
SPS(美国源芯)
进入品牌官网源芯半导体成立于2004年,总部位于美国,专注于IC设计技术与系统设计技术的研发,具备晶圆制程和封装技术的设计能力,能够提供高性能、高品质及高集成度的产品。主要生产DC-DC转换器、电池管理、模拟开关、场效应管和材料电子。
源芯半导体成立于2004年,总部位于美国,专注于IC设计技术与系统设计技术的研发,具备晶圆制程和封装技术的设计能力,能够提供高性能、高品质及高集成度的产品。主要生产DC-DC转换器、电池管理、模拟开关、场效应管和材料电子。
描述P-MOS -40V -10A SOP-8 14mΩ@-10V
SMT扩展库
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交33单
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 160mΩ 1200V TO247-3 IMW120R220M1HXKSA1
30个/管
总额¥0
近期成交1单
描述N-MOS 40V 10A SOP-8 13.8mΩ@4.5V
SMT扩展库
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交18单
描述SiC Schottky Diode 1200V 50A NDSH50120C TO-247-2
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
描述SiC Schottky Diode 650V 40A FFSH3065B-F085 TO-247-2
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
近期成交1单
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 13mΩ 1200V TO247-4L NTH4L014N120M3P
30个/管
总额¥0
描述SiC Schottky Diode 1200V 30A NDSH20120C TO-247-2
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 21mΩ 1200V TO247-3 NTHL022N120M3S
30个/管
总额¥0
近期成交1单
描述SiC Power Single N-Channel 3300V 225A 58mΩ TM330PES78A1&G2R50MT33K TO-247-4
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
描述SiC Schottky Diode 650V 30A FFSH3065A TO-247-2
SMT扩展库
30个/管
总额¥0
近期成交12单
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 15mΩ 650V TO247-4L NTH4L015N065SC1
30个/管
总额¥0
近期成交1单
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 32mΩ 1200V TO247-3 AIMW120R035M1HXKSA1
30个/管
总额¥0
近期成交1单
描述-30V/-5A P-Channel MOSFET 2SJ2355
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交2单
描述SiC Schottky Diode 650V 10A FFSD0665B-F085 TO-252-2
SMT扩展库
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交2单
描述SiC Schottky Diode 650V 16A FFSP1065A TO-220-2
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50个/管
总额¥0
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 60mΩ 650V TO247-3 NTHL075N065SC1
30个/管
总额¥0
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 15mΩ 650V TO247-3 NTHL015N065SC1
30个/管
总额¥0
近期成交1单
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 1000mΩ 1700V TO247-3 NTHL1000N170M1
30个/管
总额¥0
近期成交3单
描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 75mΩ 1200V TO247-3 NTHL070N120M3S
30个/管
总额¥0
近期成交2单