Everspin
进入品牌官网Everspin技术公司总部位于美国亚利桑那州Chandler，是设计、制造和商业化运输离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的全球领导者。该公司已部署超过7000万件MRAM和ST-MRAM产品。主要生产：磁阻RAM（MRAM）、自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。
- 类目
- 随机存取存储器(RAM)
- EEPROM
多选 - 封装
- DFN-8(5x6)
- BGA-24(6x8)
- TSOP-442
- BGA-48(8x8)
- TSOPII-54
- BGA-48(10x10)
- DFN-8(6x8)
- SOP-32
- SOP-16
- TSOPII-44
- -
- BGA-96(10x13)
- BGA-48
- DFN-8_5X6
- TSOP-44
多选
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自营结果数232
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
描述MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟
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描述MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说，它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制
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描述MR256D08B是一款262,144位的磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为32,768个8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08B提供与SRAM兼容的45ns读写时序，且具有无限的耐久性
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描述基于磁阻技术的SRAM存储器（MRAM），容量：4Mb (256K x 16)
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- SPI
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- 128Kbit
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述MR25H128A是一款128Kbit的磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为16384个8位字。MR25H128A提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件的读写操作均可在存储器中随机进行，写入操作之间无延迟
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- 接口类型
- SPI
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 4Mbit
描述MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说，它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制
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- MRAM
- 存储容量
- 4Mbit
- 工作电压
- 3V~3.6V
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- SPI
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 256Kbit
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