工作电压

2.3V~5.5V

PE42521C-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-16(3x3)

类目

射频开关

编号

C3304153

频率

9kHz~13GHz

隔离度

17dB

插入损耗

1.85dB

工作电压

2.3V~5.5V

描述PE42521SPDT吸收式射频开关设计用于测试/ATE和其他高性能无线应用。这款宽带通用开关在9kHz到13GHz范围内保持出色的射频性能和线性度。该开关是PE42552的引脚兼容升级版，具有快速切换时间和更高的功率处理能力。

PE43705B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

VQFN-32-EP(5x5)

类目

RF衰减器

编号

C2654161

频率范围

50MHz~8GHz

功率

-；-

阻抗

50Ω

衰减值

0dB~31.75dB

描述PE43705是一款50Ω，7位数字步进衰减器，适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它支持0.25 dB、0.5 dB和1.0 dB步进，覆盖31.75 dB的衰减范围。

PE42359SCAA

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

-

类目

模拟开关/多路复用器

编号

C726164

PE4140B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

DFN-6(3x3)

类目

RF混频器

编号

C5336176

工作温度

-40℃~+85℃

描述超宽带四通道MOSFET阵列，具有超高线性度和高动态范围，适用于6.0 GHz以上的射频应用。

PE42451MLIAA-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-24-EP(4x4)

类目

射频开关

编号

C2151903

频率

450MHz~4GHz

隔离度

50dB

插入损耗

2.25dB

工作电压

2.7V~3.3V

描述高隔离度射频开关，工作频率为450-4000MHz，采用UltraCMOS工艺，具有五个对称的射频端口和非常高的隔离度。内置CMOS解码逻辑支持三针低电压CMOS控制接口和可选外部Vss控制功能。

PE42850B-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-32-EP(5x5)

类目

射频开关

编号

C2654728

频率

30MHz~1GHz

隔离度

30dB

插入损耗

0.8dB

工作电压

2.3V~5.5V

描述PE42850是基于HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关，支持高达1GHz的无线应用。提供最大连续波功率处理能力42.5dBm，具有高线性和优异的谐波性能。

PE42562A-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-24

类目

射频开关

编号

C24834148

PE42412A-X

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-32(5x5)

类目

射频开关

编号

C22444761

PE43205B-Z

品牌

pSemi(游隼半导体)

封装

QFN-12-EP(3x3)

类目

RF衰减器

编号

C470906

描述PE43205 是一款50Ω、高可靠性的2位射频数字步进衰减器(DSA)，设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。