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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

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无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。主要产品线包括MOSFET、IGBT和集成功率器件。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    • 栅极驱动芯片
    多选
  • 封装
    • TO-220
    • TO-252
    • DFN-8(5x6)
    • TO-263
    • SOP-8
    • TO-247
    • TO-220F
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-251
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TOLL-8L
    • SOT-23-6
    • TO-3P
    • TO-263-3
    • DFN-6(2x2)
    • DFN-8(3x3)
    • SOT-223
    • SOT-89
    • TO-252-4L
    • TSSOP-8
    多选
综合排序
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总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数674
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
NCE60P50K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130104
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
28mΩ@10V,20A

描述P沟道,-60V,-50A,23毫欧。

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SMT补贴嘉立创库存42K+
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  • 3.47
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39K+

2500/圆盘

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
NCE6020AK
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C108639
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
40mΩ@4.5V,10A

描述N沟道,60V/20A,37毫欧。

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SMT补贴嘉立创库存30K+
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  • 0.8465
  • 0.6545
  • 0.5585
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  • 0.4289
  • 0.4
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2500/圆盘

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
NCE6050KA
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C96013
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@10V,20A

描述N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR

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SMT补贴嘉立创库存43K+
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  • 1.1999
  • 0.9227
  • 0.8039
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  • 0.55
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43K+

2500/圆盘

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近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
NCE60P04Y
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C102608
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
170mΩ@4.5V,3A

描述P沟道,60V,4A,120毫欧。

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SMT补贴嘉立创库存53K+
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  • 0.6349
  • 0.4909
  • 0.4189
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  • 0.3217
  • 0.3
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50K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
NCE6005AS
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C126151
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@4.5V,5A

描述双N沟道,60V,5A,26毫欧,并联用可达10A,

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SMT补贴嘉立创库存28K+
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  • 对比
  • 1.1999
  • 0.9227
  • 0.8039
  • 0.6557
  • 0.5897
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26K+

4000/圆盘

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
NCE0102
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C161843
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
240mΩ@10V,1A

描述N沟道 100V 2A,210毫欧,,比BSS123电流大。

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SMT补贴嘉立创库存29K+
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  • 0.345
  • 0.2667
  • 0.2276
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27K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:40V 电流:5.3A
NCE40P05Y
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C163738
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
5.3A
导通电阻(RDS(on))
73mΩ@10V

描述P沟道,40V,5.3A,85毫欧。

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SMT补贴嘉立创库存35K+
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  • 对比
  • 0.3979
  • 0.3076
  • 0.2625
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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6.3A
NCE603S
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C216791
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
6.3A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@10V

描述NCE603S采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关,还适用于众多其他应用。

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SMT补贴嘉立创库存16K+
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  • 1.8325
  • 1.4092
  • 1.2277
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  • 0.84
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16K+

4000/圆盘

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近期成交53单

1个N沟道 耐压:85V 电流:360A
NCEP016N85LL
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2686653
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
360A
导通电阻(RDS(on))
1.6mΩ@10V

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SMT补贴嘉立创库存19K+
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  • 10.82
  • 9.47
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  • 7.18
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18K+

2000/圆盘

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近期成交48单

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
NCE6003X
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2934580
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
110mΩ@4.5V

描述NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

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SMT补贴嘉立创库存20K+
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  • 0.2826
  • 0.2151
  • 0.1776
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19K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
NCE3080K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C108901
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@5V,24A

描述N沟道,30V/80A,5.5毫欧。

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SMT补贴嘉立创库存32K+
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  • 0.7407
  • 0.5727
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31K+

2500/圆盘

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近期成交100单+

1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
NCE4614
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C136092
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@10V,8A

描述P+N双MOS管,40V/8A加-40V/-7A,

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SMT补贴嘉立创库存18K+
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  • 1.1737
  • 0.9026
  • 0.7863
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广东仓
15K+

4000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
NCE01P30K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C115991
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
65mΩ@4.5V,15A

描述NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景,具备静电放电(ESD)保护功能。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12K+
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  • 3.15
  • 2.42
  • 2.11
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  • 1.55
  • 1.44
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广东仓
12K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:78A
NCEP0178AK
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C216784
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
78A
导通电阻(RDS(on))
12mΩ@4.5V

描述N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V

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SMT补贴嘉立创库存14K+
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  • 对比
  • 3.98
  • 3.06
  • 2.66
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  • 1.82
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13K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
NCE01P13K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C115989
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
13A
导通电阻(RDS(on))
200mΩ@10V,16A

描述新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
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  • 对比
  • 1.4333
  • 1.1022
  • 0.9603
  • 0.7832
  • 0.7044
  • 0.657
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广东仓
10K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
NCE3401
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C113490
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
90mΩ@2.5V,1A

描述P沟道,-30V,-4.2A,48毫欧@10V。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+
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  • 对比
  • 0.3048
  • 0.2356
  • 0.2011
  • 0.1752
  • 0.1544
  • 0.144
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广东仓
22K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
NCE0103Y
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C153001
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
170mΩ@4.5V,3A

描述N沟道,100V,3A,136毫欧@10V。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
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  • 对比
  • 0.6349
  • 0.4909
  • 0.4189
  • 0.3649
  • 0.3217
  • 0.3
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
NCE0103M
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-89-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C161844
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
170mΩ@4.5V,3A

描述N沟道,100V,3A,160毫欧

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
  • 收藏
  • 对比
  • 0.8994
  • 0.6954
  • 0.5934
  • 0.5169
  • 0.4557
  • 0.425
现货最快4小时发货
广东仓
11K+

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
NCE6005AR
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-223-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C189606
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@4.5V,5A

描述N沟道,60V,5A,35mΩ@10V

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9276
  • 收藏
  • 对比
  • 1.0052
  • 0.7772
  • 0.6632
  • 0.5777
  • 0.5093
  • 0.475
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广东仓
9275

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:25A
NCE60P25K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130105
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
25A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@10V,20A

描述P沟道,60V,25A.

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9801
  • 收藏
  • 对比
  • 2.0725
  • 1.5937
  • 1.3885
  • 1.1325
  • 1.0185
  • 0.95
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广东仓
8883
江苏仓
3

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:150V 电流:20A
NCEP1520K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C341717
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
65mΩ@10V

描述NCEP1520K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 收藏
  • 对比
  • 2.1008
  • 1.6155
  • 1.4075
  • 1.148
  • 1.0324
  • 0.963
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广东仓
10K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
NCE60P12K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C326372
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
100mΩ@10V

描述NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合大电流负载应用。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7776
  • 收藏
  • 对比
  • 1.4464
  • 1.1122
  • 0.969
  • 0.7904
  • 0.7108
  • 0.663
现货最快4小时发货
广东仓
7775

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
NCE60P45K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2686561
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@10V

描述NCE60P45K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7604
  • 收藏
  • 对比
  • 1.5816
  • 1.2162
  • 1.0596
  • 0.8643
  • 0.7773
  • 0.725
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广东仓
7600

2500/圆盘

总额0

近期成交86单

1个N沟道 耐压:75V 电流:60A
NCE7560K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C95273
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
75V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
6.8mΩ@10V,30A

描述N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7298
  • 收藏
  • 对比
  • 2.69
  • 2.07
  • 1.8
  • 1.47
  • 1.32
  • 1.23
现货最快4小时发货
广东仓
6865

2500/圆盘

总额0

近期成交83单

1个P沟道 耐压:40V 电流:70A
NCE40P70K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130101
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V,20A

描述P沟道,40V,70A.

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广东仓
6503

2500/圆盘

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:200V 电流:24A
NCE0224K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C341714
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
24A
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@10V

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2500/圆盘

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近期成交100单+

1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A
NCE4435
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C95275
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
9.1A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@4.5V,6.9A

描述P沟道 30V 9.1A ,Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比

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10K+

4000/圆盘

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:9A
NCE0106R
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-223-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C189607
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
140mΩ@10V,5A

描述N沟道,100V,6A,小于140毫欧,

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2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
NCE30P30K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130106
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
18mΩ@10V;30mΩ@4.5V

描述P沟道,30V,30A.

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2500/圆盘

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近期成交100单+

1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
NCE40P40K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130100
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
14mΩ@10V,12A

描述P沟道,40V,40A.

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2500/圆盘

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