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PCB/SMT 工业品

SINO-IC(光宇睿芯)

进入品牌官网

上海光宇睿芯微电子有限公司是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，专注于半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售。主要生产半导体过压保护器件和集成电路。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 肖特基二极管
- 稳压二极管
- 三极管(BJT)
- 半导体放电管(TSS)
- 开关二极管
- LED保护
- 数字晶体管
多选
封装
- SOT-23(TO-236)
- SOD-323(SC-90)
- TO-220
- TO-252
- TO-263
- SOD-523(SC-79)
- SOP-8
- SMB(DO-214AA)
- TO-247
- DFN-8(3x3)
- SMA(DO-214AC)
- SOT-323(SC-70)
- TO-220F
- DFN-8(5x6)
- SMC(DO-214AB)
- DFN-6(2x2)
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOD-123
- SOT-363
- SOD-923
多选

综合排序

价格

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折扣

数据手册

自营结果数233

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

双向ESD 5V截止

TVSS5VCES-02GP-J

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355254

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

峰值脉冲功率(Ppp): 200W@8/20us

击穿电压: 7.8V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+

20+￥0.1792
200+￥0.1357
600+￥0.1116
3000+￥0.0936
9000+￥0.081
21000+￥0.0742

现货最快4小时发货

广东仓: 25K+

江苏仓: 2340

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交59单

1个N沟道耐压:100V 电流:70A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396083

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 9.8mΩ@10V

描述N沟道 100V 70A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9628

1+￥3.15
10+￥2.45
30+￥2.15
100+￥1.77
500+￥1.58
1000+￥1.48

现货最快4小时发货

广东仓: 9148

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

1个N沟道耐压:60V 电流:3A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-251

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C417334

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 125mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,3A,85mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5103

5+￥0.6987
50+￥0.6042
150+￥0.5637
500+￥0.5131
2500+￥0.4906
5000+￥0.4771

现货最快4小时发货

广东仓: 5100

江苏仓: 20K+

80个/管

个

总额￥0

近期成交7单

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396090

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

描述N沟道 60V 20A

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥1.063
50+￥0.8362
150+￥0.739
500+￥0.6177
2500+￥0.5354
5000+￥0.503

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 9990

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:40V 电流:60A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238672

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 9.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4653

5+￥2.0753
50+￥1.6217
150+￥1.4273
500+￥1.1847
2500+￥1.0767
5000+￥1.0119

现货最快4小时发货

广东仓: 4605

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

1个N沟道耐压:40V 电流:60A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238671

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 9.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3368

5+￥2.3887
50+￥1.8948
150+￥1.6831
500+￥1.2368
2500+￥1.1192
5000+￥1.0486

现货最快4小时发货

广东仓: 3340

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:80A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238667

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7406

5+￥1.0621
50+￥0.8353
150+￥0.7381
500+￥0.6168
2500+￥0.5313
5000+￥0.4989

现货最快4小时发货

广东仓: 6425

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

P沟道耐压:20V 电流:0.9A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2920967

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 900mA

导通电阻(RDS(on)): 400mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 250mW

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存30K+

20+￥0.1377
200+￥0.1215
600+￥0.1124
3000+￥0.0926
9000+￥0.0879
21000+￥0.0854

现货最快4小时发货

广东仓: 30K+

江苏仓: 1960

3000个/圆盘

个

总额￥0

1个P沟道耐压:40V 电流:20A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C396091

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 32mΩ@10V

描述P沟道 -40V -20A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存849

5+￥1.0957
50+￥0.8538
150+￥0.7501
500+￥0.6208
2500+￥0.5607
5000+￥0.5261

现货最快4小时发货

广东仓: 445

江苏仓: 4730

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

1个P沟道耐压:100V 电流:13A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238707

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4088

5+￥1.9734
50+￥1.5298
150+￥1.3398
500+￥1.1026
2500+￥0.997
5000+￥0.9336

现货最快4小时发货

广东仓: 4060

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:150V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238602

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存808

1+￥15.94
10+￥13.79
30+￥12.45
100+￥8.92
500+￥8.3
800+￥8.03

现货最快4小时发货

广东仓: 788

江苏仓: 59

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:150A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238629

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 2.1mΩ@4.5V,25A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2541

5+￥2.3979
50+￥1.9039
150+￥1.6923
500+￥1.4281
2500+￥1.1094
5000+￥1.0388

现货最快4小时发货

广东仓: 2170

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交26单

NPN 电流:500mA 电压:25V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C393128

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

50+￥0.1161
500+￥0.0891
3000+￥0.0741
6000+￥0.0651
24000+￥0.0573
51000+￥0.053

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 2400

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

LED开路保护器件

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMA

类目: LED保护

编号: C730095

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3429

5+￥0.6146
50+￥0.5366
150+￥0.4976
500+￥0.4684
2500+￥0.445
5000+￥0.4333

现货最快4小时发货

广东仓: 3415

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

N沟道增强型MOSFET 2个N沟道耐压:30V 电流:80A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(5.2x5.6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238670

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2983

5+￥2.3664
50+￥1.8725
150+￥1.6608
500+￥1.3967
2500+￥1.1027
5000+￥1.0321

现货最快4小时发货

广东仓: 2955

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

双向TVS 64V截止峰值浪涌电流：48.5A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMC(DO-214AB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C417337

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 64V

钳位电压: 103V

峰值脉冲电流(Ipp): 48.5A

描述VBR=71.1V,Vc=103V,Ipp=48.5A,单向

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1795

1+￥2.17
10+￥1.92
30+￥1.81
100+￥1.68
500+￥1.44
1000+￥1.4

现货最快4小时发货

广东仓: 1775

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

TVS 40V截止峰值浪涌电流：77.5A@10/1000us

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMC(DO-214AB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355279

反向截止电压(Vrwm): 40V

钳位电压: 64.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 77.5A@10/1000us

峰值脉冲功率(Ppp): 5kW@10/1000us

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2381

1+￥2.65
10+￥2.38
30+￥2.25
100+￥2.11
500+￥1.79
1000+￥1.75

现货最快4小时发货

广东仓: 2361

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

N沟道耐压:650V 电流:18A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2920979

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@10V

耗散功率(Pd): 156W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存986

1+￥4.73
10+￥4.25
50+￥3.53
100+￥3.29
500+￥3.15
1000+￥3.08

现货最快4小时发货

广东仓: 986

江苏仓: 871

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道耐压:100V 电流:150A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C476674

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 3.81mΩ@10V,100A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存535

1+￥8.01
10+￥6.63
30+￥5.86
100+￥5
500+￥4.62
800+￥4.45

现货最快4小时发货

广东仓: 535

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

双向ESD 5V截止

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355245

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

峰值脉冲功率(Ppp): 350W@8/20us

击穿电压: 10.2V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6049

20+￥0.2287
200+￥0.1774
600+￥0.1489
3000+￥0.1318
9000+￥0.117
21000+￥0.109

现货最快4小时发货

广东仓: 5940

江苏仓: 20

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-30V

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-252-2(DPAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238706

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1884

5+￥1.6497
50+￥1.4502
150+￥1.3647
500+￥1.2581
3000+￥1.1353
6000+￥1.1068

现货最快4小时发货

广东仓: 1880

江苏仓: 2440

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

TVS 5V截止

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C19631222

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 6V

峰值脉冲功率(Ppp): 200W@8/20us

击穿电压: 7.1V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6280

20+￥0.1711
200+￥0.1333
600+￥0.1123
3000+￥0.0997

现货最快4小时发货

广东仓: 6280

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

独立式电流:75uA

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 稳压二极管

编号: C355214

二极管配置: 独立式

反向电流(Ir): 75uA

稳压值(范围): 2.57V~2.84V

耗散功率(Pd): 200mW

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6335

20+￥0.2063
200+￥0.1615
600+￥0.1366
3000+￥0.1182
9000+￥0.1052
21000+￥0.0982

现货最快4小时发货

广东仓: 6320

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

双向TVS 33V截止峰值浪涌电流：11.3A@10/1000us

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SMB

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355278

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 33V

钳位电压: 53.3V

峰值脉冲电流(Ipp): 11.3A@10/1000us

描述SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2969

5+￥0.3554
50+￥0.3121
150+￥0.2904
500+￥0.2742
3000+￥0.2612
6000+￥0.2547

现货最快4小时发货

广东仓: 2915

江苏仓: 2995

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道耐压:30V 电流:12A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C238703

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3269

5+￥1.076
50+￥0.8341
150+￥0.7304
500+￥0.601
2500+￥0.5434
5000+￥0.5089

现货最快4小时发货

广东仓: 3055

江苏仓: 280

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

MOSFET

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: DFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19631229

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5000

5+￥2.3231
50+￥1.8241
150+￥1.6103
500+￥1.3435
2500+￥1.2247
5000+￥1.1534

现货最快4小时发货

广东仓: 4810

江苏仓: 400

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:120V 电流:129A

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C393145

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 129A

导通电阻(RDS(on)): 6.1mΩ@10V

描述N沟道 120V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31

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近期成交3单

TVS 12V截止

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355232

反向截止电压(Vrwm): 12V

峰值脉冲功率(Ppp): 200W@8/20us

击穿电压: 15V

反向电流(Ir): 1uA

描述SESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存13

20+￥0.1161
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近期成交4单

TVS 6V截止

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C355218

反向截止电压(Vrwm): 6V

击穿电压: 7.9V

反向电流(Ir): 1uA

工作温度: -40℃~+125℃

描述SESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。

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SMT补贴嘉立创库存1471

20+￥0.1628
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江苏仓: 2600

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近期成交29单

N MOSFET

品牌: SINO-IC(光宇睿芯)

封装: SOT-523

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5116037

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 600mA

导通电阻(RDS(on)): 470mΩ@2.5V,500mA

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SMT补贴嘉立创库存9713

20+￥0.1968
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江苏仓: 2720

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近期成交12单