
FMD(辉芒微)
进入品牌官网辉芒微电子成立于2005年,是一家国家高新技术企业,总部位于深圳南山科技园,并在香港设有办事处。公司专注于高性能模拟及数模混合信号集成电路的设计,主要生产非易失性存储芯片、MCU芯片和电源管理芯片。
辉芒微电子成立于2005年,是一家国家高新技术企业,总部位于深圳南山科技园,并在香港设有办事处。公司专注于高性能模拟及数模混合信号集成电路的设计,主要生产非易失性存储芯片、MCU芯片和电源管理芯片。
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近期成交9单
描述FT24C1024A系列是1,048,576位串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。它们被组织为131,072个8位字(一个字节)每个。这些设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP和8引脚SOP封装。支持标准2线双向串行接口,具有内部自定时编程周期(最大5毫秒),自动擦除前写操作,硬件数据保护等功能。
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描述FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM,具有低电压和低功耗操作,支持1.8V至5.5V的工作电压,工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式,部分页写操作允许,内部组织为256×8(2K)。标准2线双向串行接口,具有噪声保护输入,自定时编程周期(最大5ms),1,000,000次写周期寿命,100年的数据保留时间。
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描述FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM,支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作,工作电压范围为1.7V到5.5V,工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式,具有自定时编程周期(最大5ms),1 MHz(2.5-5V)和400 kHz(1.7V)兼容性,以及100年的数据保留能力。
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描述FT24C64A系列是65,536位的串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为8192个字节(每个字节8位)。该设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低压应用。支持标准的2线双向串行接口。
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描述FT24C64A系列是65,536位串行电可擦除可编程只读存储器,采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。这些设备提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN、5引脚SOT23和5引脚TSOT23封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的Vcc范围(1.8V到5.5V)使应用范围广泛。
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描述FT24C64A系列是65,536位的串行电气可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为8192个字节(每个字节8位)。该设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低压应用。支持标准的2线双向串行接口。
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描述FT24C512A系列是512K位的串行电气可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)。这些设备组织为65,536个字节,每个字节8位。它们采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/UDFN无铅封装。
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描述FT24C08A 是一个8192位的串行EEPROM,内部组织为1024个8位字(1字节)。支持标准的2线双向串行接口,适用于多种封装类型。
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描述FT24C128A是一款128K位(16K字节)的I2C接口串行EEPROM,支持1.8V至5.5V的工作电压,具有低功耗和高可靠性。该器件支持64字节的分页写入模式,自定时写周期时间为5ms,工作温度范围为-40°C至85°C。
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描述FT25C32A是一款32768位的串行EEPROM,组织为4096个8位字。支持SPI模式0和3,工作电压1.8V至5.5V,最高时钟频率20MHz,自定时编程周期最大5ms,写周期寿命1,000,000次,数据保留100年,工作温度范围-40°C至85°C,标准8引脚DIP/SOP/TSSOP无铅封装。
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描述FT24C512A系列是512K位的串行电气可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)。这些设备组织为65,536个字节,每个字节8位。它们采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/UDFN无铅封装。
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描述FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM,支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作,工作电压范围为1.8V至5.5V,工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式,部分页写操作允许,内部组织为256 x 8 (2K)。标准2线双向串行接口,自定时编程周期(最大5ms),1MHz (2.5-5V),400 kHz (1.8V) 兼容,自动擦除前写操作,硬件数据保护,高可靠性(通常1,000,000次耐久性),100年数据保留。
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描述256K位低功耗串行EEPROM,支持1.8V至5.5V工作电压,最大待机电流小于1uA,64字节页写模式,自定时写周期(最大5ms),1MHz(2.5V-5V)和400kHz(1.8V)兼容,硬件数据保护,高可靠性(1,000,000次写周期寿命),100年数据保留,工业温度范围(-40℃至85℃)。
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