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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

进入品牌官网

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。主要产品线包括MOSFET、IGBT和集成功率器件。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    • 栅极驱动芯片
    多选
  • 封装
    • TO-220
    • TO-252
    • DFN-8(5x6)
    • TO-263
    • SOP-8
    • TO-247
    • TO-220F
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-251
    • TOLL-8L
    • SOT-23-6
    • DFN3.3x3.3-8L
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TO-3P
    • TO-263-3
    • DFN-6(2x2)
    • DFN-8(3x3)
    • SOT-223
    • SOT-89
    • TO-252-4L
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数671
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

NCE6005AS
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C126151
数量
2个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
5A
导通电阻
45mΩ@4.5V,5A

描述双N沟道,60V,5A,26毫欧,并联用可达10A,

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存36K+
  • 1.0018
  • 0.7882
  • 0.6839
  • 0.5909
  • 0.5654
  • 0.55
现货最快4小时发货
广东仓
27K+

4000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCE6020AK
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C108639
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
20A
导通电阻
40mΩ@4.5V,10A

描述N沟道,60V/20A,37毫欧。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存36K+
  • 0.7071
  • 0.5666
  • 0.4944
  • 0.4349
  • 0.4141
  • 0.4
现货最快4小时发货
广东仓
25K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCE60P50K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130104
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
50A
导通电阻
28mΩ@10V,20A

描述P沟道,-60V,-50A,23毫欧。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+
  • 3.03
  • 2.35
  • 2.02
  • 1.72
  • 1.64
  • 1.59
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCE6080K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C341705
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
80A
导通电阻
8.5mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+
  • 1.6455
  • 1.2874
  • 1.1126
  • 0.9566
  • 0.9138
  • 0.888
现货最快4小时发货
广东仓
17K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCE6050KA
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C96013
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
50A
导通电阻
20mΩ@10V,20A

描述N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28K+
  • 1.0091
  • 0.792
  • 0.6861
  • 0.5916
  • 0.5656
  • 0.55
现货最快4小时发货
广东仓
5900

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCEP0178AK
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C216784
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
78A
导通电阻
12mΩ@4.5V

描述N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 3.35
  • 2.62
  • 2.27
  • 1.96
  • 1.87
  • 1.82
现货最快4小时发货
广东仓
9928

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCE01P30K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C115991
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
30A
导通电阻
65mΩ@4.5V,15A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9157
  • 2.66
  • 2.09
  • 1.81
  • 1.56
  • 1.49
  • 1.44
现货最快4小时发货
广东仓
7701

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
NCE2309
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C502865
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
1.6A
导通电阻
190mΩ@10V,1.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
  • 0.3027
  • 0.2401
  • 0.2087
  • 0.1852
  • 0.1664
  • 0.157
现货最快4小时发货
广东仓
24K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
NCE0102
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C161843
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
2A
导通电阻
240mΩ@10V,1A

描述N沟道 100V 2A,210毫欧,,比BSS123电流大。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存48K+
  • 0.3033
  • 0.243
  • 0.2128
  • 0.1902
  • 0.1721
  • 0.163
现货最快4小时发货
广东仓
47K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCE01P13K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C115989
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
13A
导通电阻
200mΩ@10V,16A

描述新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7977
  • 1.1895
  • 0.9378
  • 0.8149
  • 0.7052
  • 0.6751
  • 0.657
现货最快4小时发货
广东仓
4665

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:40V 电流:5.3A
NCE40P05Y
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C163738
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
5.3A
导通电阻
73mΩ@10V

描述P沟道,40V,5.3A,85毫欧。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31K+
  • 0.3547
  • 0.283
  • 0.2472
  • 0.2203
  • 0.1988
  • 0.188
现货最快4小时发货
广东仓
26K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:25A
NCE60P25K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130105
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
25A
导通电阻
45mΩ@10V,20A

描述P沟道,60V,25A.

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+
  • 1.812
  • 1.4443
  • 1.2867
  • 1.0901
  • 1.0026
  • 0.95
现货最快4小时发货
广东仓
14K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:200V 电流:24A
NCE0224K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C341714
数量
1个N沟道
漏源电压
200V
连续漏极电流
24A
导通电阻
80mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+
  • 3.35
  • 2.67
  • 2.38
  • 2.02
  • 1.83
  • 1.73
现货最快4小时发货
广东仓
17K+
江苏仓
1566

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
NCE3080K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C108901
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
80A
导通电阻
10mΩ@5V,24A

描述N沟道,30V/80A,5.5毫欧。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+
  • 0.6783
  • 0.5371
  • 0.4665
  • 0.4136
  • 0.3712
  • 0.35
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
NCE60P12K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C326372
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
12A
导通电阻
100mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 1.3511
  • 1.0576
  • 0.9318
  • 0.7749
  • 0.705
  • 0.663
现货最快4小时发货
广东仓
8940

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
NCE0103M
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOT-89-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C161844
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
3A
导通电阻
170mΩ@4.5V,3A

描述N沟道,100V,3A,160毫欧

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存18K+
  • 0.8117
  • 0.6485
  • 0.5669
  • 0.4985
  • 0.4495
  • 0.425
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:85V 电流:360A
NCEP016N85LL
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2686653
数量
1个N沟道
漏源电压
85V
连续漏极电流
360A
导通电阻
1.6mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
  • 9.12
  • 8.4
  • 7.95
  • 7.48
  • 7.28
  • 7.18
现货最快4小时发货
广东仓
11K+

2000/圆盘

总额0

近期成交25单

1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
NCE01P18K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C115990
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
18A
导通电阻
120mΩ@10V,16A

描述P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9340
  • 1.2722
  • 1.1262
  • 1.0637
  • 0.9857
  • 0.9509
  • 0.93
现货最快4小时发货
广东仓
7955

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
NCEP60T15G
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
DFN5X6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C216776
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
150A
导通电阻
3.1mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9682
  • 4.57
  • 3.68
  • 3.23
  • 2.78
  • 2.52
  • 2.38
现货最快4小时发货
广东仓
7475

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:120V 电流:230A
NCEP028N12LL
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2686733
数量
1个N沟道
漏源电压
120V
连续漏极电流
230A
导通电阻
2.8mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2909
  • 8.22
  • 7.47
  • 7
  • 6.52
  • 6.3
  • 6.2
现货最快4小时发货
广东仓
2734
江苏仓
1

2000/圆盘

总额0

近期成交42单

NCE60TD65BT
NCE60TD65BT
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C5883265
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1410
  • 11.81
  • 10.07
  • 8.97
  • 7.85
  • 7.35
现货最快4小时发货
广东仓
972

30/

总额0

近期成交15单

XJNG2103
XJNG2103
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2887735
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET
驱动通道数
2
工作电压
9V~20V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+
  • 0.6419
  • 0.5379
  • 0.4859
  • 0.4469
  • 0.4157
  • 0.4
现货最快4小时发货
广东仓
7090

4000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
NCE30P20Q
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
DFN3.3x3.3-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C502778
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
20A
导通电阻
15mΩ@10V,15A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7709
  • 1.2619
  • 0.9958
  • 0.8817
  • 0.7394
  • 0.6761
  • 0.638
现货最快4小时发货
广东仓
7705

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:40V 电流:70A
NCE40P70K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C130101
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
70A
导通电阻
10mΩ@10V,20A

描述P沟道,40V,70A.

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6289
  • 2.8
  • 2.22
  • 1.97
  • 1.66
  • 1.53
  • 1.44
现货最快4小时发货
广东仓
4222

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

2个N沟道 耐压:100V 电流:35A
NCEP01ND35AG
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
DFN5X6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C503042
数量
2个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
35A
导通电阻
22mΩ@4.5V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 3.65
  • 2.92
  • 2.56
  • 2.2
  • 1.98
  • 1.87
现货最快4小时发货
广东仓
6726

5000/圆盘

总额0

近期成交58单

1个N沟道 耐压:85V 电流:135A
NCEP035N85GU
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
DFN5X6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2686769
数量
1个N沟道
漏源电压
85V
连续漏极电流
135A
导通电阻
3.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5115
  • 5.35
  • 4.39
  • 3.91
  • 3.44
  • 3.03
  • 2.88
现货最快4小时发货
广东仓
4700

5000/圆盘

总额0

近期成交82单

1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
NCEP023N10LL
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2686686
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
300A
导通电阻
2.3mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4441
  • 7.45
  • 6.75
  • 6.37
  • 5.93
  • 5.74
  • 5.65
现货最快4小时发货
广东仓
3793

2000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:40V 电流:6.2A
NCE40P07S
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C414143
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
6.2A
导通电阻
25mΩ@10V,5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9096
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近期成交70单

1个N沟道 耐压:30V 电流:95A
NCE3095G
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
DFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2887734
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
96A
导通电阻
8.5mΩ@4.5V
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1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
NCE40H12K
品牌
NCE(无锡新洁能)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148243
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
120A
导通电阻
7mΩ@4.5V,10A
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