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PCB/SMT 工业品面板定制

GOFORD(谷峰)

进入品牌官网

深圳市谷峰电子有限公司（GOFORD SEMICONDUCTOR）成立于1995年，总部位于香港，是一家国家高新技术企业。主要生产半导体功率元器件。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 电压基准芯片
多选
封装
- TO-252
- TO-220
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(5x6)
- TO-263
- DFN-8(3x3)
- TO-220F
- TOLL-8L
- SOT-23-6
- TO-247
- DFN-6(2x2)
- TO-251
- SOT-223
- TO-92
- SOT-89
- SMD-8P
- TO-252-4
- TO-263-6
- DFN(3x3)
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数614

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:60V 电流:65A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038565

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4686

1+￥3.73
10+￥3
30+￥2.64
100+￥2.28
500+￥1.97
1000+￥1.86

现货最快4小时发货

广东仓: 4686

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交59单

P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道耐压:40V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239051

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V

描述P沟道,-40V,-5.3A,85mΩ@-10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8859

5+￥0.5495
50+￥0.4487
150+￥0.3983
500+￥0.3605
3000+￥0.2715
6000+￥0.2563

现货最快4小时发货

广东仓: 8820

江苏仓: 1890

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交36单

N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道耐压:200V 电流:1.7A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2840756

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 1.7A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4148

5+￥1.0814
50+￥0.8647
150+￥0.7718
500+￥0.6559
3000+￥0.5375
6000+￥0.5066

现货最快4小时发货

广东仓: 4050

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交54单

1个P沟道耐压:60V 电流:103A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465401

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 103A

导通电阻(RDS(on)): 5.9mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1565

1+￥7.03
10+￥5.86
30+￥5.22
100+￥4.49
500+￥3.62
1000+￥3.47

现货最快4小时发货

广东仓: 1529

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交30单

耐压:190V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239049

漏源电压(Vdss): 190V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 560mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.8W

描述N沟道,190V,3A,540mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4052

5+￥1.119
50+￥0.8922
150+￥0.795
500+￥0.6737
3000+￥0.549
6000+￥0.5166

现货最快4小时发货

广东仓: 3775

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

1个N沟道耐压:100V 电流:55A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038566

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4683

1+￥2.7
10+￥2.12
30+￥1.88
100+￥1.57
500+￥1.43
1000+￥1.34

现货最快4小时发货

广东仓: 4683

江苏仓: 21

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

P沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2840765

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V；20mΩ@4.5V

描述4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3923

5+￥1.2202
50+￥0.9682
150+￥0.8602
500+￥0.7254
2500+￥0.573
4000+￥0.537

现货最快4小时发货

广东仓: 3900

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

N沟道增强型功率MOSFET 2个N沟道耐压:60V 电流:40A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038568

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2898

1+￥3.59
10+￥2.89
30+￥2.59
100+￥2.22
500+￥1.75
1000+￥1.65

现货最快4小时发货

广东仓: 2883

江苏仓: 604

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

1个N沟道耐压:60V 电流:5.5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396097

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 5.5A

导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6079

5+￥0.5572
50+￥0.4516
150+￥0.3988
500+￥0.3592
3000+￥0.2804
6000+￥0.2645

现货最快4小时发货

广东仓: 6040

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

1个N沟道耐压:200V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C224101

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 580mΩ@10V

描述LED无级调光驱动用

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2656

1+￥1.4385
10+￥1.1509
30+￥1.0276
100+￥0.8738
500+￥0.8053
1000+￥0.6729

现货最快4小时发货

广东仓: 2654

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道耐压:60V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3151762

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3835

5+￥0.6733
50+￥0.5389
150+￥0.4717
500+￥0.4213
3000+￥0.3192
6000+￥0.2991

现货最快4小时发货

广东仓: 3805

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

1个N沟道耐压:40V 电流:62A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5258963

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 62A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@4.5V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4251

5+￥1.3093
50+￥1.1434
150+￥1.0723
500+￥0.9836
2500+￥0.9441
5000+￥0.9204

现货最快4小时发货

广东仓: 4250

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交42单

1个P沟道耐压:60V 电流:65A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5162368

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1188

1+￥3.7
10+￥3.02
30+￥2.68
100+￥2.34
500+￥1.8
1000+￥1.69

现货最快4小时发货

广东仓: 1179

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

1个P沟道耐压:20V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C334113

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@4.5V

描述P管，-20V,-3A,开启-0.7V, 64mΩ(typ)@-4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9126

20+￥0.2488
200+￥0.2008
600+￥0.1768
3000+￥0.1428
9000+￥0.1284
21000+￥0.1211

现货最快4小时发货

广东仓: 5040

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:30V 电流:7A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C840062

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 19mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3067

5+￥0.6131
50+￥0.4931
150+￥0.4331
500+￥0.3881
3000+￥0.2831
6000+￥0.265

现货最快4小时发货

广东仓: 3055

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

N沟道增强型功率MOSFET

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22362799

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 69W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3750

5+￥0.617
50+￥0.533
150+￥0.497
500+￥0.452
2500+￥0.432

现货最快4小时发货

广东仓: 3740

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

1个P沟道耐压:30V 电流:20A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5258948

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V,5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2925

5+￥0.9176
50+￥0.716
150+￥0.6296
500+￥0.5218
2500+￥0.4738
5000+￥0.445

现货最快4小时发货

广东仓: 2740

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

1个P沟道耐压:60V 电流:25A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465299

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 58mΩ@10V；70mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2520

5+￥1.3113
50+￥1.0341
150+￥0.9153
500+￥0.7671
2500+￥0.7011
5000+￥0.6615

现货最快4小时发货

广东仓: 2515

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道耐压:40V 电流:45A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239041

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V

描述P沟道,-40V,-50A,13mΩ@-10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1556

5+￥2.3079
50+￥1.8291
150+￥1.6239
500+￥1.199
2500+￥1.085
5000+￥1.0165

现货最快4小时发货

广东仓: 1550

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

1个P沟道耐压:60V 电流:8A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5162371

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 52mΩ@10V,6A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1219

1+￥2.5
10+￥1.98
30+￥1.75
100+￥1.47
500+￥1.29
1000+￥1.21

现货最快4小时发货

广东仓: 1219

江苏仓: 2

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个P沟道耐压:60V 电流:195A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465379

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 195A

导通电阻(RDS(on)): 6.2mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存484

1+￥6.67
10+￥5.4
30+￥4.76
100+￥4.13
500+￥3.61
800+￥3.42

现货最快4小时发货

广东仓: 481

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

1个N沟道耐压:100V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396093

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 140mΩ@10V

描述GT1003A采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于高频同步整流应用。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3315

10+￥0.4797
100+￥0.3885
300+￥0.3429
3000+￥0.2669
6000+￥0.2395
9000+￥0.2258

现货最快4小时发货

广东仓: 3090

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交31单

1个P沟道耐压:100V 电流:12A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465396

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 178mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2275

5+￥1.1994
50+￥0.9373
150+￥0.825
500+￥0.6848
2500+￥0.6224
5000+￥0.585

现货最快4小时发货

广东仓: 2215

江苏仓: 15

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道耐压:100V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239048

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 210mΩ@10V

描述带ESD 摩托车/电动车led车灯用

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2859

5+￥0.7003
50+￥0.5563
150+￥0.4843
500+￥0.4303
3000+￥0.3706
6000+￥0.349

现货最快4小时发货

广东仓: 2845

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

2个P沟道耐压:12V 电流:16A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239038

数量: 2个P沟道

漏源电压(Vdss): 12V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@4.5V；21mΩ@2.5V

描述双P沟道,-12V,-16A,21mΩ@-4.5V

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对比

SMT扩展库

5+￥1.2828
50+￥1.1148
150+￥1.0428
500+￥0.923
2500+￥0.883

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2915

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

1个P沟道耐压:30V 电流:16A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2840767

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1008

5+￥1.5252
50+￥1.2379
150+￥1.1148
500+￥0.9612
2500+￥0.7051
5000+￥0.6641

现货最快4小时发货

广东仓: 1000

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

2个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038570

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

描述G20N06D52采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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对比

SMT扩展库

5+￥1.5286
50+￥1.327
150+￥1.2406
500+￥1.1328
2500+￥1.0848
5000+￥1.056

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2205

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42378539

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V

描述类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-80A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5mΩ@10V 6.7mΩ@4.5V @@封装：TO-252

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SMT补贴嘉立创库存1875

5+￥1.8773
50+￥1.4741
150+￥1.3013
500+￥1.0857

现货最快4小时发货

广东仓: 1875

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个P沟道耐压:30V 电流:4.2A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239055

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.2A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@10V

描述P管，-30V,-4.2A,50mΩ@-10V,64mΩ@-4.5V

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SMT补贴嘉立创库存3712

10+￥0.273
100+￥0.2154
300+￥0.1866
3000+￥0.1532
6000+￥0.1359
9000+￥0.1272

现货最快4小时发货

广东仓: 3710

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交37单

1个N沟道耐压:40V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19673797

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V

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SMT补贴嘉立创库存4064

10+￥0.3426
100+￥0.2706
300+￥0.2346
3000+￥0.1937
6000+￥0.1721
12000+￥0.1613

现货最快4小时发货

广东仓: 4050

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单