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首页 > 品牌列表 > SINO-IC(光宇睿芯) >
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上海光宇睿芯微电子有限公司是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,专注于半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售。主要生产半导体过压保护器件和集成电路。
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 105mΩ@4.5V,3A
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V,20A
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    • 连续漏极电流(Id): 900mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 370mΩ@2.5V,0.5A
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 600mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 470mΩ@2.5V,500mA
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    • 类型: 一个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
    • 导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 120V
    • 连续漏极电流(Id): 129A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.4mΩ@10V,60A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 180A
    • 导通电阻(RDS(on)): 6.3mΩ@10V
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 13A
    • 导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@10V,16A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 导通电阻(RDS(on)): 26mΩ@10V,5A
    • 耗散功率(Pd): 80W
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 180A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.5mΩ@10V,40A
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