
Maxscend(卓胜微)
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描述MXD8921LG 是一款专为 LTE 低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的 SiGe 工艺制造。它具有宽带频率范围(600 MHz 至 960 MHz),在低噪声模式下工作时消耗 5.5 mA 的电流,而在旁路模式下功耗可降至小于 1 μA。该器件采用小型 1.1 mm x 0.7 mm x 0.45 mm 的 6 引脚 LGA 封装。
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描述MXD8116LE 是一个集成低噪声、高增益 LNA 和低插入损耗 SP6T 的 LTE 接收模块,用于多输入 LTE 接收。
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描述MXDLN16TP 是一款高增益、低噪声放大器 (LNA),专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计。该产品具有 0.5dB 的极低噪声系数、18dB 的增益和出色的线性度。
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描述MXDLN14TP 是一种专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计的高增益双频低噪声放大器 (LNA)。该产品具有极低的噪声系数 (0.5dB) 和出色的线性度。
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描述MXD8921L是一款专为LTE低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的SiGe工艺。该产品具有两种工作模式:低噪声模式和旁路模式。
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描述MXD8512A是一款基于CMOSSOI技术的单刀单掷(SPST)开关,具有高线性度和坚固性能,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
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描述MXD8544B是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀四掷(SP4T)开关,具有高线性和坚固性,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机的天线调谐应用。
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描述MXD8668B是一个低损耗、高隔离的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,频率范围为700MHz到3000MHz。
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描述MXD8668C是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部直流阻断电容器。
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描述MXD8546F是一个CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
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描述MXD8533B是一种基于CMOS绝缘体上硅(SOI)技术的三单刀单掷(3xSPST)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
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描述MXDLN02G是一款低电流、高增益、低噪声的FM接收低噪声放大器。该产品具有0.9dB的优异噪声系数和20dB的增益。
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描述MXD8626L是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换。
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描述MXD8015HC 是一款专为 LTE 中频和高频段设计的高增益、低噪声放大器,采用先进的 RFCMOS 工艺制造。
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描述MXD8546FA是一款CMOS,Silicon-On-Insulator(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
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描述MXDLN16TL 是一款专为 GPS、GLONASS、Galileo 和北斗标准设计的高增益低噪声放大器,具有出色的线性度。
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描述MXD8626是一款用于3G/4G应用的单刀双掷(SPDT)射频开关,通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行控制。
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描述MXD8651是一款低损耗、高隔离度的SP5T射频开关,适用于接收分集路由应用。它兼容+1.0V控制逻辑,支持多频段操作(700MHz至2700MHz),并且封装在紧凑的2mmx2mmx0.55mmQFN封装中。
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描述MXD8641H是一款适用于2G/3G/4GTRX应用的SOISP4T开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能,最高工作频率可达2.7GHz。此外,该开关能够处理高达36dBm的高功率信号,并具有内部ESD保护装置。
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描述MXD8625C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于3G/4G应用。它具有宽带频率范围(0.1到3GHz)、低插入损耗(0.35dB@2.7GHz)和高隔离度(28dBupto2.7GHz)。无需外部直流阻断电容器,采用6引脚QFN封装,尺寸为1.1mmx0.7mmx0.45mm。
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描述MXD8529A是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,具有高线性和鲁棒性性能,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
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描述MXD86C2是一款低损耗、高隔离度的12通道射频开关,适用于天线TRX应用。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部DC阻断电容器。
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描述MXD8628是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SP2T)射频开关,具有高线性度和低插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用。
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描述MXD8546是一款CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,适用于0.4到3.8GHz的应用。该开关提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
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描述MXD8641是一款适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能。
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描述MXD8666是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制接口,支持多频段操作,频率范围从700MHz到3000MHz。采用紧凑的2mmx2mmQFN-14封装,无需外部直流阻断电容器。
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描述MXD8631是一种CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀三掷(SP3T)接收开关。其高线性性能和低插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用的理想选择。
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描述MXD8621C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换控制。
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描述MXD8529是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE频段和模式切换。其高线性和坚固性性能以及极低的插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备天线调谐应用的理想选择。
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