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FIRST(福斯特)

网址： http://www.first-semi.com/

作为国际知名的半导体产品与方案供应商，多年以来，美国FIRST SEM I一直专注于半导体产品及其系列解决方案的研发与制造，以集成电路及电子分立器件为主业，从芯片研发到产品封装、测试，美国FIRST SEMI以其强大的研发投入与科研实力，迅速成长为业界优秀的半导体企业，被公认为半导体工业最具创新力的公司之一。

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8.5折 FIR4N65BPG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-251(IPAK) 描述: 4N65，4A，650V高性价比MOS 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C94683 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 8.5 折起订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯9.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存705) SMT扩展库 8.5 折起 5+: 50+: 150+: 500+: 2500+: 5000+: 折后价￥1.0656 ￥0.81681 ￥0.65586 ￥0.562275 ￥0.520625 ￥0.495635 原价￥0.8598 ￥0.7716 ￥0.6615 ￥0.6125 ￥0.5831 5+: ￥1.0656 50+: ￥0.81681 150+: ￥0.65586 500+: ￥0.562275 2500+: ￥0.520625 5000+: ￥0.495635 现货最快4H发广东仓: 705 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 75个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

FIR10N60FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220IS 描述: N沟道,600V,10A,0.75Ω(max)@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 600V 连续漏极电流(Id): 10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209274 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存49) SMT扩展库 1+: ￥2.94 10+: ￥2.37 30+: ￥2.13 现货最快4H发广东仓: 49 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

FIR4N65FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F-3 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8Ω@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209271 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存50) SMT扩展库 5+: ￥1.2831 50+: ￥1.0353 150+: ￥0.9291 现货最快4H发广东仓: 50 江苏仓: 0 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！已加购

FIR7N60FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F-3 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 600V 连续漏极电流(Id): 7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,3.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209272 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥2.3476 10+: ￥1.9276 50+: ￥1.7476 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！已加购

FIR4N65LG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-252-2(DPAK) 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8Ω@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209270 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1) SMT扩展库 5+: ￥1.0873 50+: ￥0.8773 150+: ￥0.7873 500+: ￥0.675 2500+: ￥0.625 5000+: ￥0.595 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购

FIR12N65FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 800mΩ@10V,6A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C94681 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥2.98 10+: ￥2.41 30+: ￥2.16 100+: ￥1.85 500+: ￥1.72 1000+: ￥1.64 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

FIR7N65FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F 描述: 7N65，7A，650V高性价比MOS 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,3.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C94682 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥2.2095 10+: ￥1.8315 50+: ￥1.5238 100+: ￥1.3217 500+: ￥1.2317 1000+: ￥1.1777 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

FIR12N60FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F-3 描述: N沟道,650V,13A,0.65Ω(max)@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 600V 连续漏极电流(Id): 13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@10V,6.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209276 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥2.98 10+: ￥2.41 30+: ￥2.16 100+: ￥1.85 500+: ￥1.72 1000+: ￥1.64 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

新品预售 MBR20200CTG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F 类目: 肖特基二极管编号: C2913907 领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥0.7974 200+: ￥0.3086 500+: ￥0.2978 1000+: ￥0.2924 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！已加购

FIR4N60FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F-3 描述: N沟道,600V,4A,2.4Ω(max)@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 600V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209269 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个管个个管个个管近期成交2单已加购

FIR20N65AFG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F-3 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 420mΩ@10V,10A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209275 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个管个个管个个管已加购

FIR4N60LG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-252-2(DPAK) 描述: N沟道,600V,4A,2.4Ω(max)@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 600V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209267 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个圆盘个个圆盘个个圆盘已加购

FIR10N65FG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220F-3 描述: 650V,10A,0.8Ω@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@10V,5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C163522 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个管个个管个个管已加购

FIR4N60BPG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-251(IPAK) 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@10V,2.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209268 嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个管个个管个个管已加购

FIR2N60ALG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-252-2(DPAK) 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 600V 连续漏极电流(Id): 2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.2Ω@10V,1A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209265 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个圆盘个个圆盘个个圆盘已加购

FIR2N65ALG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-252-2(DPAK) 描述: 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V,1A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C209266 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个圆盘个个圆盘个个圆盘已加购

新品预售 MBR20150CTG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220AB 类目: 肖特基二极管编号: C3202845 详细: 数据手册个个管个个管个个管已加购

新品预售 MBR10150CTG 品牌: FIRST(福斯特) 封装: TO-220AB 类目: 肖特基二极管编号: C3202844 详细: 数据手册个个管个个管个个管已加购

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