HUAYI(华羿微)

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华羿微电子股份有限公司（Hymexa），成立于2017年，是华天电子集团旗下专注于半导体功率器件研发设计、封测及销售的高新技术企业。主要产品线包括MOSFET、Trench MOSFET和SGT MOSFET。

类目
- 场效应管(MOSFET)
封装
- TO-220
- TO-263
- TO-252
- DFN-8(5x6)
- TO-247
- TO-263-6
- SOP-8
- DFN-8(3x3)
- TOLL-8L
- PPAK(5x6)
- DFN-6(2x3)
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-220F
- TO-3P
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自营结果数341

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操作

爆款

HYG053N10NS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2986239

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 95A

导通电阻(RDS(on)): 5.3mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存57K+

1+￥2.44
10+￥1.92
30+￥1.66
100+￥1.44
500+￥1.28
1000+￥1.24

现货最快4小时发货

广东仓: 54K+

江苏仓: 9394

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

爆款

HYG025N06LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2827231

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 170A

导通电阻(RDS(on)): 3.8mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存43K+

1+￥3.65
10+￥2.91
30+￥2.55
100+￥2.24
500+￥1.73
1000+￥1.67

现货最快4小时发货

广东仓: 42K+

江苏仓: 3982

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

爆款

HY19P03D

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-252-2

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C122492

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@4.5V,45A

描述P沟道 -30V -90A ，4.8mΩ导通电阻

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

5+￥1.6857
50+￥1.3362
150+￥1.1656
500+￥1.0134
2500+￥0.8566
5000+￥0.8315

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

江苏仓: 13K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HYG015N03LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18222234

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@4.5V,20A

耗散功率(Pd): 62.5W

描述MOSFET

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

5+￥1.6842
50+￥1.2986
150+￥1.1334
500+￥0.9272
2500+￥0.866
5000+￥0.8109

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交30单

HYG090ND06LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2999758

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 56A

导通电阻(RDS(on)): 14.8mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6564

5+￥2.4145
50+￥1.9154
150+￥1.7015
500+￥1.3388
2500+￥1.22
5000+￥1.1487

现货最快4小时发货

广东仓: 5820

江苏仓: 14K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HYG011N04LS1TA

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2874971

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 320A

导通电阻(RDS(on)): 1.7mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+

1+￥4.32
10+￥3.57
30+￥3.19
100+￥2.81
500+￥2.1
1200+￥1.98

现货最快4小时发货

广东仓: 15K+

江苏仓: 1829

1200个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HYG015N10NS1TA

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2979263

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 380A

导通电阻(RDS(on)): 1.5mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存215

1+￥12.05
10+￥10.24
30+￥9.12
100+￥7.71
500+￥7.19
1000+￥6.96

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3274

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HYG080N10LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3011225

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

5+￥2.1339
50+￥1.6897
150+￥1.4993
500+￥1.1433
2500+￥1.0375
5000+￥0.9741

现货最快4小时发货

广东仓: 9870

江苏仓: 3540

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交60单

HYG210P06LQ1D

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2834760

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 32mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2398

5+￥1.7162
50+￥1.3651
150+￥1.2146
500+￥1.0269
2500+￥0.8631
5000+￥0.813

现货最快4小时发货

广东仓: 1895

江苏仓: 10K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HYG013N03LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2763405

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 2.8mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 65W

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+

5+￥2.2488
50+￥1.7865
150+￥1.5883
500+￥1.1989
2500+￥1.0889
5000+￥1.0228

现货最快4小时发货

广东仓: 14K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交45单

HYG009N04LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2890387

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 200A

导通电阻(RDS(on)): 1.4mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4048

1+￥4.5
10+￥3.7
30+￥3.3
100+￥2.9
500+￥2.39
1000+￥2.27

现货最快4小时发货

广东仓: 3652

江苏仓: 5822

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

HYG016N10NS1TA

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6851451

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 370A

导通电阻(RDS(on)): 1.35mΩ@10V,100A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3132

1+￥7.84
10+￥6.58
30+￥5.89
100+￥4.56
500+￥4.22
1200+￥4.06

现货最快4小时发货

广东仓: 2397

江苏仓: 2532

1200个/圆盘

个

总额￥0

近期成交51单

HYG015N04LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2874970

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 2.4mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6348

1+￥3.55
10+￥2.87
30+￥2.58
100+￥2.21
500+￥1.79
1000+￥1.69

现货最快4小时发货

广东仓: 6201

江苏仓: 2138

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交69单

HYG060N08NS1D

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2827238

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4014

5+￥2.1893
50+￥1.7406
150+￥1.5484
500+￥1.3085
2500+￥1.1228
5000+￥1.0587

现货最快4小时发货

广东仓: 3625

江苏仓: 1430

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交55单

HYG120P06LR1D

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2844410

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4075

1+￥2.46
10+￥1.95
30+￥1.74
100+￥1.47
500+￥1.27
1000+￥1.2

现货最快4小时发货

广东仓: 3984

江苏仓: 817

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交52单

HYG025N04NA1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2917677

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 190A

导通电阻(RDS(on)): 1.8mΩ@10V

耗散功率(Pd): 130W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7619

1+￥3.12
10+￥2.38
30+￥2.07
100+￥1.67
1000+￥1.57

现货最快4小时发货

广东仓: 7167

江苏仓: 1

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

HYG025N06LS1D

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2891600

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 160A

导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1319

1+￥3.66
10+￥3
30+￥2.67
100+￥2.34
500+￥1.91
1000+￥1.81

现货最快4小时发货

广东仓: 1161

江苏仓: 2394

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

HYG011N04LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2911692

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 165A

导通电阻(RDS(on)): 1.9mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5604

1+￥3.71
10+￥2.96
30+￥2.58
100+￥2.2
500+￥1.98
1000+￥1.86

现货最快4小时发货

广东仓: 5600

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

HYG019N06LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7436878

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 1.6mΩ@10V,50A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2304

1+￥4.33
10+￥3.49
30+￥3.07
100+￥2.65
500+￥2.3
1000+￥2.17

现货最快4小时发货

广东仓: 2051

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交63单

HY4008B

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-263-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C110332

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 200A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V,100A

描述N沟道

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2521

1+￥6.8
10+￥5.52
30+￥4.88
100+￥4.25
500+￥3.72
800+￥3.53

现货最快4小时发货

广东仓: 2495

江苏仓: 1469

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交42单

HYG038N03LR1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5205138

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 84A

导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5351

5+￥0.7163
50+￥0.5687
150+￥0.4948
500+￥0.4395
2500+￥0.3721
5000+￥0.35

现货最快4小时发货

广东仓: 4245

江苏仓: 4615

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

HYG180N10LS1C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5121300

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 46A

导通电阻(RDS(on)): 16.5mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9500

5+￥1.5656
50+￥1.2227
150+￥1.0758
500+￥0.8925
2500+￥0.7701
5000+￥0.7211

现货最快4小时发货

广东仓: 9030

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

HY1904C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PPAK-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C358116

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7347

5+￥1.5766
50+￥1.249
150+￥1.1086
500+￥0.9335
2500+￥0.8005
5000+￥0.7537

现货最快4小时发货

广东仓: 7115

江苏仓: 2240

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交32单

HY1908D

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C108891

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V,45A

耗散功率(Pd): 64W

描述N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4318

1+￥2.37
10+￥1.87
30+￥1.65
100+￥1.38
500+￥1.14
1000+￥1.07

现货最快4小时发货

广东仓: 4131

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交57单

HY19P03B

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-263-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C410273

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3485

1+￥2.52
10+￥2
30+￥1.78
100+￥1.5
500+￥1.29
800+￥1.21

现货最快4小时发货

广东仓: 3449

江苏仓: 318

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交57单

HYG053N10NS1B

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TO-263-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2894735

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1160

1+￥3.02
10+￥2.4
30+￥2.14
100+￥1.81
500+￥1.54
800+￥1.45

现货最快4小时发货

广东仓: 976

江苏仓: 1540

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交63单

HYG017N10NS1TA

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5205219

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 330A

导通电阻(RDS(on)): 1.6mΩ@10V,100A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1420

1+￥6.73
10+￥5.65
30+￥5.06
100+￥4.38
500+￥3.46
1200+￥3.32

现货最快4小时发货

广东仓: 1282

江苏仓: 843

1200个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

HYG022N10NS1TA

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2925050

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 249A

导通电阻(RDS(on)): 2.8mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2364

1+￥6.8
10+￥5.69
30+￥5.08
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HY12P03C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: DFN-8(5.2x5.9)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C358006

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@4.5V

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HYG110P04LQ2C2

品牌: HUAYI(华羿微)

封装: PDFN-8(5.9x5.2)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2891580

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V

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HUAYI(华羿微)

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