
PUYA(普冉)
进入品牌官网普冉半导体(上海)股份有限公司是一家位于上海张江高科技园区的技术创新型半导体设计公司,在深圳设有销售和现场应用服务与支持中心。主要生产低功耗SPI NOR Flash存储器芯片和高可靠性IC EEPROM存储器芯片。
普冉半导体(上海)股份有限公司是一家位于上海张江高科技园区的技术创新型半导体设计公司,在深圳设有销售和现场应用服务与支持中心。主要生产低功耗SPI NOR Flash存储器芯片和高可靠性IC EEPROM存储器芯片。
描述MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
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描述MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
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描述PY32F002B系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入24Kbytes Flash和3Kbytes SRAM存储器,最高工作频率24MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述PY32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达32Kbytes flash和4Kbytes SRAM存储器,最高工作频率32MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述PY32F002B 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM® Cortex-M0+ 内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入 24 Kbytes Flash 和 3 Kbytes SRAM 存储器,最高工作频率 24 MHz。包含多种不同封装类型产品。
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描述PY32F002B系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入24Kbytes Flash和3Kbytes SRAM存储器,最高工作频率24MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述P24C02A是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM,具有256 x 8位的存储阵列,支持页写模式和部分页写。工作电压范围为1.6V至5.5V,工作温度范围为-40°C至85°C。
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描述MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
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描述PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述P24C256B是一款I2C兼容的串行EEPROM,具有低功耗CMOS技术,支持单电源电压和高速模式。其最低工作电压可低至1.7V,时钟频率在2.5V到5.5V之间可达1MHz,在1.7V到5.5V之间可达400kHz。该设备具有64字节页写模式,自定时写周期(最大5ms),高可靠性,1百万次写周期寿命和100年的数据保留时间。
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描述MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
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描述PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述32 位 ARM Cortex -M0+内核;嵌入高达 32Kbytes flash 和 4Kbytes SRAM 存储器,芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,5 个 16bit 定时器,以及 2 路比较器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用
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描述PY32F002B系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入24Kbytes Flash和3Kbytes SRAM存储器,最高工作频率24MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述PY32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达32Kbytes flash和4Kbytes SRAM存储器,最高工作频率32MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
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描述MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
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描述32 位 ARM Cortex -M0+内核;嵌入高达 32Kbytes flash 和 4Kbytes SRAM 存储器,芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,5 个 16bit 定时器,以及 2 路比较器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用
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