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SPS(美国源芯)

SPS(美国源芯)

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源芯半导体成立于2004年,总部位于美国,专注于IC设计技术与系统设计技术的研发,具备晶圆制程和封装技术的设计能力,能够提供高性能、高品质及高集成度的产品。主要生产DC-DC转换器、电池管理、模拟开关、场效应管和材料电子。

  • 类目
    • 碳化硅场效应管(MOSFET)
    • 碳化硅二极管
    • 场效应管(MOSFET)
    • 压力传感器
    多选
  • 封装
    • TO-247
    • TO-247-2
    • TO-247-4
    • SIP-6
    • SOP-8
    • TO-252
    • SOT-89
    • TO-220-2
    多选
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销量
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自营结果数22
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
SM4485PRL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C350660
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
10A
导通电阻
20mΩ@10V

描述P-MOS -40V -10A SOP-8 14mΩ@-10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3913
  • 2.2074
  • 1.7538
  • 1.5594
  • 1.3168
  • 1.1854
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3880
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3000/圆盘

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近期成交33单

碳化硅场效应管
SC160N120T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493854

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 160mΩ 1200V TO247-3 IMW120R220M1HXKSA1

  • 收藏
  • 对比
  • 25.54
  • 22.11
  • 19.11
  • 17.05
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广东仓
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148

30/

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近期成交1单

1个N沟道 耐压:40V 电流:10A
SM4480PRL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C350659
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
10A
导通电阻
12.5mΩ@10V

描述N-MOS 40V 10A SOP-8 13.8mΩ@4.5V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1136
  • 2.5015
  • 2.0227
  • 1.8175
  • 1.5614
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3000/圆盘

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近期成交18单

1个N沟道 耐压:60V 电流:65A
SM2610ET9RL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5143537
数量
1个N沟道
漏源电压
64V
连续漏极电流
65A
导通电阻
6.8mΩ@10V,40A
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存425
  • 2.75
  • 2.21
  • 1.97
  • 1.68
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405
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2500/圆盘

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近期成交12单

SD5012CTDL
SD5012CTDL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C47416429
正向压降
1.71V@50A
直流反向耐压
1.2kV
反向电流
200uA@1200V
非重复峰值浪涌电流
450A

描述SiC Schottky Diode 1200V 50A NDSH50120C TO-247-2

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SMT扩展库

  • 48.65
  • 42.14
  • 38.17
  • 34.85
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90

30/

总额0

SD4065CTDL
SD4065CTDL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C47416426
整流电流
40A
正向压降
1.48V@40A
直流反向耐压
650V
反向电流
8uA@650V

描述SiC Schottky Diode 650V 40A FFSH3065B-F085 TO-247-2

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SMT扩展库

  • 20.62
  • 17.62
  • 15.75
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88

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近期成交1单

碳化硅场效应管
SC013N120TCL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493859

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 13mΩ 1200V TO247-4L NTH4L014N120M3P

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  • 对比
  • 148.54
  • 135.48
  • 124.69
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30

30/

总额0

SD3012CTDL
SD3012CTDL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C47416428
正向压降
1.45V@30A
直流反向耐压
1.2kV
反向电流
1uA@1200V
非重复峰值浪涌电流
230A

描述SiC Schottky Diode 1200V 30A NDSH20120C TO-247-2

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SMT扩展库

  • 20.51
  • 17.69
  • 16.01
  • 14.32
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90

30/

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碳化硅场效应管
SC021N120T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493860

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 21mΩ 1200V TO247-3 NTHL022N120M3S

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  • 对比
  • 104.58
  • 95.2
  • 87.45
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29

30/

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近期成交1单

SiC Power Single N-Channel 3300V 225A 58mΩ TO-247-4 TM330PES78A1&G2R50MT33K
SC06N330TCL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-4
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C49241609

描述SiC Power Single N-Channel 3300V 225A 58mΩ TM330PES78A1&G2R50MT33K TO-247-4

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SMT扩展库

  • 534.15
  • 509.41
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5

30/

总额0

SD3065CTDL
SD3065CTDL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C47416425
整流电流
30A
正向压降
1.45V@30A
直流反向耐压
650V
反向电流
1uA@650V

描述SiC Schottky Diode 650V 30A FFSH3065A TO-247-2

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SMT扩展库

  • 16.35
  • 13.97
  • 12.49
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78

30/

总额0

近期成交12单

碳化硅场效应管
SC015N065TCL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493857

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 15mΩ 650V TO247-4L NTH4L015N065SC1

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  • 对比
  • 89.8
  • 81.75
  • 75.09
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29

30/

总额0

近期成交1单

碳化硅场效应管
SC032N120T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493861

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 32mΩ 1200V TO247-3 AIMW120R035M1HXKSA1

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  • 对比
  • 71.98
  • 62.87
  • 54.37
现货最快4小时发货
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0
江苏仓
29

30/

总额0

近期成交1单

SM0355S6RL
SM0355S6RL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
SOT-89-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46532101
漏源电压
30V
连续漏极电流
5.5A
导通电阻
90mΩ@4.5V
耗散功率
1.9W

描述-30V/-5A P-Channel MOSFET 2SJ2355

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  • 0.6904
  • 0.6757
  • 0.6659
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185

1000/圆盘

总额0

近期成交2单

SD1065CT9L
SD1065CT9L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-252-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C47416427
整流电流
50A
直流反向耐压
650V
反向电流
1uA@650V
非重复峰值浪涌电流
85A

描述SiC Schottky Diode 650V 10A FFSD0665B-F085 TO-252-2

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SMT扩展库

  • 3.82
  • 3.73
  • 3.68
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0
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96

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

SD1665CTEL
SD1665CTEL
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-220-2
类目
碳化硅二极管
编号
C47416424
整流电流
16A
正向压降
1.55V@16A
直流反向耐压
650V
反向电流
50uA@650V

描述SiC Schottky Diode 650V 16A FFSP1065A TO-220-2

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SMT扩展库

  • 7.6
  • 6.35
  • 5.67
  • 4.9
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100

50/

总额0

碳化硅场效应管
SC060N065T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493856

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 60mΩ 650V TO247-3 NTHL075N065SC1

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  • 39.87
  • 34.62
  • 30.03
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0
江苏仓
30

30/

总额0

碳化硅场效应管
SC015N065T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493858

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 15mΩ 650V TO247-3 NTHL015N065SC1

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  • 85.22
  • 77.58
  • 71.26
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20

30/

总额0

近期成交1单

碳化硅场效应管
SC102N170T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493855

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 1000mΩ 1700V TO247-3 NTHL1000N170M1

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  • 对比
  • 18.79
  • 16.11
  • 13.67
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广东仓
0
江苏仓
19

30/

总额0

近期成交3单

碳化硅场效应管
SC075N120T8L
品牌
SPS(美国源芯)
封装
TO-247-3
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C36493862

描述N-CHANNEL SiC POWER MOSFET 75mΩ 1200V TO247-3 NTHL070N120M3S

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  • 对比
  • 39.38
  • 34.17
  • 29.3
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0
江苏仓
19

30/

总额0

近期成交2单

differential pressure,SIP-6,2 ports,0-10kPa(0-1.45psi),0.2-4.7V Output MPX5010DP
SP5010D1P
品牌
SPS(美国源芯)
封装
SIP-6
类目
压力传感器
编号
C49241610

描述SIP-6 10Kpa 4.75V~5.25V -40℃~+125℃

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SMT扩展库

  • 90.25
  • 86.21
  • 79.2
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广东仓
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江苏仓
10

200/托盘

总额0

differential pressure,SIP-6,2 ports,0-700kPa(0-101.5psi),0.2-4.7V Output MPX5700DP
SP5700D1P
品牌
SPS(美国源芯)
封装
SIP-6
类目
压力传感器
编号
C49241611

描述SIP-6 700Kpa 4.75V~5.25V -40℃~+125℃

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SMT扩展库

  • 100.41
  • 95.91
  • 88.11
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广东仓
0
江苏仓
10

200/托盘

总额0