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  • 类目
    • 射频开关
    • 射频低噪声放大器
    • 射频模块
    • 声表面波滤波器(SAW)
    • 单片机(MCU/MPU/SOC)
    多选
  • 封装
    • LGA-6(0.7x1.1)
    • QFN-14-EP(2x2)
    • DFN-6(0.7x1.1)
    • QFN-10(1.1x1.5)
    • QFN-12-EP(2x2)
    • DFN-6(1x1.5)
    • LGA-9(1.2x1.2)
    • QFN-9(1.1x1.1)
    • LGA-6(0.9x1.1)
    • QFN-12-EP(1.8x1.8)
    • QFN-20-EP(2.4x2.4)
    • QFN-6(0.7x1.1)
    • QFN-6(1x1)
    • DFN-10(1.1x1.5)
    • DFN-5(0.9x1.1)
    • LGA-11(1.7x1.8)
    • LGA-18(2x2.4)
    • LGA-6(1x1.5)
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自营结果数72
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  • 操作

集成低噪声放大器和多路开关的LTE接收模块
MXD8116LE
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频模块
编号
C462316

描述MXD8116LE 是一个集成低噪声、高增益 LNA 和低插入损耗 SP6T 的 LTE 接收模块,用于多输入 LTE 接收。

RoHSSMT扩展库

  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.274
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  • 0.2235
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4785

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

用于LTE低频段接收的高增益低噪声放大器
MXD8921LG
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462516
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
5.5mA
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXD8921LG 是一款专为 LTE 低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的 SiGe 工艺制造。它具有宽带频率范围(600 MHz 至 960 MHz),在低噪声模式下工作时消耗 5.5 mA 的电流,而在旁路模式下功耗可降至小于 1 μA。该器件采用小型 1.1 mm x 0.7 mm x 0.45 mm 的 6 引脚 LGA 封装。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6241
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  • 1.3646
  • 1.1982
  • 1.127
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6215

10000/圆盘

总额0

近期成交11单

低功耗蓝牙模块
MXD2656A1
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-32-EP(4x4)
类目
单片机(MCU/MPU/SOC)
编号
C2902428

SMT扩展库

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5
  • 1.625
  • 1.445
  • 1.355
  • 1.265
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广东仓
0
江苏仓
1966

3000/圆盘

总额0

适用于3G/4G应用的单刀双掷射频开关
MXD8621C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
DFN-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285542
电路结构
单刀双掷
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.45dB

描述MXD8621C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换控制。

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SMT补贴嘉立创库存4048
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  • 0.308
  • 0.2432
  • 0.2108
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4010

6000/圆盘

总额0

近期成交34单

用于LTE中高频段的低噪声放大器
MXD8015HC
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
DFN-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C285539
工作电压
1.6V~3.3V
工作电流
6mA
增益
13dB
P1dB
-4dBm

描述MXD8015HC 是一款专为 LTE 中频和高频段设计的高增益、低噪声放大器,采用先进的 RFCMOS 工艺制造。

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SMT补贴嘉立创库存4991
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  • 对比
  • 0.5986
  • 0.4666
  • 0.4006
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广东仓
4990

6000/圆盘

总额0

近期成交3单

0.4至3.8GHz宽带双刀双掷射频开关
MXD8546FA
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-12-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462321
频率
400MHz~3.8GHz
隔离度
30dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
1.7V~3.3V

描述MXD8546FA是一款CMOS,Silicon-On-Insulator(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

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SMT补贴嘉立创库存3451
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  • 对比
5.6
  • 0.661136
  • 0.574392
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广东仓
3451
江苏仓
836

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

0.4~3.8GHzX-DPDT射频开关
MXD8546F
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-12-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C285564
频率
400MHz~3.8GHz
隔离度
31dB
工作电压
1.8V~3.3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8546F是一个CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

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SMT补贴嘉立创库存3955
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  • 对比
6.8
  • 0.733312
  • 0.643348
  • 0.604792
  • 0.556716
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  • 0.474504
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广东仓
3950

5000/圆盘

总额0

近期成交5单

3G/4G应用的SPDT射频开关
MXD8626L
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285549
电路结构
单刀双掷
频率
700MHz~2.7GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.45dB

描述MXD8626L是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换。

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SMT补贴嘉立创库存5170
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  • 对比
5
  • 0.2293
  • 0.1793
  • 0.1516
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  • 0.05245
  • 0.0486
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广东仓
5160

6000/圆盘

总额0

近期成交1单

用于LTE天线分集接收的低损耗高隔离SP6T射频开关
MXD8668B
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462302
频率
700MHz~3GHz
隔离度
24dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V

描述MXD8668B是一个低损耗、高隔离的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,频率范围为700MHz到3000MHz。

SMT扩展库

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  • 对比
5
  • 0.34025
  • 0.2977
  • 0.2795
  • 0.25675
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广东仓
0
江苏仓
4995

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

带MIPI控制的SP6T射频开关,适用于LTE天线分集
MXD8668C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462303
频率
700MHz~3GHz
隔离度
40dB
插入损耗
0.5dB
P1dB
27dBm

描述MXD8668C是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部直流阻断电容器。

SMT扩展库

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  • 对比
5
  • 0.3403
  • 0.2978
  • 0.27955
  • 0.2568
  • 0.21875
  • 0.2127
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广东仓
0
江苏仓
4870

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

0.4~3.8GHz3xSPST天线调谐开关
MXD8533B
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-11(1.7x1.8)
类目
射频开关
编号
C462327
电路结构
单刀单掷
频率
400MHz~3.8GHz
隔离度
38dB
工作电压
1.7V~3.3V

描述MXD8533B是一种基于CMOS绝缘体上硅(SOI)技术的三单刀单掷(3xSPST)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4790
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  • 对比
5
  • 0.3761
  • 0.3268
  • 0.30565
  • 0.2793
  • 0.25355
  • 0.2465
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广东仓
4790

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

0.5~4.0GHzSPST天线调谐开关
MXD8512A
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C462317
电路结构
单刀单掷
频率
500MHz~4GHz
工作电压
1.7V~3.3V

描述MXD8512A是一款基于CMOSSOI技术的单刀单掷(SPST)开关,具有高线性度和坚固性能,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3934
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.3506
  • 0.30695
  • 0.2882
  • 0.26485
  • 0.2247
  • 0.21845
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广东仓
3930

10000/圆盘

总额0

近期成交6单

用于LTE低频段的高增益低噪声放大器
MXD8921L
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462324
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
3.9mA
增益
13.5dB
P1dB
10dBm

描述MXD8921L是一款专为LTE低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的SiGe工艺。该产品具有两种工作模式:低噪声模式和旁路模式。

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  • 对比
5.7折起
  • 0.596981
  • 0.456136
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  • 0.323361
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广东仓
0
江苏仓
3205

10000/圆盘

总额0

近期成交2单

用于接收分集的SP5T射频开关
MXD8651
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462312
频率
700MHz~2.7GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.55dB
工作电压
2.5V~3.3V

描述MXD8651是一款低损耗、高隔离度的SP5T射频开关,适用于接收分集路由应用。它兼容+1.0V控制逻辑,支持多频段操作(700MHz至2700MHz),并且封装在紧凑的2mmx2mmx0.55mmQFN封装中。

SMT扩展库

  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.2864
  • 0.25175
  • 0.2344
  • 0.2214
  • 0.18715
  • 0.18195
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广东仓
0
江苏仓
2870

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

带MIPI接口的12通道射频开关,适用于LTETRX应用
MXD86C2
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-18(2x2.4)
类目
射频开关
编号
C285572
频率
400MHz~3.8GHz
隔离度
35dB
插入损耗
0.65dB
P1dB
35dBm

描述MXD86C2是一款低损耗、高隔离度的12通道射频开关,适用于天线TRX应用。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部DC阻断电容器。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2705
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.4793
  • 0.4205
  • 0.3953
  • 0.33965
  • 0.32565
  • 0.31725
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广东仓
2705

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

用于全球导航卫星系统的高增益低噪声放大器
MXDLN16TP
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462310
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
3mA
增益
18dB
P1dB
-10dBm

描述MXDLN16TP 是一款高增益、低噪声放大器 (LNA),专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计。该产品具有 0.5dB 的极低噪声系数、18dB 的增益和出色的线性度。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2528
  • 收藏
  • 对比
  • 0.9623
  • 0.7751
  • 0.6815
  • 0.6113
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广东仓
1965

6000/圆盘

总额0

近期成交28单

用于全球导航卫星系统的高增益低噪声放大器
MXDLN16TL
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462323
工作电压
1.6V~3.3V
工作电流
800uA
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXDLN16TL 是一款专为 GPS、GLONASS、Galileo 和北斗标准设计的高增益低噪声放大器,具有出色的线性度。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存945
  • 收藏
  • 对比
7.1
  • 1.633
  • 1.4271
  • 1.3348
  • 1.2283
  • 1.1786
  • 1.1502
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广东仓
941

5000/圆盘

总额0

近期成交11单

0.1-3.0GHz四通道天线调谐开关
MXD8544B
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-10(1.1x1.5)
类目
射频开关
编号
C285580
隔离度
27dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8544B是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀四掷(SP4T)开关,具有高线性和坚固性,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机的天线调谐应用。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存994
  • 收藏
  • 对比
7.4折起
  • 1.7279
  • 1.366854
  • 1.21212
  • 1.156764
  • 1.18534
  • 0.881562
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广东仓
875

5000/圆盘

总额0

近期成交8单

0.1-3.0GHzSPDT天线调谐开关
MXD8529
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-8(1.4x1.5)
类目
射频开关
编号
C285574
电路结构
单刀双掷
频率
100MHz~3GHz
插入损耗
0.3dB
工作电压
2.5V~3V

描述MXD8529是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE频段和模式切换。其高线性和坚固性性能以及极低的插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备天线调谐应用的理想选择。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2174
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.1701
  • 0.14765
  • 0.1364
  • 0.128
  • 0.12125
  • 0.1179
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广东仓
2170

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

0.1-3.0GHzSPDT天线调谐开关
MXD8529A
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-8(1.4x1.5)
类目
射频开关
编号
C462314
电路结构
单刀双掷
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.3dB

描述MXD8529A是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,具有高线性和鲁棒性性能,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1422
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.188
  • 0.16525
  • 0.1539
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  • 0.12285
  • 0.11945
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广东仓
1420

5000/圆盘

总额0

近期成交9单

FM低噪声放大器
MXDLN02G
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
DFN-6(1x1.5)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462305
工作电压
1.6V~3.3V
工作电流
10mA
增益
22dB
P1dB
-17dBm

描述MXDLN02G是一款低电流、高增益、低噪声的FM接收低噪声放大器。该产品具有0.9dB的优异噪声系数和20dB的增益。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2677
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.19
  • 0.1459
  • 0.1214
  • 0.0527
  • 0.0463
  • 0.0429
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广东仓
2660

5000/圆盘

总额0

近期成交3单

0.4~3.8GHz宽带射频双刀双掷开关
MXD8546
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-12-EP(1.8x1.8)
类目
射频开关
编号
C462298
频率
400MHz~3.8GHz
隔离度
45dB
插入损耗
0.7dB
工作电压
1.8V~3.3V

描述MXD8546是一款CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,适用于0.4到3.8GHz的应用。该开关提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2116
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.2907
  • 0.25545
  • 0.2378
  • 0.2246
  • 0.19035
  • 0.1851
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广东仓
2115

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关
MXD8641
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C285559
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.4dB
P1dB
27dBm

描述MXD8641是一款适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2277
  • 收藏
  • 对比
  • 0.6301
  • 0.4981
  • 0.4321
  • 0.3826
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广东仓
2250

3000/圆盘

总额0

近期成交22单

0.1-3.0GHzSP2T射频开关
MXD8628
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-9(1.2x1.2)
类目
射频开关
编号
C285552

描述MXD8628是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SP2T)射频开关,具有高线性度和低插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存669
  • 收藏
  • 对比
5
  • 0.1386
  • 0.1081
  • 0.0912
  • 0.0364
  • 0.032
  • 0.02965
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近期成交1单

用于3G/4G应用的单刀双掷射频开关
MXD8626
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285548
电路结构
单刀双掷
频率
700MHz~2.7GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.35dB

描述MXD8626是一款用于3G/4G应用的单刀双掷(SPDT)射频开关,通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行控制。

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近期成交2单

0.1-3.0GHz单刀三掷射频开关
MXD8631
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-9(1.1x1.1)
类目
射频开关
编号
C285555
隔离度
28dB
插入损耗
0.6dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8631是一种CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀三掷(SP3T)接收开关。其高线性性能和低插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用的理想选择。

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近期成交7单

用于双频GNSS应用的高增益低噪声放大器
MXDLN14TP
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462320
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
3.3mA
增益
19dB
噪声系数
0.5dB

描述MXDLN14TP 是一种专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计的高增益双频低噪声放大器 (LNA)。该产品具有极低的噪声系数 (0.5dB) 和出色的线性度。

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近期成交77单

MXD8625C-3G/4G应用的单刀双掷射频开关
MXD8625C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285546
电路结构
单刀双掷
频率
100MHz~3GHz
隔离度
28dB
插入损耗
0.35dB

描述MXD8625C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于3G/4G应用。它具有宽带频率范围(0.1到3GHz)、低插入损耗(0.35dB@2.7GHz)和高隔离度(28dBupto2.7GHz)。无需外部直流阻断电容器,采用6引脚QFN封装,尺寸为1.1mmx0.7mmx0.45mm。

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近期成交22单

适用于2G/3G/4G应用的SP4T射频开关
MXD8641H
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C285560
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V

描述MXD8641H是一款适用于2G/3G/4GTRX应用的SOISP4T开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能,最高工作频率可达2.7GHz。此外,该开关能够处理高达36dBm的高功率信号,并具有内部ESD保护装置。

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近期成交4单

0.1-3.0GHzSP3T射频开关
MXD8638C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-9(1.1x1.1)
类目
射频开关
编号
C285557
电路结构
单刀三掷
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.5dB

描述MXD8638C是一款CMOSSOI(绝缘体上的硅)单刀三掷(SP3T)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收和发射以及802.11b/g/nWLAN应用。其高线性性能和低插入损耗使其成为手机和数据卡应用的理想选择。

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