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NIKO-SEM(尼克森)

NIKO-SEM(尼克森)

进入品牌官网

NIKO-SEM微电子成立于1998年,总部位于台北,专注于电源管理和模拟集成电路的设计。主要生产POWER MOSFET功率组件、线性稳压IC、切换型稳压IC及脉冲控制IC。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 电流感应放大器
    多选
  • 封装
    • DFN-8(5x6)
    • TO-252
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • DFN-8(3x3)
    • SOT-23-6
    • TO-220
    • DFN(3x3)
    • DFN-5(5x6)
    • DFN-6(2x2)
    • DFN-6(2x3)
    • PDFN(3x3)
    • SOT-523(SC-75)
    • SOT-89
    • TO-252-4
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数79
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
PZ0703EK
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8-EP(6.1x5.2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532986
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
7mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1024
  • 4.14
  • 3.18
  • 2.7
  • 2.22
现货最快4小时发货
广东仓
1024
江苏仓
1500

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

1个P沟道 耐压:30V 电流:2A
PM509BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532983
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2882
8.8
  • 0.391424
  • 0.315392
  • 0.277376
  • 0.23012
  • 0.20724
  • 0.195888
现货最快4小时发货
广东仓
2830

3000/圆盘

总额0

近期成交10单

PV537BA
PV537BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C429897

描述-

  • 收藏
  • 对比
9.4
  • 1.144638
  • 0.996588
  • 0.933138
  • 0.85399
  • 0.81874
  • 0.7896
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2499

2500/圆盘

总额0

1个P沟道 耐压:40V 电流:9.5A
PV563BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5128261
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
9.5A
导通电阻(RDS(on))
15mΩ@10V,9.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存247
9.4
  • 2.15072
  • 1.73289
  • 1.55382
  • 1.330382
  • 1.230836
  • 1.07442
现货最快4小时发货
广东仓
247
江苏仓
2

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
P06P03LVG
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C133599
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@10V,6A

描述P沟道 -30V -6A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 1.0749
  • 0.8531
  • 0.7581
  • 0.6395
  • 0.5867
  • 0.555
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
P5102FM
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C133604
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.5A
导通电阻(RDS(on))
71mΩ@1.8V,2A

描述P沟道 -20V -3.5A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6
  • 0.2038
  • 0.1995
  • 0.1966
  • 0.1937
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
PM597BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C444869
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
5.3A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@4.5V,3.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.31031
  • 0.28644
  • 0.267344
  • 0.26257
订货7-9个工作日
库存
3000
增量
1
最小包装
1个

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:31A
PE5E4BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532972
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
31A
导通电阻(RDS(on))
9.5mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25
  • 0.9847
  • 0.7748
  • 0.6848
  • 0.5726
  • 0.4715
  • 0.4415
现货最快4小时发货
广东仓
25

5000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
P3203CMG
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C133603
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@2.5V,4A

描述N沟道 30V 6A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.6396
  • 0.5071
  • 0.4409
  • 0.3912
  • 0.3125
  • 0.2926
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
PZD502CYB
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-523-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C384600
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
700mA
导通电阻(RDS(on))
450mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1547
  • 0.1512
  • 0.1489
  • 0.1466
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PM514BA
PM514BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532984
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.3A
导通电阻(RDS(on))
40mΩ@4.5V,3A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.2612
  • 0.2036
  • 0.1748
  • 0.1532
  • 0.1359
  • 0.1272
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

PM606BA
PM606BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532985
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@10V,5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.3881
  • 0.3017
  • 0.2585
  • 0.2261
  • 0.2002
  • 0.1872
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PZ2N7002M
PZ2N7002M
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532987
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on))
1.7Ω@4.5V,100mA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1943
  • 0.1511
  • 0.1271
  • 0.1041
  • 0.0916
  • 0.0848
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:40V 电流:42A
PK6A6BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
PDFNWB-8L-EP(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C429896
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
42A
耗散功率(Pd)
31W

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.631
  • 0.6152
  • 0.6046
  • 0.594
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

P6002OAG
P6002OAG
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
TSOP-6-1.5mm
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C384595
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.4A
导通电阻(RDS(on))
180mΩ@2.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.7877
  • 0.626
  • 0.5451
  • 0.4844
  • 0.3883
  • 0.364
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PK600BA
PK600BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8-EP(6.1x5.2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532977
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
9.5mΩ@10V,9.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.0297
  • 0.8079
  • 0.7129
  • 0.5943
  • 0.5415
  • 0.5098
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PK6D0BA
PK6D0BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8-EP(6.1x5.2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532982
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
10.5mΩ@10V,13A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.1656
  • 0.9036
  • 0.7912
  • 0.6511
  • 0.5887
  • 0.5512
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PK6A4BA
PK6A4BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
PDFN-8(5.2x6.2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C782182
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.2329
  • 0.9557
  • 0.8369
  • 0.6887
  • 0.6227
  • 0.583
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PV601CA
PV601CA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C384599
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
28mΩ@4.5V,6.4A
  • 收藏
  • 对比
  • 1.336
  • 1.0558
  • 0.9357
  • 0.7859
  • 0.7191
  • 0.6005
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

PE600BA
PE600BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532973
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
32A
导通电阻(RDS(on))
9.8mΩ@10V,9A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.676
  • 0.624
  • 0.5824
  • 0.572
订货3-5个工作日
库存
5363
增量
1
最小包装
5000个

总额0

1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
P2610BD
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
TO-252-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C440044
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
36A
导通电阻(RDS(on))
26.8mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 3.11
  • 2.46
  • 2.18
  • 1.83
  • 1.57
  • 1.48
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:30V 电流:36A
PE616BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C429892
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
36A
导通电阻(RDS(on))
5.4mΩ@10V,12A

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.6884
  • 0.6711
  • 0.6596
  • 0.648
需订货
广东仓
0

5000/圆盘

总额0

PK618BA
PK618BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8-EP(6.1x5.2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532979
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
59A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.5915
  • 1.2337
  • 1.0803
  • 0.889
  • 0.8038
  • 0.7526
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

PE507BA
PE507BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532971
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
42A
导通电阻(RDS(on))
14.5mΩ@4.5V,9A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.6921
  • 1.3292
  • 1.1737
  • 0.9797
  • 0.8933
  • 0.7632
需订货
广东仓
0

5000/圆盘

总额0

PA410BD
PA410BD
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
TO-252-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532967
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
140mΩ@10V,5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.7307
  • 1.393
  • 1.2483
  • 1.0677
  • 0.8684
  • 0.8201
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

PB544JU
PB544JU
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-6-EP(3x2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532969
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
12.9A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@4.5V,3A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.732
  • 1.3691
  • 1.2136
  • 1.0196
  • 0.9332
  • 0.8813
需订货
广东仓
0

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
PD616BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
TO-252-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C429894
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on))
5.6mΩ@10V,20A

描述N沟道

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.7597
  • 1.4019
  • 1.2485
  • 1.0572
  • 0.8038
  • 0.7526
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

PE642DT
PE642DT
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN-8-EP(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532974
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
34A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.7654
  • 1.3823
  • 1.2182
  • 1.0134
  • 0.9222
  • 0.8056
需订货
广东仓
0

5000/圆盘

总额0

PJ614DA
PJ614DA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
DFN(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C532975
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
10.5A
导通电阻(RDS(on))
11.8mΩ@4.5V,3A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.6773
  • 0.6252
  • 0.58352
  • 0.5731
订货7-9个工作日
库存
100K
增量
1
最小包装
1个

总额0

1个P沟道 耐压:30V 电流:71A
PD537BA
品牌
NIKO-SEM(尼克森)
封装
TO-252-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C444868
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
71A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.9704
  • 1.5571
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