
NCE(无锡新洁能)
进入品牌官网无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。主要产品线包括MOSFET、IGBT和集成功率器件。

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。主要产品线包括MOSFET、IGBT和集成功率器件。
描述P沟道,-60V,-50A,23毫欧。
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描述N沟道,60V/20A,37毫欧。
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描述N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR
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描述P沟道,60V,4A,120毫欧。
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描述双N沟道,60V,5A,26毫欧,并联用可达10A,
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描述N沟道 100V 2A,210毫欧,,比BSS123电流大。
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描述P沟道,40V,5.3A,85毫欧。
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描述NCE603S采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关,还适用于众多其他应用。
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描述NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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描述N沟道,30V/80A,5.5毫欧。
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描述P+N双MOS管,40V/8A加-40V/-7A,
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描述NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景,具备静电放电(ESD)保护功能。
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描述N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V
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描述新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ
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描述P沟道,-30V,-4.2A,48毫欧@10V。
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描述N沟道,100V,3A,136毫欧@10V。
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描述N沟道,100V,3A,160毫欧
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描述N沟道,60V,5A,35mΩ@10V
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描述P沟道,60V,25A.
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描述NCEP1520K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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描述NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合大电流负载应用。
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描述NCE60P45K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
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描述N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR
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描述P沟道,40V,70A.
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描述P沟道 30V 9.1A ,Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比
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描述N沟道,100V,6A,小于140毫欧,
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描述P沟道,30V,30A.
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描述P沟道,40V,40A.
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