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时科,源自台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。

自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。

时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。

价格筛选(小批量):

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符合条件商品: 729
1N4148WS
  • 商品编号:C110221
  • 封装规格: SOD-323
描述: 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA
  • 含增值税
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S8050 H档 200-350
  • 商品编号:C111272
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3Y
  • 含增值税
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FR107W
  • 商品编号:C122857
  • 封装规格: SOD-123F
描述: 反向恢复时间(trr):500ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A
  • 含增值税
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1N4148W
  • 商品编号:C109203
  • 封装规格: SOD-123
描述: 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA 75V,150mA,trr=4ns,VF=1.25V@150mA,PD=500mW
  • 含增值税
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1N4007G M7
  • 商品编号:C111122
  • 封装规格: SMA(DO-214AC)
描述: 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A 替代:C126233
  • 含增值税
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RB521S-30
  • 商品编号:C122862
  • 封装规格: SOD-523
描述: 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):500mV @ 200mA 30V,0.2A,VF=0.5V@200mA
  • 含增值税
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MMBT3904
  • 商品编号:C111113
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:225mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN 40V,200mA,NPN三极管
  • 含增值税
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MMBT3906
  • 商品编号:C111114
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:350mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP 40V,200mA,PNP三极管,hFE=100-400
  • 含增值税
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1N4007F   m7s
  • 商品编号:C110856
  • 封装规格: SMAF
描述: 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A -
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BAV99
  • 商品编号:C109206
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA
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AO3401
  • 商品编号:C122851
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道 P沟道,-30V,-4.2A,55mΩ@-10V
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S9013 200-350
  • 商品编号:C111269
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350
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AO3400
  • 商品编号:C122850
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V
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SK2302AA
  • 商品编号:C111264
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):18V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,18V,3.6A,80mΩ@4.5V
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TL431  A档
  • 商品编号:C111578
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 输出电压(最小值/固定):2.5V 输出电流:100mA 输出电压(最大值):36V 输出类型:可调式 温度系数:50ppm/°C 参考源类型:分流器 0.5%
  • 含增值税
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BSS138
  • 商品编号:C112239
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.2A,RDS(on) = 3.5Ω@5V
  • 含增值税
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SS14G
  • 商品编号:C111631
  • 封装规格: SMA(DO-214AC)
描述: 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV @ 1A 40V,1A,VF=0.55V@1A
  • 含增值税
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S8550 H档 200-350
  • 商品编号:C111271
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-25V,Ic=-500mA,hfe=200~350,丝印2TY
  • 含增值税
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B5819WS
  • 商品编号:C122855
  • 封装规格: SOD-323
描述: 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):600mV @ 1A 40V,1A,VF=0.6V@1A
  • 含增值税
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LL4148
  • 商品编号:C111267
  • 封装规格: LL-34
描述: 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 75V,200mA,trr=4ns,VF=1V@10mA,PD=500mW
  • 含增值税
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B5817WL
  • 商品编号:C122853
  • 封装规格: SOD-123F
描述: 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):450mV @ 1A 20V,1A,VF=0.45V@1A
  • 含增值税
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AO3402
  • 商品编号:C130869
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道 30V 4.2A
  • 含增值税
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2SC1623 200-400 丝印L6
  • 商品编号:C116165
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,中高端品牌
  • 含增值税
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1N4148WT
  • 商品编号:C110222
  • 封装规格: SOD-523
描述: 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):125mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA
  • 含增值税
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2N7002(丝印12W)
  • 商品编号:C111581
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):430mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道
  • 含增值税
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SS8050 (200-350)丝印Y1
  • 商品编号:C111765
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:350mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
  • 含增值税
  • 50+:

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BSS84
  • 商品编号:C112238
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130mA 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:P沟道 P沟道,-0.13A,<=6Ω@-10V,导通电阻小
  • 含增值税
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    ¥0.105852
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  • 20000+:

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78M05
  • 商品编号:C111265
  • 封装规格: TO-252-2(DPAK)
描述: 输出类型:固定 最大输入电压:35V 输出电流:500mA 输出电压(最小值/固定值):5V 稳压芯片 5.0V 500mA,性价比高
  • 含增值税
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    ¥0.549019
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  • 5000+:

    ¥0.348042
78L05
  • 商品编号:C112446
  • 封装规格: SOT-89(SOT-89-3)
描述: 输出类型:固定 最大输入电压:35V 输出电流:150mA 输出电压(最小值/固定值):5V
  • 含增值税
  • 10+:

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MMBT2222A
  • 商品编号:C171740
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 额定功率:225mW 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN
  • 含增值税
  • 50+:

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