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VBsemi(微碧半导体)

网址： http://www.vbsemi.tw/

VBsemi成立于2012年，是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利，并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是中国台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。

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类目：

封装：

TO-252 (2150)

SOP-8 (1889)

SOT-23(TO-236) (1529)

TO-220 (1323)

TO-263 (843)

TO-220F (743)

SOT-23-6 (313)

DFN-8(5x6) (312)

包装：

编带 (7258)

管装 (3439)

袋装 (2)

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VB2658 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-23 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 5.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@10V,3.2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C480921 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存6035) SMT扩展库 5+: ￥1.5688 50+: ￥1.258 150+: ￥1.1248 500+: ￥0.9587 3000+: ￥0.8436 6000+: ￥0.7992 现货最快4H发广东仓: 5250 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交63单已加购

9.5折 AOD4185-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C879147 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2929) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.77 ￥3.14 ￥2.82 ￥2.375 ￥1.995 ￥1.9095 原价￥2.5 ￥2.1 ￥2.01 1+: ￥3.77 10+: ￥3.14 30+: ￥2.82 100+: ￥2.375 500+: ￥1.995 1000+: ￥1.9095 现货最快4H发广东仓: 2879 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交32单已加购

9.5折 VBE5415 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-4 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,38A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C480957 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1079) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.92 ￥3.28 ￥2.96 ￥2.5175 ￥2.033 ￥1.938 原价￥2.65 ￥2.14 ￥2.04 1+: ￥3.92 10+: ￥3.28 30+: ￥2.96 100+: ￥2.5175 500+: ￥2.033 1000+: ￥1.938 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2488 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

AO7400-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SC-70-3 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3；N—Channel沟道,20V；4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V；Vth=0.6~1.3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 45mΩ@10V,3.7A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C879165 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存16K+) SMT扩展库 5+: ￥0.4402 50+: ￥0.3895 150+: ￥0.3642 500+: ￥0.3451 3000+: ￥0.2764 6000+: ￥0.2688 现货最快4H发广东仓: 15K+ 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

SUD50P06-15L-GE3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558297 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2117) SMT扩展库 1+: ￥4.94 10+: ￥4.09 30+: ￥3.66 100+: ￥3.24 500+: ￥2.64 1000+: ￥2.51 现货最快4H发广东仓: 2040 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交35单已加购

SI4559ADY-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 5.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878842 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥2.4 10+: ￥2.13 30+: ￥1.99 100+: ￥1.86 500+: ￥1.63 1000+: ￥1.58 现货最快4H发广东仓: 2275 江苏仓: 4898 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

SI7850DP-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于便携式设备、消费电子、医疗设备等领域。QFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.8V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 15A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705321 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥2.39 10+: ￥2.11 30+: ￥1.96 100+: ￥1.82 500+: ￥1.74 1000+: ￥1.69 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 3393 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

SI4946BEY-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@10V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878845 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥2.12 10+: ￥1.83 30+: ￥1.71 100+: ￥1.56 500+: ￥1.49 1000+: ￥1.45 现货最快4H发广东仓: 2607 江苏仓: 3344 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

IRF7343TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 5.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@10V,5.3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558150 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4572) SMT扩展库 1+: ￥2.54 10+: ￥2.27 30+: ￥2.13 100+: ￥2 500+: ￥1.66 1000+: ￥1.62 现货最快4H发广东仓: 4552 江苏仓: 6652 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

FDS9945-NL-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@10V,7A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558131 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存5371) SMT扩展库 1+: ￥2.2 10+: ￥1.9 30+: ￥1.78 100+: ￥1.62 500+: ￥1.55 1000+: ￥1.51 现货最快4H发广东仓: 5309 江苏仓: 3470 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

FDS6575-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@4.5V,13A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C709967 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3043) SMT扩展库 5+: ￥1.5743 50+: ￥1.4028 150+: ￥1.3293 500+: ￥1.2376 2500+: ￥0.9425 4000+: ￥0.918 现货最快4H发广东仓: 3020 江苏仓: 3965 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

IRF7103TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705269 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥2.28 10+: ￥1.99 30+: ￥1.87 100+: ￥1.71 500+: ￥1.51 1000+: ￥1.46 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 5490 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

FDS5670-NL-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 12.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878792 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥1.94 10+: ￥1.68 30+: ￥1.57 100+: ￥1.43 500+: ￥1.37 1000+: ￥1.33 现货最快4H发广东仓: 2412 江苏仓: 2086 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购

FDD4243-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C709958 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1058) SMT扩展库 1+: ￥2.39 10+: ￥2.12 30+: ￥1.99 100+: ￥1.85 500+: ￥1.65 1000+: ￥1.61 现货最快4H发广东仓: 1027 江苏仓: 2217 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购

9.5折 VBI2658 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-89-3 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@4.5V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C416322 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存1992) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.22 ￥1.79 ￥1.6 ￥1.3015 ￥1.159 ￥1.102 原价￥1.37 ￥1.22 ￥1.16 1+: ￥2.22 10+: ￥1.79 30+: ￥1.6 100+: ￥1.3015 500+: ￥1.159 1000+: ￥1.102 现货最快4H发广东仓: 1105 江苏仓: 397 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 1000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购

9.5折 IRF7473TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8；N—Channel沟道,100V；9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 6.4A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705274 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.38 ￥2.09 ￥1.96 ￥1.7195 ￥1.52 ￥1.482 原价￥1.81 ￥1.6 ￥1.56 1+: ￥2.38 10+: ￥2.09 30+: ￥1.96 100+: ￥1.7195 500+: ￥1.52 1000+: ￥1.482 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 6555 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

SI4909DY-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 9.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 21mΩ@10V,7.3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C710072 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1262) SMT扩展库 1+: ￥2.36 10+: ￥2.1 30+: ￥1.98 100+: ￥1.84 500+: ￥1.45 1000+: ￥1.41 现货最快4H发广东仓: 1242 江苏仓: 4845 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

AOD2610-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,20A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C724968 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4017) SMT扩展库 1+: ￥2.59 10+: ￥2.31 30+: ￥2.17 100+: ￥2.03 500+: ￥1.71 1000+: ￥1.66 现货最快4H发广东仓: 3971 江苏仓: 621 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购

SQD50P06-15L-GE3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C5878856 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1659) SMT扩展库 1+: ￥3.82 10+: ￥3.36 30+: ￥3.13 100+: ￥2.9 500+: ￥2.77 1000+: ￥2.7 现货最快4H发广东仓: 1638 江苏仓: 2605 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

VBE1405 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 85A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@4.5V,20A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C416254 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存359) SMT扩展库 1+: ￥2.63 10+: ￥2.36 30+: ￥2.22 100+: ￥2.09 500+: ￥1.64 1000+: ￥1.6 现货最快4H发广东仓: 339 江苏仓: 2478 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购

9.5折 AO4421-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOIC-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@10V,8A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C557951 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存2557) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥3.84 ￥3.21 ￥2.9 ￥2.451 ￥2.0045 ￥1.9095 原价￥2.58 ￥2.11 ￥2.01 1+: ￥3.84 10+: ￥3.21 30+: ￥2.9 100+: ￥2.451 500+: ￥2.0045 1000+: ￥1.9095 现货最快4H发广东仓: 2537 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

FDD4141-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C693383 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1745) SMT扩展库 1+: ￥3.58 10+: ￥2.94 30+: ￥2.62 100+: ￥2.31 500+: ￥1.98 1000+: ￥1.88 现货最快4H发广东仓: 1705 江苏仓: 65 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购

IRF7313TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 6.8A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705271 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 5+: ￥1.25 50+: ￥1.0911 150+: ￥1.0231 500+: ￥0.8625 2500+: ￥0.8246 4000+: ￥0.8019 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 7220 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购

FDC5614P-NL-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TSOP-6 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于便携式设备、汽车电子、医疗设备和工业自动化等多个领域和模块。SOT23-6；P—Channel沟道,-60V；-3.5A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~ -3V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 3.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705255 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 5+: ￥1.6194 50+: ￥1.4212 150+: ￥1.3363 500+: ￥1.136 3000+: ￥1.0888 6000+: ￥1.0605 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 6280 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购

FDS6679AZ-NL-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 13.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C6705261 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥2.07 10+: ￥1.81 30+: ￥1.69 100+: ￥1.55 500+: ￥1.37 1000+: ￥1.33 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4427 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购

SI4948BEY-T1-E3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；类型: 2个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 2.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,3.1A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558271 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3084) SMT扩展库 1+: ￥2.84 10+: ￥2.52 30+: ￥2.36 100+: ￥2.21 500+: ￥1.94 1000+: ￥1.89 现货最快4H发广东仓: 3064 江苏仓: 1204 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

9.5折 VBMB1208N 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-220F-3 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于电源模块、汽车电子模块、太阳能逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；20A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 42W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C481030 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.5折第五阶梯9.5折第六阶梯9.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 9.5 折 1+: 10+: 50+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥7.38 ￥6.72 ￥5.64 ￥4.9685 ￥4.7975 ￥4.7215 原价￥5.23 ￥5.05 ￥4.97 1+: ￥7.38 10+: ￥6.72 50+: ￥5.64 100+: ￥4.9685 500+: ￥4.7975 1000+: ￥4.7215 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 784 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购

IRFL9014TRPBF-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-223-4 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,7A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558160 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1720) SMT扩展库 1+: ￥3.14 10+: ￥2.52 30+: ￥2.26 100+: ￥1.93 500+: ￥1.65 1000+: ￥1.56 现货最快4H发广东仓: 1532 江苏仓: 27 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购

AO4606A-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,8A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C724963 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2907) SMT扩展库 5+: ￥1.6774 50+: ￥1.4925 150+: ￥1.4133 500+: ￥1.3144 2500+: ￥1.0163 4000+: ￥0.9898 现货最快4H发广东仓: 2880 江苏仓: 670 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购

SI4401DDY-T1-GE3-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOP-8 描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 16.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,10.2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C558264 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥2.11 10+: ￥1.85 30+: ￥1.74 100+: ￥1.6 500+: ￥1.36 1000+: ￥1.33 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1944 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 4000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购

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