
pSemi(游隼半导体)
进入品牌官网pSemi继承了Peregrine半导体30年的技术进步和一流的知识产权产品组合传统,现隶属于村田集团。主要生产高性能半导体,涵盖射频、模拟和混合信号产品线。
pSemi继承了Peregrine半导体30年的技术进步和一流的知识产权产品组合传统,现隶属于村田集团。主要生产高性能半导体,涵盖射频、模拟和混合信号产品线。
描述PE4259UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。这款反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,可以通过单针或互补控制输入进行控制。
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描述6位,31.5 dB,1 MHz-4 GHz的RF数字步进衰减器,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。
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描述PE613050是一款基于UltraCMOS技术的单刀四掷(SP4T)调谐控制开关。这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑,尤其适用于阻抗匹配和孔径调谐应用。PE613050在5至3000 MHz的主要蜂窝频段内具有低导通电阻和插入损耗。PE613050具备高射频功率处理能力和耐用性,同时通过HaRP技术满足严苛的谐波和线性度要求。采用双引脚低压CMOS控制,所有解码和偏置功能均集成在芯片上,无需外部旁路或滤波组件。UltraCMOS调谐器件使用方便,同时具备卓越的射频性能。调谐控制开关内置偏置电压生成和静电放电(ESD)保护功能,为严苛的射频应用提供了单片集成的调谐解决方案。
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描述PE4314是一款基于HaRPTM技术的6位射频数字步进衰减器,支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换,并支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围,适用于多种有线宽带应用。
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描述100MHz至3.0GHz的高性能SP4T射频开关,采用UltraCMOs工艺技术。该开关包含4个相同的WEDGE/CDMA兼容传输路径,适用于各种GSM和WCDMA移动应用以及其他无线应用。
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描述PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关,支持802.11a/b/g/n/ac标准,带宽高达6GHz。
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描述PE42721是基于HaRPTM技术增强的UltraCMOs工艺开发的高度线性SPDT射频开关。它具有高隔离度和非常低的插入损耗,适用于电视调谐模块、CATV信号切换和分配、DTV、多调谐数字视频录像机(DVR)和机顶盒。
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描述PE42820是一款采用HaRPTM技术增强的高功率反射式SPDT射频开关,适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。这款开关是PE42510A的引脚兼容升级版,具有更宽的频率和电源范围,并提供外部负电源选项。它在30MHz至2.7GHz范围内具有出色的线性和功率处理能力。
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描述9 kHz-8 GHz, 7位50Ω RF数字步进衰减器,最大功率处理能力为28 dBm,覆盖31.75 dB衰减范围,步进为0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB。
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描述PE43711是一款超CMOS RF数字步进衰减器,具有0.25dB、0.5dB和1dB的灵活衰减步进,最大衰减范围为31.75dB。支持串行和并行编程接口,适用于3G/4G无线基础设施、陆地移动无线电系统和点对点通信系统。
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描述PE43712是一款50Ω、HaRPTM技术增强的7位RF数字步进衰减器(DSA),支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105°C,适用于多种宽带无线应用。
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描述PE42553是一款增强型吸收式SPDT射频开关,支持广泛的频率范围和其他高性能无线应用。它具有改进的功率处理能力,连续波(CW)为36dBm,脉冲功率在50Ω@8GHz时为38dBm。无需阻断电容器即可正常工作。
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描述PE43705是一款50Ω,7位数字步进衰减器,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它支持0.25 dB、0.5 dB和1.0 dB步进,覆盖31.75 dB的衰减范围。
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描述PE42424是一款采用HaRPTM技术增强的反射式50ΩSPDT射频开关,适用于高功率和高性能WLAN802.11a/b/g/n/ac应用,支持高达6GHz的带宽。
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描述PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关,设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口,最高工作频率可达6GHz,并且集成了CMOS解码器,支持1.8VCMOS控制接口。
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描述10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关,适用于通用切换应用和移动基础设施。该设备提供灵活的3.3/5V电源电压,单引脚或互补引脚控制输入,4kVESD耐受能力。
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描述PE42540是一款基于UltraCMOS技术的增强型吸收式SP4T射频开关,支持测试设备和ATE市场的要求。它具有四个对称的RF端口,非常高的隔离度,片上CMOS解码逻辑,低电压CMOS控制接口,可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无需阻塞电容器的要求使其在集成和坚固性方面表现出色。
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描述PE45361是一款增强型HaRPTM技术的功率限制器,适用于高性能功率应用。与传统的PIN二极管解决方案不同,PE45361实现了可调输入1dB压缩点或限幅阈值,无需外部偏置组件。它在非限幅功率水平下提供低插入损耗和高线性度,并在限幅事件中具有极快的响应时间,确保敏感电路的保护。还提供了出色的ESD评级和ESD保护。
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描述PE42421UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。该反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,支持单引脚或互补CMOS逻辑控制输入。
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描述PE42422是一款基于HaRPTM技术增强的SPDT反射式射频开关,设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛频率范围。该开关集成了板载CMOS控制逻辑和低电压CMOS兼容控制接口,无需外部组件。
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描述PE42521SPDT吸收式射频开关设计用于测试/ATE和其他高性能无线应用。这款宽带通用开关在9kHz到13GHz范围内保持出色的射频性能和线性度。该开关是PE42552的引脚兼容升级版,具有快速切换时间和更高的功率处理能力。
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描述PE42420是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT射频开关,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它适用于发射路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。
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描述PE42452是一种增强型HaRP技术的吸收式SP5T射频开关,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有五个对称的吸收式射频端口,高隔离度和快速切换时间。
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描述PE42850是基于HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关,支持高达1GHz的无线应用。提供最大连续波功率处理能力42.5dBm,具有高线性和优异的谐波性能。
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描述PE42540是一种采用HaRP技术增强的SP4T射频开关,支持测试设备和ATE市场的需求。它包含四个对称的RF端口,具有非常高的隔离度。非芯片CMOS解码逻辑简化了两针低电压CMOS控制接口,并提供可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无阻塞电容器要求使其具有高度集成性和坚固性。
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