VBsemi(微碧半导体)

SUD50P06-15L-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558297

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

50A

导通电阻(RDS(on))

20mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；

SUD50P08-25L-E3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C4355071

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

12.5A

导通电阻(RDS(on))

17mΩ@10V,12.5A

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

BSP170P-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-223

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C709922

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

7A

导通电阻(RDS(on))

55mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

IRF7343TRPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558150

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

5.3A

阈值电压(Vgs(th))

1V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

SQD19P06-60L-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878855

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

35A

导通电阻(RDS(on))

46mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

SQD50P06-15L-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878856

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

50A

导通电阻(RDS(on))

20mΩ@10V；25mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；

NTR4170NT1G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C710038

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6.5A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

SI9430DY-T1-E3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878848

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

13A

阈值电压(Vgs(th))

500mV

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

SI4946BEY-T1-E3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878845

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

7A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@10V；30mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

SI4405DY-T1-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705313

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

13.5A

导通电阻(RDS(on))

11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

FDS9945-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558131

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

7A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

VBI2658

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-89

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C416322

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

6.5A

导通电阻(RDS(on))

58mΩ@10V；65mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

SI4948BEY-T1-E3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558271

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

5.3A

导通电阻(RDS(on))

54mΩ@10V；60mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

30P06-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C709875

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

50A

导通电阻(RDS(on))

20mΩ@10V；25mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；

IRLZ44NSTRR-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-263(D2PAK)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2680878

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

75A

导通电阻(RDS(on))

11mΩ@10V

耗散功率(Pd)

136W

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

FDS5670-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878792

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

12A

导通电阻(RDS(on))

12mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

TPC8107&9-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705332

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10.9A

耗散功率(Pd)

2.7W

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

SM4305PSKC-TRG-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5438963

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

11.6A

导通电阻(RDS(on))

11mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

SIR422DP-T1-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

DFN5x6-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705323

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

40V

连续漏极电流(Id)

70A

耗散功率(Pd)

6.15W

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率和电流的应用场合。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；70A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

SI4559ADY-T1-E3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878842

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

5.3A；4.9A

导通电阻(RDS(on))

26mΩ@10V；55mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

AOD2210-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C724967

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

30A

导通电阻(RDS(on))

55mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。TO252；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

SI2302DS-T1-GE3-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558245

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

22mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

AOD4130-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C878919

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

45A

导通电阻(RDS(on))

25mΩ@10V,15A

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

AO4423-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C693329

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

13.5A

导通电阻(RDS(on))

11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；