
WPMtek(维攀)
进入品牌官网维攀微(WPMTEK)成立于2007年,是一家集自主设计研发、生产和销售为一体的半导体器件创新型企业。主要生产保护器件、分立器件以及电源管理IC。
维攀微(WPMTEK)成立于2007年,是一家集自主设计研发、生产和销售为一体的半导体器件创新型企业。主要生产保护器件、分立器件以及电源管理IC。
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描述WPE3V3D3ULA是一款5V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,响应速度快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE3V3D3ULA电容低,典型值为1pF,符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
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描述P0080TVB 晶闸管是一种半导体组件。它们被设计用于调制解调器、电话、线路卡、答录机、传真机、SLICs、T1/E1、xDSL、PBXs等应用。该系列可用于根据FCC Part 68、ANSI C62.41、UL 1459、GR-1089-CORE、IEC 61000-2、IEC 61000-4和IEC 61000-4-5等行业标准提供保护。
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描述带EN 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制
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描述N沟道 漏源电压(Vdss): 700V 连续漏极电流(Id): 8A 功率(Pd): 125W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
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描述CLAMP0504DT是一款超低电容TVS阵列,采用领先的单片硅技术,可实现快速响应时间和低ESD钳位电压,使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。CLAMP0504DT具有超低电容,典型值为0.2 pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±25 kV,接触放电±20 kV。它采用6引脚无铅SOT23封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌能力的结合,使其非常适合用于USB 3.0、多媒体和其他高速端口等应用。
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描述SDXXC旨在采用单片硅技术,替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻(MLV),以实现快速响应时间和超低静电放电(ESD)钳位电压,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。SDXXC采用无铅SOD - 323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。
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描述WPE0501P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,具有响应速度快、电容极低和静电放电(ESD)钳位电压低等特点,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。WPE0501P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±25 kV,接触放电±22 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低,是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。
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描述CLAMP0551P1采用威攀穿通工艺的TVS技术设计,旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机和其他许多对电路板空间要求较高的便携式应用。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
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描述WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单晶硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE0521NB电容超低,典型值为0.25pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。
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描述CLAMP1211P是一款12V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP1211P符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力,是保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。
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描述WPExxxD3ULA是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列有单向和双向两种配置,对于8/20μs波形的额定功率为350瓦。WPExxxD3ULA符合IEC 61000 - 4 - 2(静电放电)和IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群)要求。在较高的工作频率或更快的边沿速率下,插入损耗和信号完整性是主要关注点。该系列在微型SOD - 323封装中提供超低电容和低泄漏电流。
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描述低功耗LDO WL6026系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(8.0μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提250mA的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和噪声很小以及静态偏置电流很小,这些器件不仅特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品,如计算机、消费类产品和工业设备等,还特别适用于希望对纹波抑制较高的语音和图像设备,如摄像头、蓝牙等消费类产品等。
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描述WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使WPE1261KP1成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。
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