PN SILICON(智晶)

上海智晶半导体科技有限公司成立于2014年，总部位于上海张江高科技园区，是一家专注于半导体功率器件研发的公司。主要产品线包括TVS器件、MOSFET、锂电池保护IC、半导体放电管、肖特基二极管、碳化硅肖特基、稳压二极管、快恢复二极管及开关二极管。

类目
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
- 稳压二极管
- 肖特基二极管
多选
封装
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOD-123
- DFN0603-2
- SOT-23(TO-236)
- DFN-3(2x2)
- DFN1610-2
- SOD-323(SC-90)
- SMB(DO-214AA)
多选

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自营结果数25

型号/品牌/封装/类目
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PESDU3321P0

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN0603-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610236

类型: ESD

描述PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据的理想选择。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型0.6x0.3x0.3mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD保护能力使PESDU3321P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备。

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SMT补贴嘉立创库存7163

20+￥0.1995
200+￥0.1565
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广东仓: 7160

江苏仓: 40

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近期成交8单

PESDU2401P1

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN1006-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610232

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 24V

钳位电压: 44V

击穿电压: 27V

描述PESDU2401P1是一款24V单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU2401P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2401P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存9479

10+￥0.2053
100+￥0.1813
300+￥0.1693
1000+￥0.1602
5000+￥0.1413

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广东仓: 9470

10000个/圆盘

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近期成交2单

PESDU3361P1

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610237

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 15V

峰值脉冲电流(Ipp): 30A@8/20us

描述PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，响应速度快、电容极低且静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

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SMT补贴嘉立创库存9071

20+￥0.1679
200+￥0.1317
600+￥0.1116
2000+￥0.0995

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广东仓: 9060

10000个/圆盘

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近期成交1单

PESDU0521P0N

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN0603-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610222

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

描述PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

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SMT补贴嘉立创库存2986

20+￥0.1425
200+￥0.1118
600+￥0.0947
2000+￥0.0845

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广东仓: 2980

江苏仓: 100

10000个/圆盘

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近期成交6单

PESDU4831P4-3

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN2020-3(2x2)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610243

反向截止电压(Vrwm): 4.85V

钳位电压: 20V

峰值脉冲功率(Ppp): 6kW@8/20us

击穿电压: 6.5V

描述PESDU4831P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS），采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感线路的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装，引脚采用镀镍钯金工艺。每个器件可保护一条线路。小尺寸和高浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、液晶显示器、USB和多媒体卡接口等应用。

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SMT补贴嘉立创库存2995

5+￥0.605
50+￥0.5342
150+￥0.4988
500+￥0.4722

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广东仓: 2995

3000个/圆盘

个

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PESDU1261P1

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN1006-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610227

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 12V

钳位电压: 25V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

描述PESDU1261P1是12V双向TVS二极管，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU1261P1符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD保护使PESDU1261P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存4870

20+￥0.1837
200+￥0.1441
600+￥0.1221
2000+￥0.1089

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广东仓: 4860

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

PESDU4581P6

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN1610-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610241

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 4.5V

钳位电压: 18V

击穿电压: 4.8V

描述PESDU4581P6是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU4581P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU4581P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存2577

5+￥0.567
50+￥0.4517
150+￥0.394
500+￥0.3507

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广东仓: 2575

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PESDU4501P4-3

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN2020-3(2x2)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610238

反向截止电压(Vrwm): 4.5V

钳位电压: 20V

峰值脉冲电流(Ipp): 280A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 5.6kW@8/20us

描述PESDU4501P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS），响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感线路的理想解决方案。PESDU4501P4 - 3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装，引脚采用镍钯金（NiPdAu）镀层。每个器件可保护一条线路。小尺寸与高浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、液晶显示器（LCD）、通用串行总线（USB）和多媒体卡接口等应用。

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SMT补贴嘉立创库存2565

5+￥0.6864
50+￥0.5467
150+￥0.4769
500+￥0.4245

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广东仓: 2565

3000个/圆盘

个

总额￥0

PESDR0511P0A

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN0603-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610219

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

描述PESDR0511P0A是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，PESDR0511P0A可提供高达±15kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT补贴嘉立创库存3108

20+￥0.2598
200+￥0.2059
600+￥0.1759
2000+￥0.1579

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广东仓: 3100

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

PESDU2881D3

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610250

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 2.8V

钳位电压: 20V

峰值脉冲电流(Ipp): 150A@8/20us

描述PESDU2881D3是一款2.8V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用无铅SOD - 323封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2881D3成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存2648

10+￥0.4047
100+￥0.3224
300+￥0.2812

现货最快4小时发货

广东仓: 2640

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PESDU2481D1F

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOD-123FL

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C340679

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 24V

钳位电压: 35V

击穿电压: 25V

描述PESDU2481D1F是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用SOD - 123FL无铅封装。小巧的尺寸和高ESD/浪涌保护能力，使PESDU2481D1F成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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5+￥0.4978
50+￥0.3965
150+￥0.3459
500+￥0.3079

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广东仓: 0

江苏仓: 2310

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PM2301

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C557972

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2.8A

耗散功率(Pd): 350mW

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SMT补贴嘉立创库存246

20+￥0.1953
200+￥0.1532
600+￥0.1298

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广东仓: 240

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

PM2302

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C694851

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2.3A

耗散功率(Pd): 350mW

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20+￥0.2003
200+￥0.1571
600+￥0.1331

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广东仓: 0

江苏仓: 860

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

PSB521BS-40

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN1006-2L

类目: 肖特基二极管

编号: C610245

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SMT补贴嘉立创库存18

20+￥0.1312
200+￥0.1025
600+￥0.0865

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 20

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

PM3400

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C694857

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

耗散功率(Pd): 350mW

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SMT补贴嘉立创库存9

10+￥0.2572
100+￥0.2068
300+￥0.1816

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 230

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

PESDU2471D1FT

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOD-123FL

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610233

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 24V

钳位电压: 37V

峰值脉冲电流(Ipp): 200A@8/20us

描述PESDU2471D1FT是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30kV。它采用SOD - 123FL无铅封装。小尺寸和高ESD/浪涌保护能力使PESDU2471D1FT成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存160

10+￥0.4342
100+￥0.3553
300+￥0.3158

现货最快4小时发货

广东仓: 160

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PESDU0571P6

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: DFN1610-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610224

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 15V

峰值脉冲电流(Ipp): 125A@8/20us

描述PESDUxx71P6是一款单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDUxx71P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDUxx71P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存60

5+￥0.5223
50+￥0.416
150+￥0.3629

现货最快4小时发货

广东仓: 60

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PZL4746

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOD-123FL

类目: 稳压二极管

编号: C610249

二极管配置: 独立式

稳压值(标称值): 18V

反向电流(Ir): 5uA@13.7V

稳压值(范围): 17.1V~18.9V

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SMT补贴嘉立创库存35

10+￥0.3999
100+￥0.3186
300+￥0.2779

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广东仓: 30

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

PESDU1271D3

品牌: PN SILICON(智晶)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C610229

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 12V

钳位电压: 25V

峰值脉冲电流(Ipp): 75A@8/20us

描述PESDUxx71D3是一款单向TVS二极管，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDUxx71D3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD保护能力使PESDUxx71D3成为保护手机、电话、数码相机、音频设备、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。