温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 品牌列表 > VBsemi(微碧半导体) >

全部商品分类

VBsemi(微碧半导体)

网址： http://www.vbsemi.tw/

微碧半导体成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，也是行业内最值得信赖的电子元器件制造商之一。公司产品覆盖广泛，涵盖各电压硅基MOSFET、SiC MOSFET、SGT MOSFET与IGBT等等，公司具有晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持等解决方案提供，销售办事处位于中国特区深圳，企业研发总部位于中国台湾新竹。公司依托优异的产品性能、可靠的供应链和质量管控，专注于消费、汽车和工业等终端市场。

展示更多介绍

类目：

封装：

TO-252 (2143)

SOP-8 (1757)

SOT-23(TO-236) (1485)

TO-220 (1423)

TO-263 (890)

TO-220F (773)

TO-247 (494)

DFN-8(5x6) (356)

包装：

编带 (7173)

管装 (3910)

标签：

尚未支持 (8286)

smt扩展库 (2797)

嘉立创smt可贴 (2797)

aec-q101 (1)

收起更多筛选条件

综合排序价格库存销量

清空

现货最快4小时发折扣

共 11083 件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

9.5折 VB2658 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-23 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 3.8A 导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@10V,3.2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C480921 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2335) SMT扩展库 9.5 折 5+: 50+: 150+: 500+: 3000+: 6000+: 折后价￥1.653475 ￥1.299125 ￥1.147315 ￥0.95779 ￥0.845025 ￥0.79439 原价￥1.7405 ￥1.3675 ￥1.2077 ￥1.0082 ￥0.8895 ￥0.8362 5+: ￥1.653475 50+: ￥1.299125 150+: ￥1.147315 500+: ￥0.95779 3000+: ￥0.845025 6000+: ￥0.79439 现货最快4H发广东仓: 1540 江苏仓: 5200 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交63单已加购


查看更多渠道点击收起

9.5折 VBE5415 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-4 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V,38A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C480957 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存7989) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.971 ￥3.249 ￥2.8785 ￥2.527 ￥2.09 ￥1.976 原价￥4.18 ￥3.42 ￥3.03 ￥2.66 ￥2.2 ￥2.08 1+: ￥3.971 10+: ￥3.249 30+: ￥2.8785 100+: ￥2.527 500+: ￥2.09 1000+: ￥1.976 现货最快4H发广东仓: 5556 江苏仓: 2059 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交24单已加购
VBE5415 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-4 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 20000+: ￥1.8673 支付后4-6工作日剩余库存: 20000 批次: 24+ 个个圆盘总额: ￥37346


查看更多渠道点击收起

8.5折 FDS9945-NL-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 耗散功率(Pd): 4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558131 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2880) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.159 ￥1.904 ￥1.785 ￥1.6575 ￥1.581 ￥1.547 原价￥2.54 ￥2.24 ￥2.1 ￥1.95 ￥1.86 ￥1.82 1+: ￥2.159 10+: ￥1.904 30+: ￥1.785 100+: ￥1.6575 500+: ￥1.581 1000+: ￥1.547 现货最快4H发广东仓: 2846 江苏仓: 3470 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


查看更多渠道点击收起

9.5折 VBI2658 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-89-3 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 4.8A 导通电阻(RDS(on)): 58mΩ@10V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C416322 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存141) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.4035 ￥1.9095 ￥1.7005 ￥1.4345 ￥1.2255 ￥1.1495 原价￥2.53 ￥2.01 ￥1.79 ￥1.51 ￥1.29 ￥1.21 1+: ￥2.4035 10+: ￥1.9095 30+: ￥1.7005 100+: ￥1.4345 500+: ￥1.2255 1000+: ￥1.1495 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2698 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


查看更多渠道点击收起

9.5折 SI4559ADY-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 5.3A 耗散功率(Pd): 2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878842 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.762 ￥3.04 ￥2.6695 ￥2.318 ￥2.014 ￥1.9 原价￥3.96 ￥3.2 ￥2.81 ￥2.44 ￥2.12 ￥2 1+: ￥3.762 10+: ￥3.04 30+: ￥2.6695 100+: ￥2.318 500+: ￥2.014 1000+: ￥1.9 现货最快4H发广东仓: 2110 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 SI4948BEY-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；类型: 2个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 5.3A 耗散功率(Pd): 2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558271 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1664) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.805 ￥2.499 ￥2.3375 ￥2.1845 ￥2.006 ￥1.955 原价￥3.3 ￥2.94 ￥2.75 ￥2.57 ￥2.36 ￥2.3 1+: ￥2.805 10+: ￥2.499 30+: ￥2.3375 100+: ￥2.1845 500+: ￥2.006 1000+: ￥1.955 现货最快4H发广东仓: 1595 江苏仓: 1172 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 FDS6575-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 13A 耗散功率(Pd): 3.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C709967 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2738) SMT扩展库 8.5 折 5+: 50+: 150+: 500+: 2500+: 4000+: 折后价￥1.573265 ￥1.401905 ￥1.32838 ￥1.23675 ￥0.946815 ￥0.922335 原价￥1.8509 ￥1.6493 ￥1.5628 ￥1.455 ￥1.1139 ￥1.0851 5+: ￥1.573265 50+: ￥1.401905 150+: ￥1.32838 500+: ￥1.23675 2500+: ￥0.946815 4000+: ￥0.922335 现货最快4H发广东仓: 2735 江苏仓: 3960 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 IRF7343TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 5.3A 阈值电压(Vgs(th)): 1V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558150 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存4223) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.5415 ￥2.2695 ￥2.1335 ￥1.9975 ￥1.751 ￥1.7085 原价￥2.99 ￥2.67 ￥2.51 ￥2.35 ￥2.06 ￥2.01 1+: ￥2.5415 10+: ￥2.2695 30+: ￥2.1335 100+: ￥1.9975 500+: ￥1.751 1000+: ￥1.7085 现货最快4H发广东仓: 4187 江苏仓: 2612 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

SM4305PSKC-TRG-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 10.5A 耗散功率(Pd): 2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5438963 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2277) SMT扩展库 1+: ￥2.73 10+: ￥2.13 30+: ￥1.88 100+: ￥1.56 500+: ￥1.39 1000+: ￥1.3 现货最快4H发广东仓: 2257 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


查看更多渠道点击收起

SUD50P08-25L-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 12.5A 导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V,12.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C4355071 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存920) SMT扩展库 1+: ￥8.96 10+: ￥7.53 30+: ￥6.74 100+: ￥5.86 500+: ￥5 1000+: ￥4.82 现货最快4H发广东仓: 920 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购
SUD50P08-25L-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 20000+: ￥4.199 支付后4-6工作日剩余库存: 20000 批次: 24+ 个个圆盘总额: ￥83980


查看更多渠道点击收起

8.5折 SI7850DP-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于便携式设备、消费电子、医疗设备等领域。QFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.8V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 15A 耗散功率(Pd): 3.6W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705321 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.499 ￥2.21 ￥2.0655 ￥1.921 ￥1.836 ￥1.7935 原价￥2.94 ￥2.6 ￥2.43 ￥2.26 ￥2.16 ￥2.11 1+: ￥2.499 10+: ￥2.21 30+: ￥2.0655 100+: ￥1.921 500+: ￥1.836 1000+: ￥1.7935 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2510 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


查看更多渠道点击收起

IRF7341TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 耗散功率(Pd): 4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558149 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1589) SMT扩展库 1+: ￥3.55 10+: ￥2.85 30+: ￥2.5 100+: ￥2.16 500+: ￥1.89 1000+: ￥1.79 现货最快4H发广东仓: 1547 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购
IRF7341TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 20000+: ￥1.7114 支付后4-6工作日剩余库存: 20000 批次: 24+ 个个圆盘总额: ￥34228


查看更多渠道点击收起

LR7843-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 35.8A 导通电阻(RDS(on)): 2.3mΩ@10V,38.8A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5137375 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1060) SMT扩展库 1+: ￥6.76 10+: ￥5.5 30+: ￥4.86 100+: ￥4.23 500+: ￥3.57 1000+: ￥3.38 现货最快4H发广东仓: 1059 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交30单已加购
LR7843-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 20000+: ￥3.1111 支付后4-6工作日剩余库存: 20000 批次: 24+ 个个圆盘总额: ￥62222


查看更多渠道点击收起

8.5折 SI4946BEY-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 耗散功率(Pd): 4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878845 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.1165 ￥1.87 ￥1.751 ￥1.6235 ￥1.5555 ￥1.513 原价￥2.49 ￥2.2 ￥2.06 ￥1.91 ￥1.83 ￥1.78 1+: ￥2.1165 10+: ￥1.87 30+: ￥1.751 100+: ￥1.6235 500+: ￥1.5555 1000+: ￥1.513 现货最快4H发广东仓: 2409 江苏仓: 3297 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 AO4423-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 13.5A 耗散功率(Pd): 2.7W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C693329 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1625) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.193 ￥1.9295 ￥1.819 ￥1.683 ￥1.4365 ￥1.4025 原价￥2.58 ￥2.27 ￥2.14 ￥1.98 ￥1.69 ￥1.65 1+: ￥2.193 10+: ￥1.9295 30+: ￥1.819 100+: ￥1.683 500+: ￥1.4365 1000+: ￥1.4025 现货最快4H发广东仓: 1576 江苏仓: 2982 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 AOD2610-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 58A 耗散功率(Pd): 136W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C724968 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存3628) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.312 ￥2.057 ￥1.9295 ￥1.802 ￥1.5215 ￥1.479 原价￥2.72 ￥2.42 ￥2.27 ￥2.12 ￥1.79 ￥1.74 1+: ￥2.312 10+: ￥2.057 30+: ￥1.9295 100+: ￥1.802 500+: ￥1.5215 1000+: ￥1.479 现货最快4H发广东仓: 3608 江苏仓: 566 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 AP4953M-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；类型: 2个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 7.3A 耗散功率(Pd): 2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C693138 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥1.547 ￥1.3685 ￥1.2835 ￥1.19 ￥1.1475 ￥0.935 原价￥1.82 ￥1.61 ￥1.51 ￥1.4 ￥1.35 ￥1.1 1+: ￥1.547 10+: ￥1.3685 30+: ￥1.2835 100+: ￥1.19 500+: ￥1.1475 1000+: ￥0.935 现货最快4H发广东仓: 1 江苏仓: 2912 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 VBA1203M 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；3A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 3A 导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@10V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C480924 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1482) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.0995 ￥1.836 ￥1.7255 ￥1.5895 ￥1.4535 ￥1.4195 原价￥2.47 ￥2.16 ￥2.03 ￥1.87 ￥1.71 ￥1.67 1+: ￥2.0995 10+: ￥1.836 30+: ￥1.7255 100+: ￥1.5895 500+: ￥1.4535 1000+: ￥1.4195 现货最快4H发广东仓: 1462 江苏仓: 1785 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

AO4800-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 6.8A 耗散功率(Pd): 1.78W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C709891 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3647) SMT扩展库 5+: ￥2.1688 50+: ￥1.7203 150+: ￥1.528 500+: ￥1.2882 2500+: ￥1.0431 4000+: ￥0.979 现货最快4H发广东仓: 3605 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购
AO4800-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 20000+: ￥0.9342 支付后4-6工作日剩余库存: 20000 批次: 24+ 个个圆盘总额: ￥18684


查看更多渠道点击收起

8.5折 FDS5670-NL-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 12A 耗散功率(Pd): 2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878792 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.0145 ￥1.751 ￥1.6405 ￥1.496 ￥1.4365 ￥1.394 原价￥2.37 ￥2.06 ￥1.93 ￥1.76 ￥1.69 ￥1.64 1+: ￥2.0145 10+: ￥1.751 30+: ￥1.6405 100+: ￥1.496 500+: ￥1.4365 1000+: ￥1.394 现货最快4H发广东仓: 1764 江苏仓: 2031 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 VBE1405 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 85A 导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@10V,85A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C416254 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存21) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.6265 ￥2.3545 ￥2.2185 ￥2.091 ￥1.7255 ￥1.683 原价￥3.09 ￥2.77 ￥2.61 ￥2.46 ￥2.03 ￥1.98 1+: ￥2.6265 10+: ￥2.3545 30+: ￥2.2185 100+: ￥2.091 500+: ￥1.7255 1000+: ￥1.683 现货最快4H发广东仓: 1 江苏仓: 2326 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


查看更多渠道点击收起

9.5折 IRLML2502TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-23 描述: 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6A 耗散功率(Pd): 1.3W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558174 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯9.5折第二阶梯9.5折第三阶梯9.5折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2392) SMT扩展库 9.5 折 10+: 100+: 300+: 3000+: 6000+: 9000+: 折后价￥0.38969 ￥0.30761 ￥0.26657 ￥0.239875 ￥0.21527 ￥0.20292 原价￥0.4102 ￥0.3238 ￥0.2806 ￥0.2525 ￥0.2266 ￥0.2136 10+: ￥0.38969 100+: ￥0.30761 300+: ￥0.26657 3000+: ￥0.239875 6000+: ￥0.21527 9000+: ￥0.20292 现货最快4H发广东仓: 2180 江苏仓: 5990 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交34单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 SQD50P06-15L-GE3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A 阈值电压(Vgs(th)): 1.5V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878856 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1620) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.9525 ￥3.502 ￥3.2725 ￥3.043 ￥2.907 ￥2.839 原价￥4.65 ￥4.12 ￥3.85 ￥3.58 ￥3.42 ￥3.34 1+: ￥3.9525 10+: ￥3.502 30+: ￥3.2725 100+: ￥3.043 500+: ￥2.907 1000+: ￥2.839 现货最快4H发广东仓: 1605 江苏仓: 2526 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 NTD20N06T4G-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 45A 阈值电压(Vgs(th)): 3V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705297 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2304) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥1.904 ￥1.666 ￥1.564 ￥1.4365 ￥1.3175 ￥1.2835 原价￥2.24 ￥1.96 ￥1.84 ￥1.69 ￥1.55 ￥1.51 1+: ￥1.904 10+: ￥1.666 30+: ￥1.564 100+: ￥1.4365 500+: ￥1.3175 1000+: ￥1.2835 现货最快4H发广东仓: 2284 江苏仓: 1694 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 AOD4130-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 45A 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V,15A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C878919 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存4036) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥1.989 ￥1.751 ￥1.649 ￥1.5215 ￥1.3175 ￥1.2835 原价￥2.34 ￥2.06 ￥1.94 ￥1.79 ￥1.55 ￥1.51 1+: ￥1.989 10+: ￥1.751 30+: ￥1.649 100+: ￥1.5215 500+: ￥1.3175 1000+: ￥1.2835 现货最快4H发广东仓: 4016 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 SQD19P06-60L-GE3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 35A 阈值电压(Vgs(th)): 3V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878855 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1596) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 1000+: 折后价￥2.278 ￥2.006 ￥1.87 ￥1.734 ￥1.6915 原价￥2.68 ￥2.36 ￥2.2 ￥2.04 ￥1.99 1+: ￥2.278 10+: ￥2.006 30+: ￥1.87 100+: ￥1.734 1000+: ￥1.6915 现货最快4H发广东仓: 1576 江苏仓: 2136 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 AO4812-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 6.8A 耗散功率(Pd): 1.77W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C693316 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存46) SMT扩展库 8.5 折 5+: 50+: 150+: 500+: 2500+: 4000+: 折后价￥1.459195 ￥1.300245 ￥1.23216 ￥0.916045 ￥0.878135 ￥0.85544 原价￥1.7167 ￥1.5297 ￥1.4496 ￥1.0777 ￥1.0331 ￥1.0064 5+: ￥1.459195 50+: ￥1.300245 150+: ￥1.23216 500+: ￥0.916045 2500+: ￥0.878135 4000+: ￥0.85544 现货最快4H发广东仓: 20 江苏仓: 3140 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 STS7NF60L-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 12A 耗散功率(Pd): 2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C692970 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存3073) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.2355 ￥1.972 ￥1.8615 ￥1.717 ￥1.4535 ￥1.4195 原价￥2.63 ￥2.32 ￥2.19 ￥2.02 ￥1.71 ￥1.67 1+: ￥2.2355 10+: ￥1.972 30+: ￥1.8615 100+: ￥1.717 500+: ￥1.4535 1000+: ￥1.4195 现货最快4H发广东仓: 3053 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


查看更多渠道点击收起

8.5折 AO4441-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 8A 耗散功率(Pd): 1.67W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C693380 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取 8.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯8.5折第二阶梯8.5折第三阶梯8.5折第四阶梯8.5折第五阶梯8.5折第六阶梯8.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 8.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.55 ￥2.278 ￥2.142 ￥2.0145 ￥1.6405 ￥1.6065 原价￥3 ￥2.68 ￥2.52 ￥2.37 ￥1.93 ￥1.89 1+: ￥2.55 10+: ￥2.278 30+: ￥2.142 100+: ￥2.0145 500+: ￥1.6405 1000+: ￥1.6065 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2727 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


查看更多渠道点击收起

AO4421-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOIC-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 8A 耗散功率(Pd): 1.67W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C557951 详细: 数据手册领券最高减100 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2493) SMT扩展库 1+: ￥4.16 10+: ￥3.4 30+: ￥3.02 100+: ￥2.65 500+: ￥2.14 1000+: ￥2.02 现货最快4H发广东仓: 2478 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购
AO4421-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOIC-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 20000+: ￥1.8673 支付后4-6工作日剩余库存: 20000 批次: 24+ 个个圆盘总额: ￥37346


查看更多渠道点击收起

共50页，11083条记录到页

1
2
3
...
50
下一页>

选择账户类型

为了落实公司的财务规范，响应个人客户与企业客户的不同需求，商城账户类型必须区分企业和个人

个人购买行为，请选择个人账户类型，企业采购行为，请选择企业账户

注：请慎重考虑，选择后不可更改。

个人账户企业账户

账户资料

*姓名：		填写真实姓名，不可修改！填写真实姓名，不可修改！
手机：
	已阅读并理解账户类型说明查看详情说明

增值税发票抬头，预付余额转出银行卡开户名等，系统都将处理成跟会员账户资料“企业名称与税号”保持一致且不能修改！

账户资料

*公司名称：	请填写绑定的企业名称请填写绑定的企业名称
*纳税人识别号：	请填写正确的的“纳税人识别号” 请填写正确的的“纳税人识别号”
*联系人名称：	账号联系人名称请填写账号联系人名称
手机：
*营业执照：	1.支持上传格式：JPG(JPEG)、PNG（文件大小写都支持）。 2.图片像素尺寸：最小1000*500像素（宽大于1000像素，高大于500像素）。 3.图片文件大小：＞＝100KB。 4.若拍摄营业执照，营业执照尽量平放于纯色背景之上。 5.请上传彩色证件扫描件，或加盖鲜章的证件复印件。修改
	已阅读并理解账户类型说明查看详情说明