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吉林华微

吉林华微

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华微电子是一家专注于功率半导体器件及IC的制造商,拥有4英寸、5英寸与6英寸多条生产线,具备年产330万片芯片和24亿只封装资源的能力。公司主要生产功率半导体器件及IC,涵盖IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等系列。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 肖特基二极管
    • 三极管(BJT)
    • 快恢复/高效率二极管
    • 智能功率模块(IPM)
    • 晶闸管(可控硅)/模块
    • IGBT管/模块
    多选
  • 封装
    • TO-220
    • TO-220F
    • TO-252
    • TO-251
    • TO-92
    • DO-27
    • TO-126
    • TO-3P
    • TO-220-2
    • DIP-25
    • SOP-23-12mm
    • TO-263
    • TO-247
    • TO-262
    • TO-247-2
    • SMA(DO-214AC)
    • SMB(DO-214AA)
    • TO-126S
    • TO-277
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数237
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
JCS640RH-O-R-N-A
品牌
吉林华微
封装
DPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C97369
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
150mΩ@10V

描述N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存838
8.3
  • 3.6188
  • 2.9631
  • 2.6311
  • 2.2991
  • 2.0999
  • 2.0003
现货最快4小时发货
广东仓
822
江苏仓
975

2500/圆盘

总额0

近期成交15单

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
JCS20N65FH-220MF
品牌
吉林华微
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C272565
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
500mΩ@10V

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 6.2
  • 5.08
  • 4.46
  • 3.76
  • 3.45
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
864

50/

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:900V 电流:6A
JCS6N90FH-220MF
品牌
吉林华微
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C272541
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
3Ω@10V

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1083
  • 3.23
  • 2.51
  • 2.2
  • 1.82
  • 1.65
  • 1.55
现货最快4小时发货
广东仓
1083
江苏仓
1

50/

总额0

近期成交20单

耐压:900V 电流:9A
JCS9N90FT
品牌
吉林华微
封装
TO-220MF
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693301
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
1.35Ω@10V
耗散功率(Pd)
36W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存204
  • 6.08
  • 4.92
  • 3.94
  • 3.36
  • 3.02
现货最快4小时发货
广东仓
204
江苏仓
476

50/

总额0

近期成交12单

N沟道 耐压:800V 电流:4A
JCS4N80RC
品牌
吉林华微
封装
DPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3020065
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.6Ω@10V
耗散功率(Pd)
4W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1395
  • 3.15
  • 2.47
  • 2.18
  • 1.82
  • 1.66
  • 1.57
现货最快4小时发货
广东仓
1395

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:800V 电流:4A
JCS4N80FC
品牌
吉林华微
封装
TO-220MF
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693302
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.6Ω@10V
耗散功率(Pd)
99.2W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存490
  • 3.15
  • 2.49
  • 2.2
  • 1.85
现货最快4小时发货
广东仓
490
江苏仓
1

50/

总额0

近期成交7单

耐压:700V 电流:15A
JCS15N70FC
品牌
吉林华微
封装
TO-220MF
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693267
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)
15A
导通电阻(RDS(on))
550mΩ@10V
耗散功率(Pd)
568W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3
  • 5.98
  • 4.8
  • 4.21
  • 3.62
  • 3.27
现货最快4小时发货
广东仓
3
江苏仓
503

50/

总额0

近期成交3单

NPN 电流:1.5A 电压:400V
3DD4242DT-92
品牌
吉林华微
封装
TO-92-3
类目
三极管(BJT)
编号
C272485
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
20W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8
  • 0.3081
  • 0.2442
  • 0.2123
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1990

2000/

总额0

近期成交2单

NPN 电流:3A 电压:400V
3DD4244DM
品牌
吉林华微
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C272488
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
60W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2108
  • 0.581
  • 0.4581
  • 0.3967
  • 0.3506
现货最快4小时发货
广东仓
2105

200/

总额0

近期成交10单

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
JCS2N60RC
品牌
吉林华微
封装
DPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693248
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
5Ω@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2479
4.6
  • 0.654074
  • 0.518098
  • 0.459816
  • 0.387136
  • 0.354752
  • 0.33534
现货最快4小时发货
广东仓
2479

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:600V 电流:1.9A
JCS2N60V
品牌
吉林华微
封装
IPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693294
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
1.9A
导通电阻(RDS(on))
5Ω@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2065
6.7
  • 0.757569
  • 0.661558
  • 0.62042
  • 0.569098
  • 0.546251
  • 0.532516
现货最快4小时发货
广东仓
2065
江苏仓
5

80/

总额0

近期成交1单

N沟道 耐压:650V 电流:9.5A
JCS10N65CT
品牌
吉林华微
封装
TO-220C
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693284
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
9.5A
导通电阻(RDS(on))
950mΩ@10V
耗散功率(Pd)
178W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
4.5
  • 1.656
  • 1.4805
  • 1.3905
  • 1.3005
  • 1.2465
  • 1.2195
现货最快4小时发货
广东仓
4
江苏仓
883

50/

总额0

近期成交3单

电压:200V 电流:10A
HBR20200
品牌
吉林华微
封装
TO-220HF
类目
肖特基二极管
编号
C2693271
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
860mV@10A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.06
  • 2.4
  • 2.12
  • 1.77
  • 1.61
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
788

50/

总额0

近期成交5单

电流:0.5A 电压:400V
3DD4251T
品牌
吉林华微
封装
TO-92-3
类目
三极管(BJT)
编号
C3020069
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
1W
直流电流增益(hFE)
25
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

3.3折起
  • 0.114109
  • 0.072627
  • 0.047223
  • 0.042108
  • 0.037686
  • 0.035277
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1200

2000/

总额0

近期成交1单

电流:4A 电压:450V
3DD4617HZ
品牌
吉林华微
封装
TO-220
类目
三极管(BJT)
编号
C3020066
集电极电流(Ic)
4A
集射极击穿电压(Vceo)
450V
耗散功率(Pd)
75W
特征频率(fT)
5MHz
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

4.5
  • 0.785565
  • 0.62226
  • 0.552285
  • 0.46494
  • 0.42606
  • 0.40275
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
947

50/

总额0

近期成交1单

电压:200V 电流:10A
HBR20200-220C
品牌
吉林华微
封装
TO-220
类目
肖特基二极管
编号
C272397
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
830mV@10A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9
  • 2.682
  • 2.133
  • 1.899
  • 1.611
  • 1.485
  • 1.404
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
102

50/

总额0

近期成交6单

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
JCS7HN65FC-220MF
品牌
吉林华微
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C272575
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.35Ω@10V

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存890
  • 2.8
  • 2.2
  • 1.95
  • 1.63
  • 1.49
现货最快4小时发货
广东仓
890

50/

总额0

近期成交5单

耐压:600V 电流:20A
JCS20N60FH
品牌
吉林华微
封装
TO-220MF
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693261
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
390mΩ@10V
耗散功率(Pd)
55W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5.4
  • 3.9744
  • 3.3102
  • 2.9484
  • 2.5326
  • 2.349
  • 2.268
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
336

50/

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
MT06N008A
品牌
吉林华微
封装
TO-220C
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5259116
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@10V,60A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.39
  • 4.87
  • 4.58
  • 4.26
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
287

50/

总额0

近期成交1单

耐压:300V 电流:30A 反向恢复时间:30ns
60F30DAB3
品牌
吉林华微
封装
TO-3PB
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C2693300
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
1.1V@30A
直流反向耐压(Vr)
300V
整流电流
30A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100
  • 6.07
  • 4.97
  • 4.37
  • 3.69
现货最快4小时发货
广东仓
100
江苏仓
8

30/

总额0

近期成交10单

电流:2A 电压:400V
3DD4243DY
品牌
吉林华微
封装
TO-92-3
类目
三极管(BJT)
编号
C3020068
集电极电流(Ic)
2A
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
40W
直流电流增益(hFE)
25@200mA,5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

3.4折起
  • 0.20385
  • 0.132308
  • 0.089182
  • 0.07939
  • 0.071536
  • 0.067626
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1980

2000/

总额0

电流:4A 电压:400V
3DD13005ED
品牌
吉林华微
封装
TO-126S
类目
三极管(BJT)
编号
C3020070
集电极电流(Ic)
4A
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
75W
直流电流增益(hFE)
30@500mA,10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

3.3折起
  • 0.591109
  • 0.379905
  • 0.258753
  • 0.217833
  • 0.199617
  • 0.188694
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
601

200/

总额0

近期成交4单

电压:200V 电流:10A
HBR10200S
品牌
吉林华微
封装
TO-220C
类目
肖特基二极管
编号
C3020062
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
930mV@5A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

4.5
  • 0.80739
  • 0.63954
  • 0.56763
  • 0.477855
  • 0.437895
  • 0.413955
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
699

50/

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
JCS4N65RC-DPAK
品牌
吉林华微
封装
DPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C272525
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.6Ω@10V

描述N沟道 650V 4A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
7.7
  • 1.056363
  • 0.928543
  • 0.873719
  • 0.805343
  • 0.774928
  • 0.756679
现货最快4小时发货
广东仓
1
江苏仓
182

2500/圆盘

总额0

近期成交4单

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
JCS4N65VC-IPAK
品牌
吉林华微
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C272527
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.6Ω@10V,2A

描述N沟道 650V 4A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

3.3折起
  • 1.130808
  • 0.726743
  • 0.495
  • 0.416724
  • 0.381876
  • 0.360987
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
833

80/

总额0

近期成交3单

NPN 电流:7A 电压:200V
BU406-220C
品牌
吉林华微
封装
TO-220
类目
三极管(BJT)
编号
C272492
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
7A
集射极击穿电压(Vceo)
200V
耗散功率(Pd)
60W

描述NPN 200V 7A HFE 70-80

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存595
  • 1.6364
  • 1.2849
  • 1.1343
  • 0.9464
现货最快4小时发货
广东仓
595

50/

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
JCS4N70FC-220MF
品牌
吉林华微
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C272581
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.8Ω@10V

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.7834
  • 1.4004
  • 1.2362
  • 1.0314
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2000

50/

总额0

近期成交1单

耐压:650V 电流:9.5A
JCS10N65ST-S-AR
品牌
吉林华微
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2693256
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
9.5A
导通电阻(RDS(on))
950mΩ@10V
耗散功率(Pd)
178W
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近期成交6单

MOSFET管
3DD13003A
品牌
吉林华微
封装
TO-92-FJ
类目
三极管(BJT)
编号
C5148290
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
450V
耗散功率(Pd)
40W
特征频率(fT)
4MHz
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近期成交2单

NPN 电流:1.5A 电压:500V
3DD4613H-92-FJ
品牌
吉林华微
封装
TO-92-3
类目
三极管(BJT)
编号
C272497
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
500V
耗散功率(Pd)
1W
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近期成交2单