FIRST(福斯特)
进入品牌官网福斯特集团（FIRST SEMI）成立于2010年，总部位于中国深圳，专注于半导体芯片的研发、封装制造、测试编带和产品销售，主要生产功率器件，包括场效应管、超结SJ MOS、二三极管、桥堆系列、碳化硅二极管／MOS和氮化镓系列。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 封装
- TO-220F
- ITO-220S
- TO-251
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.4Ω@10V
描述此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存50
- ￥1.3992
- ￥1.1019
- ￥0.9744
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 50
50个/管
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.55
- ￥2.05
- ￥1.83
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2
50个/管
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.3Ω@10V
描述4N65，4A，650V高性价比MOS
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 650mΩ@10V
描述N沟道,600V,10A,0.75Ω(max)@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V,6A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
描述7N65，7A，650V高性价比MOS
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 650mΩ@10V,6.5A
描述N沟道,650V,13A,0.65Ω(max)@10V
- 收藏
- 对比