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首页 > 品牌列表 > Maxscend(卓胜微) >
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  • MXDLN14TP
  • 品牌: Maxscend(卓胜微)
  • 封装: LGA-6(0.7x1.1)
  • 描述: MXDLN14TP 是一种专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计的高增益双频低噪声放大器 (LNA)。该产品具有极低的噪声系数 (0.5dB) 和出色的线性度。
  • 工作电压: 1.6V~3.6V
  • 工作电流: 3.3mA
  • 工作温度: -40℃~+90℃
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    • MXD8921LG
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8921LG 是一款专为 LTE 低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的 SiGe 工艺制造。它具有宽带频率范围(600 MHz 至 960 MHz),在低噪声模式下工作时消耗 5.5 mA 的电流,而在旁路模式下功耗可降至小于 1 μA。该器件采用小型 1.1 mm x 0.7 mm x 0.45 mm 的 6 引脚 LGA 封装。
    • 工作电压: 1.6V~3.6V
    • 工作电流: 5.5mA
    • 工作温度: -40℃~+90℃
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    • MXD8512A
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8512A是一款基于CMOSSOI技术的单刀单掷(SPST)开关,具有高线性度和坚固性能,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
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    • 第三阶梯5
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    • MXD8546F
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-12-EP(2x2)
    • 描述: MXD8546F是一个CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
    • 隔离度: 31dB
    • 工作电压: 1.8V~3.3V
    • 工作温度: -30℃~+85℃
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    • MXD8921L
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8921L是一款专为LTE低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的SiGe工艺。该产品具有两种工作模式:低噪声模式和旁路模式。
    • 工作电压: 1.6V~3.6V
    • 工作电流: 3.9mA
    • 工作温度: -40℃~+90℃
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      ¥0.480438
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    • MXD8546FA
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-12-EP(2x2)
    • 描述: MXD8546FA是一款CMOS,Silicon-On-Insulator(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
    • 隔离度: 30dB
    • 工作电压: 1.7V~3.3V
    • 工作温度: -40℃~+90℃
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  • 6.8 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯6.8
    • 第二阶梯6.8
    • 第三阶梯6.8
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    • 第五阶梯6.8
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      • ¥0.8764
      • ¥0.8395
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    • MXDLN16TL
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXDLN16TL 是一款专为 GPS、GLONASS、Galileo 和北斗标准设计的高增益低噪声放大器,具有出色的线性度。
    • 工作电压: 1.6V~3.3V
    • 工作电流: 800uA
    • 工作温度: -40℃~+90℃
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  • 8.1 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯8.1
    • 第二阶梯8.1
    • 第三阶梯8.1
    • 第四阶梯8.1
    • 第五阶梯8.1
    • 第六阶梯8.1
  • SMT扩展库
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    • 30+: 

      ¥1.5228
    • 100+: 

      ¥1.4013
    • 500+: 

      ¥1.3446
    • 1000+: 

      ¥1.3122
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    • 广东仓: 2709
      江苏仓: 0
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    • 5000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交13单
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    • MXD8621C
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: DFN-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8621C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换控制。
    • 隔离度: 25dB
    • 插入损耗: 0.45dB
    • 频率: 100MHz~3GHz
    • 工作电压: 2.5V~3V
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.3108
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      ¥0.1542
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    • 广东仓: 7100
      江苏仓: 0
    • 圆盘
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    • 6000个/圆盘
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    • 近期成交54单
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    • MXD8641
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-14-EP(2x2)
    • 描述: MXD8641是一款适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能。
    • 隔离度: 25dB
    • 插入损耗: 0.4dB
    • 频率: 100MHz~3GHz
    • 工作电压: 2.5V~3V
  • 领券
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  • SMT扩展库
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      ¥0.351
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    • 广东仓: 2645
      江苏仓: 2860
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    • MXD8668C
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-14-EP(2x2)
    • 描述: MXD8668C是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部直流阻断电容器。
    • 隔离度: 40dB
    • 插入损耗: 0.5dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -20℃~+85℃
  • 领券
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  • 5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯5
    • 第二阶梯5
    • 第三阶梯5
    • 第四阶梯5
    • 第五阶梯5
    • 第六阶梯5
  • SMT扩展库
    • 5 折
      • 1+: 
      • 10+: 
      • 30+: 
      • 100+: 
      • 500+: 
      • 1000+: 
      • 折后价
      • ¥0.68045
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      • ¥0.42525
      • 原价
      • ¥1.3609
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      • ¥1.1179
      • ¥1.027
      • ¥0.9865
      • ¥0.8505
    • 1+: 

      ¥0.68045
    • 10+: 

      ¥0.5954
    • 30+: 

      ¥0.55895
    • 100+: 

      ¥0.5135
    • 500+: 

      ¥0.49325
    • 1000+: 

      ¥0.42525
    现货最快4H发
    • 广东仓: 0
      江苏仓: 4940
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    • 圆盘
    • 5000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • MXD8668B
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-14-EP(2x2)
    • 描述: MXD8668B是一个低损耗、高隔离的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,频率范围为700MHz到3000MHz。
    • 隔离度: 24dB
    • 插入损耗: 0.5dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -20℃~+85℃
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    • MXD8533B
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-11(1.7x1.8)
    • 描述: MXD8533B是一种基于CMOS绝缘体上硅(SOI)技术的三单刀单掷(3xSPST)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
    • 隔离度: 38dB
    • 工作电压: 1.7V~3.3V
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    • MXD8544B
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-10(1.1x1.5)
    • 描述: MXD8544B是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀四掷(SP4T)开关,具有高线性和坚固性,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机的天线调谐应用。
    • 隔离度: 27dB
    • 插入损耗: 0.5dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
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    • MXD8544A
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-10(1.1x1.5)
    • 描述: MXD8544A是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀四掷(SP4T)开关,具有高线性和坚固性,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
    • 隔离度: 28dB
    • 工作电压: 2.5V~3.3V
    • 工作温度: -30℃~+85℃
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    • MXD8721
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-6(1x1)
    • 描述: MXD8721是一款基于CMOSSOI技术的单刀双掷(SPDT)射频开关。其高线性度和坚固性以及极低的插入损耗使其成为WLAN应用的理想选择。
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    • MXD86C0S
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-20-EP(2.5x2.5)
    • 描述: MXD86C0S是一个低损耗、高隔离度的SP12T射频开关,适用于天线分集接收。它兼容MIPI控制,支持多频段操作(700MHz到3000MHz)。
    • 隔离度: 38dB
    • 插入损耗: 0.7dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -35℃~+90℃
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    • MXD8625C
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8625C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于3G/4G应用。它具有宽带频率范围(0.1到3GHz)、低插入损耗(0.35dB@2.7GHz)和高隔离度(28dBupto2.7GHz)。无需外部直流阻断电容器,采用6引脚QFN封装,尺寸为1.1mmx0.7mmx0.45mm。
    • 隔离度: 28dB
    • 插入损耗: 0.35dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
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    • MXD8116LE
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-14-EP(2x2)
    • 描述: MXD8116LE 是一个集成低噪声、高增益 LNA 和低插入损耗 SP6T 的 LTE 接收模块,用于多输入 LTE 接收。
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作电流: 6mA
    • 增益: 17dB
    • P1dB: -11dBm
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    • MXDLN02G
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: DFN-6(1x1.5)
    • 描述: MXDLN02G是一款低电流、高增益、低噪声的FM接收低噪声放大器。该产品具有0.9dB的优异噪声系数和20dB的增益。
    • 工作电压: 1.6V~3.3V
    • 工作电流: 10mA
    • 增益: 22dB
    • P1dB: -17dBm
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    • MXD86C2
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-18(2x2.4)
    • 描述: MXD86C2是一款低损耗、高隔离度的12通道射频开关,适用于天线TRX应用。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部DC阻断电容器。
    • 隔离度: 35dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -20℃~+85℃
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      ¥0.845
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    • MXD8626L
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-6(0.7x1.1)
    • 描述: MXD8626L是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换。
    • 隔离度: 25dB
    • 插入损耗: 0.45dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -30℃~+85℃
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    • MXD8546
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-12-EP(1.8x1.8)
    • 描述: MXD8546是一款CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,适用于0.4到3.8GHz的应用。该开关提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
    • 隔离度: 45dB
    • 工作电压: 1.8V~3.3V
    • 工作温度: -30℃~+85℃
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    • MXD8651
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-14-EP(2x2)
    • 描述: MXD8651是一款低损耗、高隔离度的SP5T射频开关,适用于接收分集路由应用。它兼容+1.0V控制逻辑,支持多频段操作(700MHz至2700MHz),并且封装在紧凑的2mmx2mmx0.55mmQFN封装中。
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    • MXD8545A
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-10(1.1x1.5)
    • 描述: MXD8545A是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀四掷(SP4T)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE频段和模式切换,具有高线性和鲁棒性性能,以及极低的插入损耗,使其成为手持设备天线调谐应用的理想选择。
    • 隔离度: 22dB
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    • MXD8628
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: LGA-9(1.2x1.2)
    • 描述: MXD8628是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SP2T)射频开关,具有高线性度和低插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用。
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    • MXD8529A
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-8(1.4x1.5)
    • 描述: MXD8529A是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,具有高线性和鲁棒性性能,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
    • 隔离度: 25dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -35℃~+90℃
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    • MXD8666
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-14-EP(2x2)
    • 描述: MXD8666是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制接口,支持多频段操作,频率范围从700MHz到3000MHz。采用紧凑的2mmx2mmQFN-14封装,无需外部直流阻断电容器。
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    • 第一阶梯5
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    • MXD8631
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: QFN-9(1.1x1.1)
    • 描述: MXD8631是一种CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀三掷(SP3T)接收开关。其高线性性能和低插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用的理想选择。
    • 隔离度: 28dB
    • 插入损耗: 0.6dB
    • 工作电压: 2.5V~3V
    • 工作温度: -30℃~+85℃
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    • 第五阶梯6.4
    • 第六阶梯6.4
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      ¥0.18016
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    • MXDFG16A1
    • 品牌: Maxscend(卓胜微)
    • 封装: DFN-5(0.9x1.1)
    • 描述: 该滤波器适用于GPS、Compass和GLONASS频段,具有低损耗、高稳定性和可靠性,无需匹配即可操作,支持单端操作。
    • 中心频率: 1.5816GHz
    • 阻抗: 50Ω
    • 插入损耗: 1.2dB
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