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PCB/SMT 工业品

GOFORD(谷峰)

进入品牌官网

深圳市谷峰电子有限公司（GOFORD SEMICONDUCTOR）成立于1995年，总部位于香港，是一家国家高新技术企业。主要生产半导体功率元器件。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 电压基准芯片
多选
封装
- TO-252
- TO-220
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(5x6)
- TO-263
- DFN-8(3x3)
- TO-220F
- TOLL-8L
- SOT-23-6
- TO-247
- DFN-6(2x2)
- TO-251
- SOT-223
- TO-92
- SOT-89
- SMD-8P
- TO-252-4
- TO-263-6
- DFN(3x3)
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数614

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:60V 电流:65A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038565

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1900

1+￥3.73
10+￥3
30+￥2.64
100+￥2.28
500+￥1.97
1000+￥1.86

现货最快4小时发货

广东仓: 1880

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道耐压:200V 电流:1.7A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2840756

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 1.7A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4929

5+￥1.0814
50+￥0.8647
150+￥0.7718
500+￥0.6559
3000+￥0.5375
6000+￥0.5066

现货最快4小时发货

广东仓: 4885

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交57单

N沟道增强型功率MOSFET 2个N沟道耐压:60V 电流:40A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038568

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥2.6
10+￥2.31
30+￥2.19
100+￥2.03
500+￥1.65
1000+￥1.61

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3186

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

1个N沟道耐压:100V 电流:55A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038566

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4778

1+￥2.7
10+￥2.12
30+￥1.88
100+￥1.57
500+￥1.43
1000+￥1.34

现货最快4小时发货

广东仓: 4778

江苏仓: 47

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

P沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2840765

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V；20mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4073

5+￥1.2317
50+￥0.9797
150+￥0.8717
500+￥0.7369
2500+￥0.5845
4000+￥0.5485

现货最快4小时发货

广东仓: 4010

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道耐压:40V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239051

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V

描述P沟道,-40V,-5.3A,85mΩ@-10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3398

5+￥0.5495
50+￥0.4487
150+￥0.3983
500+￥0.3605
3000+￥0.2715
6000+￥0.2563

现货最快4小时发货

广东仓: 3395

江苏仓: 2420

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交57单

1个P沟道耐压:60V 电流:65A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5162368

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1454

1+￥3.85
10+￥3.17
30+￥2.83
100+￥2.49
500+￥1.95
1000+￥1.85

现货最快4小时发货

广东仓: 1430

江苏仓: 2

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交52单

1个P沟道耐压:60V 电流:195A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465379

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 195A

导通电阻(RDS(on)): 6.2mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存720

1+￥6.67
10+￥5.4
30+￥4.76
100+￥4.13
500+￥3.61
800+￥3.42

现货最快4小时发货

广东仓: 700

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

1个N沟道耐压:40V 电流:62A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5258963

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 62A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@4.5V,20A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4251

5+￥1.2185
50+￥1.0526
150+￥0.9815
500+￥0.8927
2500+￥0.8532
5000+￥0.8295

现货最快4小时发货

广东仓: 4225

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交31单

1个N沟道耐压:60V 电流:45A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3288300

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1969

5+￥2.2557
50+￥1.7769
150+￥1.5717
500+￥1.3157
2500+￥1.1542
5000+￥1.0857

现货最快4小时发货

广东仓: 1965

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

1个P沟道耐压:60V 电流:103A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465401

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 103A

导通电阻(RDS(on)): 5.9mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存511

1+￥7.03
10+￥5.86
30+￥5.22
100+￥4.49
500+￥3.62
1000+￥3.47

现货最快4小时发货

广东仓: 479

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

1个N沟道耐压:100V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396093

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 140mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5661

10+￥0.4797
100+￥0.3885
300+￥0.3429
3000+￥0.2669
6000+￥0.2395
9000+￥0.2258

现货最快4小时发货

广东仓: 4430

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42378550

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V,8A

描述类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：40V/-40V@@连续漏极电流(Id)：8A/-7A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V/-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：15mΩ/28mΩ@10V 20mΩ/36mΩ@4.5V @@封装：SOP-8 Dual

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对比

8.5折

5+￥0.48688
50+￥0.38488
150+￥0.33388
500+￥0.29563
2500+￥0.26503
4000+￥0.24973

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4000

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

1个N沟道耐压:200V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C224101

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 580mΩ@10V

描述LED无级调光驱动用

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2938

1+￥1.4214
10+￥1.1338
30+￥1.0105
100+￥0.8568
500+￥0.7883
1000+￥0.6559

现货最快4小时发货

广东仓: 2817

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道耐压:40V 电流:45A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239041

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V

描述P沟道,-40V,-50A,13mΩ@-10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1811

5+￥2.3079
50+￥1.8291
150+￥1.6239
500+￥1.199
2500+￥1.085
5000+￥1.0165

现货最快4小时发货

广东仓: 1755

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

1个N沟道耐压:200V 电流:1.5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-6L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465412

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 1.5A

导通电阻(RDS(on)): 470mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存790

8.5折

10+￥0.331075
100+￥0.261715
300+￥0.227035
3000+￥0.201025
6000+￥0.1802
9000+￥0.16983

现货最快4小时发货

广东仓: 790

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

1个P沟道耐压:100V 电流:12A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465396

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 178mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2425

5+￥1.2202
50+￥0.9582
150+￥0.8458
500+￥0.7057
2500+￥0.6433
5000+￥0.6058

现货最快4小时发货

广东仓: 2400

江苏仓: 15

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个P沟道耐压:80V 电流:16A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5162395

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V,2A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1139

1+￥2.44
10+￥1.91
30+￥1.68
100+￥1.4
500+￥1.2
1000+￥1.13

现货最快4小时发货

广东仓: 1119

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

N沟道耐压:90V 电流:2A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22362810

漏源电压(Vdss): 90V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.3W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3000

8.5折

20+￥0.140675
200+￥0.108545
600+￥0.090695
3000+￥0.084745
9000+￥0.075395
21000+￥0.070465

现货最快4小时发货

广东仓: 3000

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

耐压:100V 电流:5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22362809

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 3.3W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存745

8.5折

20+￥0.150195
200+￥0.115855
600+￥0.096815
3000+￥0.09044
12000+￥0.080495
18000+￥0.075225

现货最快4小时发货

广东仓: 740

江苏仓: 140

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

1个P沟道耐压:20V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C334113

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@4.5V

描述P管，-20V,-3A,开启-0.7V, 64mΩ(typ)@-4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3175

20+￥0.2488
200+￥0.2008
600+￥0.1768
3000+￥0.1428
9000+￥0.1284
21000+￥0.1211

现货最快4小时发货

广东仓: 2360

江苏仓: 140

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:60V 电流:5.5A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396097

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 5.5A

导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1787

5+￥0.5638
50+￥0.4569
150+￥0.4035
500+￥0.3634
3000+￥0.2837
6000+￥0.2677

现货最快4小时发货

广东仓: 1395

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交31单

N沟道耐压:60V 电流:45A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22362799

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 69W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4005

5+￥0.617
50+￥0.533
150+￥0.497
500+￥0.452
2500+￥0.432

现货最快4小时发货

广东仓: 3980

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

1个P沟道耐压:30V 电流:20A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5258948

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V,5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3403

5+￥0.9176
50+￥0.716
150+￥0.6296
500+￥0.5218
2500+￥0.4738
5000+￥0.445

现货最快4小时发货

广东仓: 3075

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交37单

耐压:190V 电流:3A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239049

漏源电压(Vdss): 190V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 560mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.8W

描述N沟道,190V,3A,540mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2322

5+￥1.119
50+￥0.8922
150+￥0.795
500+￥0.6737
3000+￥0.549
6000+￥0.5166

现货最快4小时发货

广东仓: 1895

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

2个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: DFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3038570

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥1.84
10+￥1.59
30+￥1.49
100+￥1.36
500+￥1.3
1000+￥1.27

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2205

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

1个P沟道耐压:40V 电流:222A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7465406

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 222A

导通电阻(RDS(on)): 2.9mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存424

1+￥4.14
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广东仓: 404

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近期成交9单

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20199892

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@10V

耗散功率(Pd): 198W

描述类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-150V 连续漏极电流(Id)：-35A 阈值电压(Vgs(th))：-4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：65mΩ@10V 封装：TO-252

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近期成交6单

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42378549

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.8A

导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@4.5V

描述类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-20V@@连续漏极电流(Id)：-4.8A@@阈值电压(Vgs(th))：-0.45V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：35mΩ@4.5V 42mΩ@2.5V @@封装：SOT-23

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近期成交2单

P沟道耐压:20V 电流:4A

品牌: GOFORD(谷峰)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22362821

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.4W

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3040

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