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PCB/SMT 工业品面板定制

SINO-IC(光宇睿芯)

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光宇睿芯微电子是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，专注于半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售。主要生产半导体过压保护器件和集成电路。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 肖特基二极管
- 稳压二极管
- 三极管(BJT)
- 半导体放电管(TSS)
- 开关二极管
- LED保护
- 数字晶体管
多选
封装
- SOT-23(TO-236)
- SOD-323(SC-90)
- TO-220
- TO-252
- TO-263
- SOD-523(SC-79)
- SOP-8
- SMB(DO-214AA)
- TO-247
- DFN-8(3x3)
- SMA(DO-214AC)
- SOT-323(SC-70)
- TO-220F
- DFN-8(5x6)
- SMC(DO-214AB)
- DFN-6(2x2)
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOD-123
- SOT-363
- SOD-923
多选

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数据手册

自营结果数233

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作

双向ESD 5V截止

TVSS5VCES-02GP-J

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355254

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

峰值脉冲功率(Ppp): 200W@8/20us

击穿电压: 7.8V

描述TVSS5VCES - 02GP - J 旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21K+

20+￥0.1792
200+￥0.1357
600+￥0.1116
3000+￥0.0936
9000+￥0.081
21000+￥0.0742

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

江苏仓: 2020

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交79单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:150A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238629

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 2.1mΩ@4.5V,25A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

5+￥2.3401
50+￥1.8581
150+￥1.6515
500+￥1.3937
2500+￥1.0827
5000+￥1.0138

现货最快4小时发货

广东仓: 15K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交26单

1个N沟道耐压:60V 电流:3A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-251

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C417334

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 125mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,3A,85mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4466

5+￥0.6987
50+￥0.6042
150+￥0.5637
500+￥0.5131
2500+￥0.4906
5000+￥0.4771

现货最快4小时发货

广东仓: 4465

江苏仓: 20K+

80个/管

个

总额￥0

近期成交10单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:80A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238667

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5359

5+￥1.0621
50+￥0.8353
150+￥0.7381
500+￥0.6168
2500+￥0.5313
5000+￥0.4989

现货最快4小时发货

广东仓: 4910

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交36单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:40V 电流:60A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238672

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 9.5mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6343

5+￥2.0753
50+￥1.6217
150+￥1.4273
500+￥1.1847
2500+￥1.0767
5000+￥1.0119

现货最快4小时发货

广东仓: 6200

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

P沟道耐压:20V 电流:0.9A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2920967

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 900mA

导通电阻(RDS(on)): 400mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 250mW

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存30K+

20+￥0.1377
200+￥0.1215
600+￥0.1124
3000+￥0.0926
9000+￥0.0879
21000+￥0.0854

现货最快4小时发货

广东仓: 30K+

江苏仓: 1960

3000个/圆盘

个

总额￥0

1个P沟道耐压:40V 电流:20A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396091

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 32mΩ@10V

描述P沟道 -40V -20A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4268

5+￥1.1146
50+￥0.8727
150+￥0.769
500+￥0.6396
2500+￥0.5795
5000+￥0.545

现货最快4小时发货

广东仓: 4220

江苏仓: 40

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

NPN 电流:500mA 电压:25V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C393128

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

50+￥0.1161
500+￥0.0891
3000+￥0.0741
6000+￥0.0651
24000+￥0.0573
51000+￥0.053

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 2400

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

PNP 电流:1500mA 电压:30V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C393132

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 30V

耗散功率(Pd): 625mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8787

20+￥0.1749
200+￥0.1371
600+￥0.1161
3000+￥0.0911
9000+￥0.0801
21000+￥0.0742

现货最快4小时发货

广东仓: 8760

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

LED开路保护器件

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMA

类目: LED保护

编号: C730095

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3267

5+￥0.605
50+￥0.527
150+￥0.488
500+￥0.4587
2500+￥0.4353
5000+￥0.4236

现货最快4小时发货

广东仓: 3265

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道耐压:40V 电流:60A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238671

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 9.5mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1646

5+￥2.3887
50+￥1.8948
150+￥1.6831
500+￥1.2368
2500+￥1.1192
5000+￥1.0486

现货最快4小时发货

广东仓: 1620

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

双向ESD 5V截止

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355245

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

峰值脉冲功率(Ppp): 350W@8/20us

击穿电压: 10.2V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5874

20+￥0.2433
200+￥0.192
600+￥0.1635
3000+￥0.1464
9000+￥0.1315
21000+￥0.1235

现货最快4小时发货

广东仓: 5840

江苏仓: 20

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:45V 电流:56A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238624

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 45V

连续漏极电流(Id): 56A

导通电阻(RDS(on)): 9.5mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2480

5+￥1.9463
50+￥1.5331
150+￥1.3559
500+￥1.1349
2500+￥1.0144
5000+￥0.9553

现货最快4小时发货

广东仓: 2480

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

N沟道耐压:650V 电流:18A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2920979

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@10V

耗散功率(Pd): 156W

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存986

1+￥4.73
10+￥4.25
50+￥3.53
100+￥3.29
500+￥3.15
1000+￥3.08

现货最快4小时发货

广东仓: 986

江苏仓: 951

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

独立式电流:75uA

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 稳压二极管

编号: C355214

二极管配置: 独立式

反向电流(Ir): 75uA

稳压值(范围): 2.57V~2.84V

耗散功率(Pd): 200mW

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6335

20+￥0.2063
200+￥0.1615
600+￥0.1366
3000+￥0.1182
9000+￥0.1052
21000+￥0.0982

现货最快4小时发货

广东仓: 6320

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-30V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252-2(DPAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238706

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V

描述高密度单元设计，实现超低导通电阻、完全表征的雪崩电压和电流、改进的直通 FOM、简单的驱动要求；小封装外形；表面贴装器件

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1860

5+￥1.6497
50+￥1.4502
150+￥1.3647
500+￥1.2581
3000+￥1.1353
6000+￥1.1068

现货最快4小时发货

广东仓: 1860

江苏仓: 2440

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

MOSFET

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19631229

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 2.5mΩ@45V

耗散功率(Pd): 187W

描述SE30150G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5000

5+￥2.3231
50+￥1.8241
150+￥1.6103
500+￥1.3435
2500+￥1.2247
5000+￥1.1534

现货最快4小时发货

广东仓: 5000

江苏仓: 400

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

N沟道增强型MOSFET 2个N沟道耐压:30V 电流:80A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(5.2x5.6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238670

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2968

5+￥2.3664
50+￥1.8725
150+￥1.6608
500+￥1.3967
2500+￥1.1027
5000+￥1.0321

现货最快4小时发货

广东仓: 2960

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:100V 电流:70A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396083

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 9.8mΩ@10V

描述N沟道 100V 70A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1112

1+￥3.15
10+￥2.45
30+￥2.15
100+￥1.77
500+￥1.58
1000+￥1.48

现货最快4小时发货

广东仓: 1109

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

1个N沟道耐压:120V 电流:129A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C393145

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 129A

导通电阻(RDS(on)): 6.1mΩ@10V

描述N沟道 120V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31

1+￥5.72
10+￥5.18
50+￥4.69
100+￥4.35
500+￥4.2
1000+￥4.14

现货最快4小时发货

广东仓: 31

江苏仓: 656

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

SEZ52C3V9

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 稳压二极管

编号: C5116040

反向电流(Ir): 10uA

稳压值(范围): 3.71V~4.1V

耗散功率(Pd): 200mW

阻抗(Zzt): 95Ω

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对比

SMT扩展库

20+￥0.0721
200+￥0.0705
600+￥0.0695
2000+￥0.0684

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 7960

8000个/圆盘

个

总额￥0

小信号MOSFET

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-523

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5116037

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 600mA

导通电阻(RDS(on)): 470mΩ@2.5V,500mA

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9703

20+￥0.1968
200+￥0.154
600+￥0.1303
3000+￥0.1128
9000+￥0.1004
21000+￥0.0937

现货最快4小时发货

广东仓: 9700

江苏仓: 2720

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

互补增强模式场效应晶体管 1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:4.2A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SO-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238650

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.2A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4763

10+￥0.3365
100+￥0.2965
300+￥0.2765
1000+￥0.2615
4000+￥0.241
8000+￥0.235

现货最快4小时发货

广东仓: 4760

江苏仓: 3970

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

双向TVS 33V截止峰值浪涌电流：11.3A@10/1000us

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMB

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355278

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 33V

钳位电压: 53.3V

峰值脉冲电流(Ipp): 11.3A@10/1000us

描述SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2969

5+￥0.3554
50+￥0.3121
150+￥0.2904
500+￥0.2742
3000+￥0.2612
6000+￥0.2547

现货最快4小时发货

广东仓: 2950

江苏仓: 2995

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道耐压:30V 电流:12A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238703

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3001

5+￥1.0718
50+￥0.8308
150+￥0.7276
500+￥0.5987
2500+￥0.5413
5000+￥0.5069

现货最快4小时发货

广东仓: 2995

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

双向TVS 64V截止峰值浪涌电流：48.5A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMC(DO-214AB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C417337

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 64V

钳位电压: 103V

峰值脉冲电流(Ipp): 48.5A

描述VBR=71.1V,Vc=103V,Ipp=48.5A,单向

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1261

1+￥2.17
10+￥1.92
30+￥1.81
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近期成交23单

TVS 40V截止峰值浪涌电流：77.5A@10/1000us

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMC(DO-214AB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355279

反向截止电压(Vrwm): 40V

钳位电压: 64.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 77.5A@10/1000us

峰值脉冲功率(Ppp): 5kW@10/1000us

描述这款贴片二极管适用于保护应用电路。 - 出色的钳位能力

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SMT补贴嘉立创库存2381

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近期成交19单

双向TVS 85V截止峰值浪涌电流：36.5A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMC(DO-214AB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2920974

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 85V

钳位电压: 137V

峰值脉冲电流(Ipp): 36.5A

描述这款贴片二极管适用于保护应用电路。 - 出色的钳位能力

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1+￥5.18
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N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:150V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238602

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@10V

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SMT补贴嘉立创库存307

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近期成交4单

TVS 5V截止

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C19631222

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 6V

峰值脉冲功率(Ppp): 200W@8/20us

击穿电压: 7.1V

描述SESD5Z 系列旨在保护电压敏感器件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。

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SMT补贴嘉立创库存2960

20+￥0.1711
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近期成交24单