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首页 > 品牌列表 > FMD(辉芒微) >
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辉芒微电子成立于2005年,是一家国家高新技术企业,总部位于深圳南山科技园,并在香港设有办事处。公司专注于高性能模拟及数模混合信号集成电路的设计,主要生产非易失性存储芯片、MCU芯片和电源管理芯片。
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209
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • FT24C16A-KLR-T
  • 品牌: FMD(辉芒微)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述: FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM,支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作,工作电压范围为1.7V到5.5V,工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式,具有自定时编程周期(最大5ms),1 MHz(2.5-5V)和400 kHz(1.7V)兼容性,以及100年的数据保留能力。
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    • FT24C02A-KLR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM,具有低电压和低功耗操作,支持1.8V至5.5V的工作电压,工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式,部分页写操作允许,内部组织为256×8(2K)。标准2线双向串行接口,具有噪声保护输入,自定时编程周期(最大5ms),1,000,000次写周期寿命,100年的数据保留时间。
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    • 程序存储容量: 1KB
    • 程序存储器类型: FLASH
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    • FT24C64A-ESR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: FT24C64A系列是65,536位的串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为8192个字节(每个字节8位)。该设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低压应用。支持标准的2线双向串行接口。
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    • CPU内核: RISC
    • CPU最大主频: 16MHz
    • 程序存储容量: 1KB
    • 程序存储器类型: FLASH
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    • FT24C1024A-USR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: FT24C1024A系列是1,048,576位串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。它们被组织为131,072个8位字(一个字节)每个。这些设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP和8引脚SOP封装。支持标准2线双向串行接口,具有内部自定时编程周期(最大5毫秒),自动擦除前写操作,硬件数据保护等功能。
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    • FT24C512A-TSR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: FT24C512A系列是512K位的串行电气可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)。这些设备组织为65,536个字节,每个字节8位。它们采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/UDFN无铅封装。
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    • 订单数量按照以下:
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    • CPU内核: RISC
    • CPU最大主频: 16MHz
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    • CPU最大主频: 16MHz
    • 程序存储容量: 3KB
    • 程序存储器类型: FLASH
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    • FT93C46A-USR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: FT93C46A-USR-T是一款4K位串行EEPROM,支持1.8V至5.5V的工作电压,具有2MHz的时钟频率,适用于工业温度范围(-40°C至85°C)。该器件具有高可靠性,擦写寿命为1百万次,数据保留时间为100年。
    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 1Kbit
    • 工作电压: 4.5V~5.5V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
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    • FT24C64A-ELR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: FT24C64A系列是65,536位串行电可擦除可编程只读存储器,采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。这些设备提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN、5引脚SOT23和5引脚TSOT23封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的Vcc范围(1.8V到5.5V)使应用范围广泛。
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    • FT24C32A-ESR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: FT24C32A系列是32,768位的串行EEPROM,组织为4096个8位字。这些设备使用专有的先进CMOS工艺制造,适用于低功耗和低压应用。支持1.8V到5.5V的工作电压,具有32字节的页写模式,自定时写周期(最大5ms),1000 kHz (2.5V-5V) 和 400 kHz (1.8V) 兼容性,硬件数据保护引脚,1,000,000次写周期寿命,100年的数据保留时间和工业温度范围(-40°C至85°C)。
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    • FT24C256A-ESR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 256K位低功耗串行EEPROM,支持1.8V至5.5V工作电压,最大待机电流小于1uA,64字节页写模式,自定时写周期(最大5ms),1MHz(2.5V-5V)和400kHz(1.8V)兼容,硬件数据保护,高可靠性(1,000,000次写周期寿命),100年数据保留,工业温度范围(-40℃至85℃)。
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    • FT24C512A-ETR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: FT24C512A系列是524,288位的串行EEPROM,组织为65,536个8位字。采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗和低电压特性,支持1.8V至5.5V的工作电压。提供标准的2线双向串行接口,适用于多种应用场景。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 512Kbit
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    • FT24C02A-KSR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM,支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作,工作电压范围为1.8V至5.5V,工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式,部分页写操作允许,内部组织为256 x 8 (2K)。标准2线双向串行接口,自定时编程周期(最大5ms),1MHz (2.5-5V),400 kHz (1.8V) 兼容,自动擦除前写操作,硬件数据保护,高可靠性(通常1,000,000次耐久性),100年数据保留。
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    • FT24C08A-KLR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: FT24C08A 是一个8192位的串行EEPROM,内部组织为1024个8位字(1字节)。支持标准的2线双向串行接口,适用于多种封装类型。
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    • FT24C64A-ETR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: FT24C64A系列是65,536位的串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为8192个字节(每个字节8位)。该设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低压应用。支持标准的2线双向串行接口。
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    • FT24C02A-ESR-T
    • 品牌: FMD(辉芒微)
    • 封装: SOP-8-3.0mm
    • 描述: FT24C02A-EXX 是一个2048位的串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。它组织为256个字(每个字8位)。支持标准2线双向串行接口,工作电压范围为1.8V到5.5V,工业温度范围为-40°C到85°C。具有低功耗、自定时编程周期、高可靠性等特点。
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