
DOWO(东沃)
进入品牌官网DOWOSEMI (东沃电子) 是一家位于浙江省杭州市的高新技术企业,专注于高品质电路保护器件的研发、生产和销售。主要产品线包括TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、GDT陶瓷气体放电管、MOV压敏电阻、PPTC自恢复保险丝和TSS半导体放电管。
DOWOSEMI (东沃电子) 是一家位于浙江省杭州市的高新技术企业,专注于高品质电路保护器件的研发、生产和销售。主要产品线包括TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、GDT陶瓷气体放电管、MOV压敏电阻、PPTC自恢复保险丝和TSS半导体放电管。
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描述SD05C旨在采用单片硅技术,替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻,以提供快速响应时间和超低ESD钳位电压,使其成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD05C符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。SD05C采用无铅SOD - 323封装。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。
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描述PESD2CAN是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD2CAN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。该器件采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。
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描述ESD56151W04-2/TR是一款双向高功率TVS二极管,采用领先的单片硅技术,可实现快速响应时间和低ESD钳位电压,使其成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD56151W04-2/TR符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电±15 kV,接触放电±8 kV。它采用超小型无铅SOD-323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD56151W04-2/TR成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。
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描述双向 反向截止电压(Vrwm):24V@Max 击穿电压(最小值):26.7V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8A@8/20us 最大钳位电压:54V
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描述NUP2105LT1G是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV,采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。
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描述PESD1CAN是一款双向TVS二极管阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD1CAN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。它采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。
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描述RCLAMP0502B是一款超低电容TVS阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。RCLAMP0502B电容极低,典型值为0.3pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。该器件采用3引脚无铅SOT - 523封装。小尺寸、低电容和高水平ESD保护的特性使其非常适合用于HDMI、MDDI、天线电路、USB 2.0。
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