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pSemi(游隼半导体)

pSemi(游隼半导体)

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pSemi继承了Peregrine半导体30年的技术进步和一流的知识产权产品组合传统,现隶属于村田集团。主要生产高性能半导体,涵盖射频、模拟和混合信号产品线。

  • 类目
    • 射频开关
    • 其他模块
    • RF其它IC和模块
    • RF衰减器
    • RF混频器
    • 栅极驱动芯片
    • 模拟开关/多路复用器
    • 变压器驱动器
    • 射频卡芯片
    多选
  • 封装
    • -
    • QFN-16-EP(3x3)
    • QFN-32-EP(5x5)
    • QFN-20-EP(4x4)
    • QFN-12-EP(3x3)
    • QFN-12-EP(2x2)
    • QFN-24-EP(4x4)
    • LGA-29(4x4)
    • LGA-32(5x5)
    • QFN-10(2x2)
    • QFN-32(5x5)
    • QFN-32(6x6)
    • SOT-363
    • DFN-6(3x3)
    • LGA-20(4x4)
    • MSOP-8
    • MSOP-8-EP
    • QFN-12(3x3)
    • QFN-16(3x3)
    • DFN-6(1.5x1.5)
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数165
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

PE4259-63
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
SC-70-6
类目
射频开关
编号
C470892
隔离度
30dB
插入损耗
0.35dB
工作电压
1.8V~3.3V
工作温度
-40℃~+85℃

描述PE4259UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。这款反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,可以通过单针或互补控制输入进行控制。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存30K+
  • 4.18
  • 3.58
  • 3.15
  • 2.8
  • 2.45
  • 2.38
现货最快4小时发货
广东仓
29K+
江苏仓
8408

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

6位31.5dB 1MHz-4GHz RF数字步进衰减器
PE4312C-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-20-EP(4x4)
类目
RF衰减器
编号
C500480

描述6位,31.5 dB,1 MHz-4 GHz的RF数字步进衰减器,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2876
  • 17.98
  • 15.19
  • 13.44
  • 11.65
  • 10.84
  • 10.49
现货最快4小时发货
广东仓
2840

3000/圆盘

总额0

近期成交30单

UltraCMos单刀四掷调谐控制开关
PE613050A-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-12-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C5364162

描述PE613050是一款基于UltraCMOS技术的单刀四掷(SP4T)调谐控制开关。这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑,尤其适用于阻抗匹配和孔径调谐应用。PE613050在5至3000 MHz的主要蜂窝频段内具有低导通电阻和插入损耗。PE613050具备高射频功率处理能力和耐用性,同时通过HaRP技术满足严苛的谐波和线性度要求。采用双引脚低压CMOS控制,所有解码和偏置功能均集成在芯片上,无需外部旁路或滤波组件。UltraCMOS调谐器件使用方便,同时具备卓越的射频性能。调谐控制开关内置偏置电压生成和静电放电(ESD)保护功能,为严苛的射频应用提供了单片集成的调谐解决方案。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5912
  • 16.38
  • 14.02
  • 12.54
  • 11.03
  • 10.34
  • 10.05
现货最快4小时发货
广东仓
5912

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

1 MHz至2.5 GHz超CMOS射频数字步进衰减器
PE4314B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
VFQFN-20-EP
类目
RF衰减器
编号
C7327101

描述PE4314是一款基于HaRPTM技术的6位射频数字步进衰减器,支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换,并支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围,适用于多种有线宽带应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2844
  • 17.57
  • 14.86
  • 13.17
  • 11.43
  • 10.64
  • 10.3
现货最快4小时发货
广东仓
2844

3000/圆盘

总额0

近期成交6单

100MHz-3.0GHzSP4TUltraCMOsRF开关
PE42641MLBD-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-16-EP(3x3)
类目
射频开关
编号
C2654719
频率
100MHz~3GHz
隔离度
29dB
插入损耗
0.45dB
工作电压
2.65V~2.85V

描述100MHz至3.0GHz的高性能SP4T射频开关,采用UltraCMOs工艺技术。该开关包含4个相同的WEDGE/CDMA兼容传输路径,适用于各种GSM和WCDMA移动应用以及其他无线应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3342
  • 15.81
  • 13.53
  • 12.1
  • 10.64
  • 9.98
  • 9.69
现货最快4小时发货
广东仓
3315

3000/圆盘

总额0

近期成交14单

PE42423SPDT射频开关,100MHz至6GHz
PE42423B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
TQFN-16-EP(3x3)
类目
射频开关
编号
C2654718
隔离度
43dB
插入损耗
0.95dB
工作电压
2.3V~5.5V
工作温度
-40℃~+125℃

描述PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关,支持802.11a/b/g/n/ac标准,带宽高达6GHz。

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  • 对比

SMT扩展库

  • 9.8
  • 8.09
  • 7.15
  • 6.09
  • 5.62
  • 5.4
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2220

3000/圆盘

总额0

近期成交12单

5-2200MHzSPDTRF开关
PE42721MLBA-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-12-EP(3x3)
类目
射频开关
编号
C2151917
隔离度
85dB
插入损耗
0.65dB
工作电压
2.3V~5.5V
工作温度
-40℃~+85℃

描述PE42721是基于HaRPTM技术增强的UltraCMOs工艺开发的高度线性SPDT射频开关。它具有高隔离度和非常低的插入损耗,适用于电视调谐模块、CATV信号切换和分配、DTV、多调谐数字视频录像机(DVR)和机顶盒。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2980
  • 13.07
  • 10.96
  • 9.65
  • 8.29
  • 7.68
  • 7.42
现货最快4小时发货
广东仓
2960

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

30-2700MHz高功率反射式SPDT射频开关
PE42820B-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-32-EP(5x5)
类目
射频开关
编号
C2654732
频率
30MHz~2.7GHz
隔离度
23dB
工作电压
2.3V~5.5V
工作温度
-40℃~+85℃

描述PE42820是一款采用HaRPTM技术增强的高功率反射式SPDT射频开关,适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。这款开关是PE42510A的引脚兼容升级版,具有更宽的频率和电源范围,并提供外部负电源选项。它在30MHz至2.7GHz范围内具有出色的线性和功率处理能力。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存108
  • 114.56
  • 109.17
  • 99.85
  • 91.71
现货最快4小时发货
广东仓
108

500/圆盘

总额0

近期成交2单

7位31.75 dB数字步进衰减器
PE43704B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-32-EP(5x5)
类目
RF衰减器
编号
C2654128
频率范围
9kHz~8GHz
阻抗
50Ω
衰减值
0dB~31.75dB

描述9 kHz-8 GHz, 7位50Ω RF数字步进衰减器,最大功率处理能力为28 dBm,覆盖31.75 dB衰减范围,步进为0.25 dB、0.5 dB或1.0 dB。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28
  • 163.93
  • 157.33
现货最快4小时发货
广东仓
28

3000/圆盘

总额0

近期成交6单

PE44820B-X
PE44820B-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-32(5x5)
类目
RF其它IC和模块
编号
C6250847
应用领域
雷达
功能
移相器
频率
1.7GHz~2.2GHz
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存133
  • 73.11
  • 63.89
  • 58.26
现货最快4小时发货
广东仓
88

500/圆盘

总额0

近期成交10单

超CMOS RF数字步进衰减器
PE43711B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-24-EP(4x4)
类目
RF衰减器
编号
C470929
频率范围
9kHz~6GHz
阻抗
50Ω
衰减值
0dB~31.75dB

描述PE43711是一款超CMOS RF数字步进衰减器,具有0.25dB、0.5dB和1dB的灵活衰减步进,最大衰减范围为31.75dB。支持串行和并行编程接口,适用于3G/4G无线基础设施、陆地移动无线电系统和点对点通信系统。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存159
  • 21.25
  • 18.16
  • 16.33
  • 14.48
现货最快4小时发货
广东仓
131

3000/圆盘

总额0

近期成交19单

9kHz-6GHz UltraCMOS RF数字步进衰减器
PE43712B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
VFQFN-32-EP(5x5)
类目
RF衰减器
编号
C2654160
频率范围
9kHz~6GHz
阻抗
50Ω
衰减值
31.75dB
工作温度
-40℃~+105℃

描述PE43712是一款50Ω、HaRPTM技术增强的7位RF数字步进衰减器(DSA),支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105°C,适用于多种宽带无线应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存54
  • 52.48
  • 46.26
  • 42.46
现货最快4小时发货
广东仓
54

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

超宽带SPDT射频开关,9kHz-8GHz
PE42553B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-16-EP(3x3)
类目
射频开关
编号
C471160
频率
9kHz~8GHz
隔离度
41dB
插入损耗
1.05dB
工作电压
2.3V~5.5V

描述PE42553是一款增强型吸收式SPDT射频开关,支持广泛的频率范围和其他高性能无线应用。它具有改进的功率处理能力,连续波(CW)为36dBm,脉冲功率在50Ω@8GHz时为38dBm。无需阻断电容器即可正常工作。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存42
  • 36.56
  • 31.95
  • 29.13
现货最快4小时发货
广东仓
22

3000/圆盘

总额0

近期成交7单

PE42462A-X
PE42462A-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-24(4x4)
类目
射频开关
编号
C22419301
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存70
  • 44.98
  • 38.98
  • 35.32
现货最快4小时发货
广东仓
70

500/圆盘

总额0

近期成交5单

PE42482A-X
PE42482A-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-24
类目
射频开关
编号
C5121458
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存45
  • 48.11
  • 42.33
  • 38.81
现货最快4小时发货
广东仓
25

1000/圆盘

总额0

近期成交9单

PE43705B-Z
PE43705B-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
VQFN-32-EP(5x5)
类目
RF衰减器
编号
C2654161
频率范围
50MHz~8GHz
功率
-;-
阻抗
50Ω
衰减值
0dB~31.75dB

描述PE43705是一款50Ω,7位数字步进衰减器,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它支持0.25 dB、0.5 dB和1.0 dB步进,覆盖31.75 dB的衰减范围。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19
  • 92.84
  • 89.17
  • 82.81
现货最快4小时发货
广东仓
19

3000/圆盘

总额0

近期成交5单

100MHz-6GHzSPDT射频开关
PE42424A-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
DFN-6-EP(1.5x1.5)
类目
射频开关
编号
C470896
频率
100MHz~6GHz
隔离度
48dB
插入损耗
1.2dB
工作电压
2.3V~5.5V

描述PE42424是一款采用HaRPTM技术增强的反射式50ΩSPDT射频开关,适用于高功率和高性能WLAN802.11a/b/g/n/ac应用,支持高达6GHz的带宽。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存77
  • 10.55
  • 8.93
  • 7.91
现货最快4小时发货
广东仓
71

3000/圆盘

总额0

近期成交12单

30MHz-6GHzUltraCMOSSP4T射频开关
PE42442A-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-24-EP(4x4)
类目
射频开关
编号
C470913
频率
30MHz~6GHz
隔离度
61dB
工作电压
3.3V
工作温度
-40℃~+105℃

描述PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关,设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口,最高工作频率可达6GHz,并且集成了CMOS解码器,支持1.8VCMOS控制接口。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存89
  • 30.28
  • 26.05
  • 23.53
现货最快4小时发货
广东仓
52

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关
PE4251MLI-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
MSOP-8-EP
类目
射频开关
编号
C2654721
频率
10MHz~3GHz
隔离度
62dB
插入损耗
0.6dB
工作电压
3V~5.5V

描述10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关,适用于通用切换应用和移动基础设施。该设备提供灵活的3.3/5V电源电压,单引脚或互补引脚控制输入,4kVESD耐受能力。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20
  • 9.57
  • 7.95
  • 7.06
现货最快4小时发货
广东仓
5

2000/圆盘

总额0

近期成交8单

10Hz至8GHzSP4T射频开关
PE42540G-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
LGA-32(5x5)
类目
射频开关
编号
C17553633
频率
10Hz~8GHz
隔离度
45dB
插入损耗
1.2dB
工作电压
3V~3.55V

描述PE42540是一款基于UltraCMOS技术的增强型吸收式SP4T射频开关,支持测试设备和ATE市场的要求。它具有四个对称的RF端口,非常高的隔离度,片上CMOS解码逻辑,低电压CMOS控制接口,可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无需阻塞电容器的要求使其在集成和坚固性方面表现出色。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存60
  • 62.32
  • 54.01
  • 48.95
现货最快4小时发货
广东仓
60

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

10MHz-6GHz高性能功率限制器
PE45361A-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-12-EP(3x3)
类目
射频卡芯片
编号
C471173
频率
10MHz~6GHz
工作电压
0V~3.6V

描述PE45361是一款增强型HaRPTM技术的功率限制器,适用于高性能功率应用。与传统的PIN二极管解决方案不同,PE45361实现了可调输入1dB压缩点或限幅阈值,无需外部偏置组件。它在非限幅功率水平下提供低插入损耗和高线性度,并在限幅事件中具有极快的响应时间,确保敏感电路的保护。还提供了出色的ESD评级和ESD保护。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存39
  • 86.82
  • 82.74
  • 75.67
现货最快4小时发货
广东仓
19

500/圆盘

总额0

近期成交2单

10MHz至3GHzSPDT射频开关
PE42421SCAA-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
SC-70-6
类目
射频开关
编号
C470893
频率
10MHz~3GHz
隔离度
20dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
1.8V~3.3V

描述PE42421UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。该反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,支持单引脚或互补CMOS逻辑控制输入。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16
  • 5.08
  • 4.96
  • 4.89
现货最快4小时发货
广东仓
16

3000/圆盘

总额0

近期成交8单

5-6000MHzSPDT射频开关
PE42422MLAA-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-12-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C500477
隔离度
15dB
插入损耗
1.25dB
工作电压
2.3V~5.5V
工作温度
-40℃~+85℃

描述PE42422是一款基于HaRPTM技术增强的SPDT反射式射频开关,设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛频率范围。该开关集成了板载CMOS控制逻辑和低电压CMOS兼容控制接口,无需外部组件。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存67
  • 7.45
  • 6.19
  • 5.49
现货最快4小时发货
广东仓
67

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

9kHz至13GHz超宽带SPDT射频开关
PE42521C-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-16(3x3)
类目
射频开关
编号
C3304153
频率
9kHz~13GHz
隔离度
17dB
插入损耗
1.85dB
工作电压
2.3V~5.5V

描述PE42521SPDT吸收式射频开关设计用于测试/ATE和其他高性能无线应用。这款宽带通用开关在9kHz到13GHz范围内保持出色的射频性能和线性度。该开关是PE42552的引脚兼容升级版,具有快速切换时间和更高的功率处理能力。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29
  • 48.78
  • 42.04
  • 37.94
现货最快4小时发货
广东仓
29

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

20-6000MHzSPDT射频开关
PE42420F-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
LGA-20(4x4)
类目
射频开关
编号
C3303823
频率
20MHz~6GHz
隔离度
50dB
插入损耗
1.6dB
工作电压
2.7V~5.5V

描述PE42420是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT射频开关,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它适用于发射路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存41
  • 12.99
  • 12.69
  • 12.49
现货最快4小时发货
广东仓
41

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 6.87
  • 6.71
  • 6.61
现货最快4小时发货
广东仓
1

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

450-4000MHz超级CMOSSP5T射频开关
PE42452A-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-24-EP(4x4)
类目
射频开关
编号
C2151925
频率
450MHz~4GHz
隔离度
45dB
插入损耗
1.6dB
工作电压
2.3V~5.5V

描述PE42452是一种增强型HaRP技术的吸收式SP5T射频开关,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有五个对称的吸收式射频端口,高隔离度和快速切换时间。

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PE42412A-X
PE42412A-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-32(5x5)
类目
射频开关
编号
C22444761
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30-1000MHzSP5T高功率射频开关
PE42850B-X
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
QFN-32-EP(5x5)
类目
射频开关
编号
C2654728
频率
30MHz~1GHz
隔离度
30dB
插入损耗
0.8dB
工作电压
2.3V~5.5V

描述PE42850是基于HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关,支持高达1GHz的无线应用。提供最大连续波功率处理能力42.5dBm,具有高线性和优异的谐波性能。

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10Hz-8GHzSP4T射频开关
PE42540F-Z
品牌
pSemi(游隼半导体)
封装
LGA-32(5x5)
类目
射频开关
编号
C2151924
隔离度
45dB
插入损耗
1.2dB
工作电压
3V~3.55V
工作温度
-40℃~+85℃

描述PE42540是一种采用HaRP技术增强的SP4T射频开关,支持测试设备和ATE市场的需求。它包含四个对称的RF端口,具有非常高的隔离度。非芯片CMOS解码逻辑简化了两针低电压CMOS控制接口,并提供可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无阻塞电容器要求使其具有高度集成性和坚固性。

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