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PCB/SMT 工业品面板定制

NCE(无锡新洁能)

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无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。主要产品线包括MOSFET、IGBT和集成功率器件。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
- 栅极驱动芯片
多选
封装
- TO-220
- TO-252
- DFN-8(5x6)
- TO-263
- SOP-8
- TO-247
- TO-220F
- SOT-23(TO-236)
- TO-251
- DFN-8(3.3x3.3)
- TOLL-8L
- SOT-23-6
- TO-3P
- TO-263-3
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(3x3)
- SOT-223
- SOT-89
- TO-252-4L
- TSSOP-8
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数674

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

2个N沟道耐压:60V 电流:5A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C126151

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V,5A

描述双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+

1+￥1.0018
10+￥0.7882
30+￥0.6839
100+￥0.5909
500+￥0.5654
1000+￥0.55

现货最快4小时发货

广东仓: 21K+

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C108639

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@4.5V,10A

描述N沟道，60V/20A，37毫欧。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25K+

5+￥0.7071
50+￥0.5666
150+￥0.4944
500+￥0.4349
2500+￥0.4141
5000+￥0.4

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:60V 电流:50A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C96013

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V,20A

描述N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存41K+

5+￥1.0091
50+￥0.792
150+￥0.6861
500+￥0.5916
2500+￥0.5656
5000+￥0.55

现货最快4小时发货

广东仓: 34K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:60V 电流:80A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C341705

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

1+￥1.6455
10+￥1.2874
30+￥1.1126
100+￥0.9566
500+￥0.9138
1000+￥0.888

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:60V 电流:50A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C130104

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@10V,20A

描述P沟道，-60V，-50A，23毫欧。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

1+￥3.03
10+￥2.35
30+￥2.02
100+￥1.72
500+￥1.64
1000+￥1.59

现货最快4小时发货

广东仓: 12K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:100V 电流:13A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C115989

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@10V,16A

描述新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+

5+￥1.1895
50+￥0.9378
150+￥0.8149
500+￥0.7052
2500+￥0.6751
5000+￥0.657

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:100V 电流:78A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C216784

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 78A

导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@4.5V

描述N沟道，100V，78A，7.2mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

1+￥3.35
10+￥2.62
30+￥2.27
100+￥1.96
500+￥1.87
1000+￥1.82

现货最快4小时发货

广东仓: 9359

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:100V 电流:30A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C115991

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@4.5V,15A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9659

1+￥2.66
10+￥2.09
30+￥1.81
100+￥1.56
500+￥1.49
1000+￥1.44

现货最快4小时发货

广东仓: 9079

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:60V 电流:1.6A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C502865

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 1.6A

导通电阻(RDS(on)): 190mΩ@10V,1.5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存32K+

10+￥0.3027
100+￥0.2401
300+￥0.2087
3000+￥0.1852
6000+￥0.1664
9000+￥0.157

现货最快4小时发货

广东仓: 31K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:60V 电流:4A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C102608

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@4.5V,3A

描述P沟道，60V，4A，120毫欧。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

5+￥0.6051
50+￥0.4739
150+￥0.4083
500+￥0.3591
3000+￥0.3197
6000+￥0.3

现货最快4小时发货

广东仓: 9100

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:40V 电流:5.3A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C163738

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 5.3A

导通电阻(RDS(on)): 73mΩ@10V

描述P沟道，40V，5.3A，85毫欧。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+

10+￥0.3547
100+￥0.283
300+￥0.2472
3000+￥0.2203
6000+￥0.1988
9000+￥0.188

现货最快4小时发货

广东仓: 24K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

200V、1A半桥驱动器

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOIC-8

类目: 栅极驱动芯片

编号: C2887735

驱动配置: 半桥

负载类型: MOSFET

驱动通道数: 2

工作电压: 9V~20V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

5+￥0.6419
50+￥0.5379
150+￥0.4859
500+￥0.4469
2500+￥0.4157
4000+￥0.4

现货最快4小时发货

广东仓: 15K+

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:85V 电流:360A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2686653

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 360A

导通电阻(RDS(on)): 1.6mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存22K+

1+￥9.12
10+￥8.4
30+￥7.95
100+￥7.48
500+￥7.28
1000+￥7.18

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交36单

1个N沟道耐压:100V 电流:2A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C161843

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 240mΩ@10V,1A

描述N沟道 100V 2A，210毫欧，，比BSS123电流大。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

10+￥0.3033
100+￥0.243
300+￥0.2128
3000+￥0.1902
6000+￥0.1721
9000+￥0.163

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:30V 电流:80A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C108901

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@5V,24A

描述N沟道，30V/80A，5.5毫欧。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

5+￥0.6783
50+￥0.5371
150+￥0.4665
500+￥0.4136
2500+￥0.3712
5000+￥0.35

现货最快4小时发货

广东仓: 13K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:60V 电流:25A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C130105

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@10V,20A

描述P沟道，60V，25A.

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6703

5+￥1.812
50+￥1.4443
150+￥1.2867
500+￥1.0901
2500+￥1.0026
5000+￥0.95

现货最快4小时发货

广东仓: 6700

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

650V、60A沟槽型FSII快速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-247

类目: IGBT管/模块

编号: C5883265

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1254

1+￥11.81
10+￥10.07
30+￥8.97
90+￥7.85
510+￥7.35
1200+￥7.13

现货最快4小时发货

广东仓: 1235

30个/管

个

总额￥0

近期成交23单

1个N沟道耐压:150V 电流:20A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C341717

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7618

5+￥1.3406
50+￥1.1796
150+￥1.1105
500+￥1.0244
2500+￥0.9861
5000+￥0.963

现货最快4小时发货

广东仓: 6940

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:85V 电流:135A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: DFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2686769

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 135A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9168

1+￥5.35
10+￥4.39
30+￥3.91
100+￥3.44
500+￥3.03
1000+￥2.88

现货最快4小时发货

广东仓: 9069

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交84单

1个P沟道耐压:30V 电流:20A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: DFN3.3x3.3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C502778

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9952

5+￥1.2619
50+￥0.9958
150+￥0.8817
500+￥0.7394
2500+￥0.6761
5000+￥0.638

现货最快4小时发货

广东仓: 9720

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:40V 电流:70A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C130101

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V,20A

描述P沟道，40V，70A.

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

1+￥2.8
10+￥2.22
30+￥1.97
100+￥1.66
500+￥1.53
1000+￥1.44

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

600V、30A沟槽式FSII快速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-220F-3

类目: IGBT管/模块

编号: C502942

集射极击穿电压(Vces): 600V

集电极电流(Ic): 60A

耗散功率(Pd): 35.5W

正向压降(Vf): 1.7V@30A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1581

1+￥6.79
10+￥5.5
50+￥4.86
100+￥4.22
500+￥3.84
1000+￥3.64

现货最快4小时发货

广东仓: 1581

50个/管

个

总额￥0

近期成交34单

1个N沟道耐压:120V 电流:230A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2686733

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 230A

导通电阻(RDS(on)): 2.8mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1979

1+￥8.22
10+￥7.47
30+￥7
100+￥6.52
500+￥6.3
1000+￥6.2

现货最快4小时发货

广东仓: 1922

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

1个N沟道耐压:60V 电流:3A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2934580

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

20+￥0.2473
200+￥0.1988
600+￥0.1745
6000+￥0.1469
12000+￥0.1323

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:100V 电流:18A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C115990

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V,16A

描述P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5750

5+￥1.2722
50+￥1.1262
150+￥1.0637
500+￥0.9857
2500+￥0.9509
5000+￥0.93

现货最快4小时发货

广东仓: 5250

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C130106

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V；30mΩ@4.5V

描述P沟道，30V，30A.

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5917

5+￥1.365
50+￥1.0762
150+￥0.9525
500+￥0.7981
2500+￥0.7293
5000+￥0.688

现货最快4小时发货

广东仓: 5695

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:40V 电流:80A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C191380

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V,20A

描述N沟道,Vds=40V,Id=80A

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:6.3A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C216791

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

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1个P沟道耐压:40V 电流:40A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C130100

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V,12A

描述P沟道，40V，40A.

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1个N沟道耐压:75V 电流:60A

品牌: NCE(无锡新洁能)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C95273

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 75V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 6.8mΩ@10V,30A

描述N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

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