
Nanya(南亚科技)
进入品牌官网南亚科技股份有限公司致力于成为最佳DRAM供应商,通过与合作伙伴紧密合作强化产品研发与制造,提供全方位产品及系统解决方案。主要生产DRAM产品。
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描述4Gb 双倍数据速率 3(DDR3(L))动态随机存取存储器(DRAM)是一款高速 CMOS 同步动态随机存取存储器(SDRAM),容量为 4,294,967,296 位。其内部配置为八存储体 DRAM。
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描述该DDR3 SDRAM芯片具有2Gb的存储容量,支持高速双倍数据速率传输,适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM,支持多种工作模式和低功耗特性。
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描述2Gb 双倍数据速率 3(DDR3(L))采用双倍数据速率架构,以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器(DRAM)。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出(I/O)× 8 个存储体,或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体
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描述1Gb 双倍数据速率 3(DDR3(L))G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构,以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体,或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件
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描述该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量,支持高速双倍数据速率传输,适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM,支持多种工作模式和低功耗特性。
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描述512Mb DDR2 SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,包含536,870,912位。对DDR2 SDRAM的读写访问是突发式的;访问从选定位置开始,并按照编程顺序持续进行4位或8位的突发长度。访问始于激活命令的寄存,随后是读或写命令
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描述1Gb 双倍数据速率 3(DDR3(L))G 型裸片动态随机存取存储器(DRAM)采用双倍数据速率架构,以实现高速运行。它为内部配置。
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描述DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器,对于x8 DRAM,其内部配置为16个存储体,分为4个存储体组,每个存储体组包含4个存储体;对于×16 DRAM,内部配置为8个存储体,分为2个存储体组,每个存储体组包含4个存储体。DDR4 SDRAM采用8n预取架构来实现高速运行。8n预取架构与一个接口相结合,该接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字
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