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  • 类目
    • 射频开关
    • 射频低噪声放大器
    • 射频模块
    • 声表面波滤波器(SAW)
    • 单片机(MCU/MPU/SOC)
    多选
  • 封装
    • LGA-6(0.7x1.1)
    • QFN-14-EP(2x2)
    • DFN-6(0.7x1.1)
    • QFN-10(1.1x1.5)
    • QFN-12-EP(2x2)
    • DFN-6(1x1.5)
    • LGA-9(1.2x1.2)
    • QFN-9(1.1x1.1)
    • LGA-6(0.9x1.1)
    • QFN-12-EP(1.8x1.8)
    • QFN-20-EP(2.4x2.4)
    • QFN-6(0.7x1.1)
    • QFN-6(1x1)
    • DFN-10(1.1x1.5)
    • DFN-5(0.9x1.1)
    • LGA-11(1.7x1.8)
    • LGA-18(2x2.4)
    • LGA-6(1x1.5)
    • LGA-8(1.4x1.5)
    • QFN-11
    多选
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价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数72
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

用于LTE低频段接收的高增益低噪声放大器
MXD8921LG
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462516
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
5.5mA
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXD8921LG 是一款专为 LTE 低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的 SiGe 工艺制造。它具有宽带频率范围(600 MHz 至 960 MHz),在低噪声模式下工作时消耗 5.5 mA 的电流,而在旁路模式下功耗可降至小于 1 μA。该器件采用小型 1.1 mm x 0.7 mm x 0.45 mm 的 6 引脚 LGA 封装。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7551
8.5折起
  • 1.2295
  • 1.009945
  • 0.843115
  • 0.767465
  • 0.733805
  • 0.71366
现货最快4小时发货
广东仓
7525

10000/圆盘

总额0

近期成交9单

集成低噪声放大器和多路开关的LTE接收模块
MXD8116LE
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频模块
编号
C462316

描述MXD8116LE 是一个集成低噪声、高增益 LNA 和低插入损耗 SP6T 的 LTE 接收模块,用于多输入 LTE 接收。

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SMT扩展库

5
  • 0.5654
  • 0.4947
  • 0.46445
  • 0.42665
  • 0.40985
  • 0.35335
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4785

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

MXD2656A1
MXD2656A1
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-32-EP(4x4)
类目
单片机(MCU/MPU/SOC)
编号
C2902428
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SMT扩展库

5
  • 3.125
  • 2.825
  • 2.66
  • 2.475
  • 2.205
  • 2.165
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1966

3000/圆盘

总额0

用于全球导航卫星系统的高增益低噪声放大器
MXDLN16TP
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462310
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
3mA
增益
18dB
P1dB
-10dBm

描述MXDLN16TP 是一款高增益、低噪声放大器 (LNA),专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计。该产品具有 0.5dB 的极低噪声系数、18dB 的增益和出色的线性度。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5085
  • 0.9623
  • 0.7751
  • 0.6815
  • 0.6113
  • 0.4864
现货最快4小时发货
广东仓
5060

6000/圆盘

总额0

近期成交21单

用于双频GNSS应用的高增益低噪声放大器
MXDLN14TP
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462320
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
3.3mA
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXDLN14TP 是一种专为 GPS、GLONASS、Galileo 和 Beidou 标准设计的高增益双频低噪声放大器 (LNA)。该产品具有极低的噪声系数 (0.5dB) 和出色的线性度。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4250
  • 1.5061
  • 1.1856
  • 1.0483
  • 0.877
现货最快4小时发货
广东仓
2290
江苏仓
5

10000/圆盘

总额0

近期成交89单

用于LTE低频段的高增益低噪声放大器
MXD8921L
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462324
工作电压
1.6V~3.6V
工作电流
3.9mA
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXD8921L是一款专为LTE低频段接收设计的高增益低噪声放大器,采用先进的SiGe工艺。该产品具有两种工作模式:低噪声模式和旁路模式。

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SMT扩展库

6.3折起
  • 0.643499
  • 0.496984
  • 0.403389
  • 0.371574
  • 0.357399
  • 0.348894
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3805

10000/圆盘

总额0

近期成交2单

0.5~4.0GHzSPST天线调谐开关
MXD8512A
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C462317

描述MXD8512A是一款基于CMOSSOI技术的单刀单掷(SPST)开关,具有高线性度和坚固性能,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4554
5
  • 0.69525
  • 0.60865
  • 0.5715
  • 0.5252
  • 0.50455
  • 0.43315
现货最快4小时发货
广东仓
4554
江苏仓
2

10000/圆盘

总额0

近期成交6单

0.1-3.0GHz四通道天线调谐开关
MXD8544B
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-10(1.1x1.5)
类目
射频开关
编号
C285580
隔离度
27dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8544B是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀四掷(SP4T)开关,具有高线性和坚固性,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机的天线调谐应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1971
8折起
  • 1.6678
  • 1.31805
  • 1.10192
  • 1.01496
  • 0.97624
  • 0.95304
现货最快4小时发货
广东仓
1945

5000/圆盘

总额0

近期成交7单

用于LTE天线分集接收的低损耗高隔离SP6T射频开关
MXD8668B
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462302
隔离度
24dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-20℃~+85℃

描述MXD8668B是一个低损耗、高隔离的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,频率范围为700MHz到3000MHz。

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  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.68045
  • 0.5954
  • 0.55895
  • 0.5135
  • 0.49325
  • 0.42525
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4995

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

带MIPI控制的SP6T射频开关,适用于LTE天线分集
MXD8668C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462303
隔离度
40dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-20℃~+85℃

描述MXD8668C是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部直流阻断电容器。

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  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.68045
  • 0.5954
  • 0.55895
  • 0.5135
  • 0.49325
  • 0.42525
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4890

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

0.4~3.8GHzX-DPDT射频开关
MXD8546F
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-12-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C285564
隔离度
31dB
工作电压
1.8V~3.3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8546F是一个CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3970
6.8
  • 0.733312
  • 0.643348
  • 0.604792
  • 0.556716
  • 0.535296
  • 0.474504
现货最快4小时发货
广东仓
3933

5000/圆盘

总额0

近期成交8单

0.4~3.8GHz3xSPST天线调谐开关
MXD8533B
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-11(1.7x1.8)
类目
射频开关
编号
C462327
隔离度
38dB
工作电压
1.7V~3.3V
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXD8533B是一种基于CMOS绝缘体上硅(SOI)技术的三单刀单掷(3xSPST)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4810
5
  • 0.75215
  • 0.65355
  • 0.6113
  • 0.55855
  • 0.5351
  • 0.493
现货最快4小时发货
广东仓
4810

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

FM低噪声放大器
MXDLN02G
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
DFN-6(1x1.5)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462305
工作电压
1.6V~3.3V
工作电流
10mA
增益
22dB
P1dB
-17dBm

描述MXDLN02G是一款低电流、高增益、低噪声的FM接收低噪声放大器。该产品具有0.9dB的优异噪声系数和20dB的增益。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2787
5
  • 0.3493
  • 0.2725
  • 0.2341
  • 0.10265
  • 0.0898
  • 0.084
现货最快4小时发货
广东仓
2710

5000/圆盘

总额0

近期成交8单

3G/4G应用的SPDT射频开关
MXD8626L
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285549
隔离度
25dB
插入损耗
0.45dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8626L是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5170
5
  • 0.4318
  • 0.343
  • 0.2986
  • 0.13265
  • 0.1038
  • 0.09715
现货最快4小时发货
广东仓
5170

6000/圆盘

总额0

近期成交1单

用于LTE中高频段的低噪声放大器
MXD8015HC
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
DFN-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C285539
工作电压
1.6V~3.3V
工作电流
6mA
增益
13dB
P1dB
-4dBm

描述MXD8015HC 是一款专为 LTE 中频和高频段设计的高增益、低噪声放大器,采用先进的 RFCMOS 工艺制造。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4996
  • 0.6303
  • 0.4982
  • 0.4322
  • 0.3827
  • 0.3431
现货最快4小时发货
广东仓
4995

6000/圆盘

总额0

近期成交4单

0.4至3.8GHz宽带双刀双掷射频开关
MXD8546FA
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-12-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462321
隔离度
30dB
工作电压
1.7V~3.3V
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXD8546FA是一款CMOS,Silicon-On-Insulator(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3636
5.6
  • 0.661136
  • 0.574392
  • 0.537152
  • 0.490784
  • 0.47012
  • 0.457688
现货最快4小时发货
广东仓
3636
江苏仓
836

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

用于全球导航卫星系统的高增益低噪声放大器
MXDLN16TL
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频低噪声放大器
编号
C462323
工作电压
1.6V~3.3V
工作电流
800uA
工作温度
-40℃~+90℃

描述MXDLN16TL 是一款专为 GPS、GLONASS、Galileo 和北斗标准设计的高增益低噪声放大器,具有出色的线性度。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1738
7.1
  • 1.633
  • 1.4271
  • 1.3348
  • 1.2283
  • 1.1786
  • 1.1502
现货最快4小时发货
广东仓
1718

5000/圆盘

总额0

近期成交13单

用于3G/4G应用的单刀双掷射频开关
MXD8626
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285548

描述MXD8626是一款用于3G/4G应用的单刀双掷(SPDT)射频开关,通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行控制。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1819
5
  • 0.4369
  • 0.3457
  • 0.3001
  • 0.13295
  • 0.1066
  • 0.09975
现货最快4小时发货
广东仓
1810

6000/圆盘

总额0

近期成交2单

用于接收分集的SP5T射频开关
MXD8651
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462312

描述MXD8651是一款低损耗、高隔离度的SP5T射频开关,适用于接收分集路由应用。它兼容+1.0V控制逻辑,支持多频段操作(700MHz至2700MHz),并且封装在紧凑的2mmx2mmx0.55mmQFN封装中。

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  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.5822
  • 0.5094
  • 0.47825
  • 0.43935
  • 0.422
  • 0.36385
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2910

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

适用于2G/3G/4G应用的SP4T射频开关
MXD8641H
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C285560
隔离度
25dB
插入损耗
0.5dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-20℃~+85℃

描述MXD8641H是一款适用于2G/3G/4GTRX应用的SOISP4T开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能,最高工作频率可达2.7GHz。此外,该开关能够处理高达36dBm的高功率信号,并具有内部ESD保护装置。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3031
  • 0.6898
  • 0.5554
  • 0.4882
  • 0.4378
现货最快4小时发货
广东仓
2970

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

MXD8625C-3G/4G应用的单刀双掷射频开关
MXD8625C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285546
隔离度
28dB
插入损耗
0.35dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8625C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于3G/4G应用。它具有宽带频率范围(0.1到3GHz)、低插入损耗(0.35dB@2.7GHz)和高隔离度(28dBupto2.7GHz)。无需外部直流阻断电容器,采用6引脚QFN封装,尺寸为1.1mmx0.7mmx0.45mm。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3082
  • 0.3033
  • 0.2385
  • 0.2061
  • 0.1818
现货最快4小时发货
广东仓
3030

6000/圆盘

总额0

近期成交22单

0.1-3.0GHzSPDT天线调谐开关
MXD8529A
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-8(1.4x1.5)
类目
射频开关
编号
C462314
隔离度
25dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-35℃~+90℃

描述MXD8529A是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,具有高线性和鲁棒性性能,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2559
5
  • 0.35075
  • 0.3069
  • 0.28815
  • 0.2647
  • 0.25425
  • 0.248
现货最快4小时发货
广东仓
2559

5000/圆盘

总额0

近期成交3单

带MIPI接口的12通道射频开关,适用于LTETRX应用
MXD86C2
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-18(2x2.4)
类目
射频开关
编号
C285572
隔离度
35dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-20℃~+85℃

描述MXD86C2是一款低损耗、高隔离度的12通道射频开关,适用于天线TRX应用。兼容MIPI控制,支持多频段操作,无需外部DC阻断电容器。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2805
5
  • 0.96
  • 0.845
  • 0.795
  • 0.73
  • 0.655
  • 0.635
现货最快4小时发货
广东仓
2805

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

0.1-3.0GHzSP2T射频开关
MXD8628
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-9(1.2x1.2)
类目
射频开关
编号
C285552

描述MXD8628是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SP2T)射频开关,具有高线性度和低插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存669
5
  • 0.2427
  • 0.1923
  • 0.1671
  • 0.0665
  • 0.05895
  • 0.05515
现货最快4小时发货
广东仓
660

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

0.4~3.8GHz宽带射频双刀双掷开关
MXD8546
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-12-EP(1.8x1.8)
类目
射频开关
编号
C462298
隔离度
45dB
工作电压
1.8V~3.3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8546是一款CMOS、绝缘体上硅(SOI)双刀双掷(DPDT)射频开关,适用于0.4到3.8GHz的应用。该开关提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

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近期成交8单

适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关
MXD8641
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C285559
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.4dB
工作电压
2.5V~3V

描述MXD8641是一款适用于2G/3G/4G接收应用的SP4T射频开关,具有非常低的插入损耗、高隔离度和出色的线性性能。

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近期成交24单

用于LTE分集接收的SP6T射频开关
MXD8666
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-14-EP(2x2)
类目
射频开关
编号
C462300

描述MXD8666是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关,适用于天线分集接收。兼容MIPI控制接口,支持多频段操作,频率范围从700MHz到3000MHz。采用紧凑的2mmx2mmQFN-14封装,无需外部直流阻断电容器。

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0.1-3.0GHz单刀三掷射频开关
MXD8631
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
QFN-9(1.1x1.1)
类目
射频开关
编号
C285555
隔离度
28dB
插入损耗
0.6dB
工作电压
2.5V~3V
工作温度
-30℃~+85℃

描述MXD8631是一种CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀三掷(SP3T)接收开关。其高线性性能和低插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用的理想选择。

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近期成交3单

适用于3G/4G应用的单刀双掷射频开关
MXD8621C
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
DFN-6(0.7x1.1)
类目
射频开关
编号
C285542
频率
100MHz~3GHz
隔离度
25dB
插入损耗
0.45dB
工作电压
2.5V~3V

描述MXD8621C是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于GSM/WCDMA/LTE接收应用。通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行切换控制。

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0.1-3.0GHzSPDT天线调谐开关
MXD8529
品牌
Maxscend(卓胜微)
封装
LGA-8(1.4x1.5)
类目
射频开关
编号
C285574

描述MXD8529是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,适用于GSM/WCDMA/LTE频段和模式切换。其高线性和坚固性性能以及极低的插入损耗使其成为GSM/WCDMA/LTE手持设备天线调谐应用的理想选择。

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