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首页 > 品牌列表 > 无锡紫光微 >
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无锡紫光微电子有限公司是一家由北京同方微电子有限公司投资的高新技术企业,专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售。公司主要生产SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 6A
  • 导通电阻(RDS(on)): 790mΩ@10V,3A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 18A
    • 导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@10V,9A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 160mΩ@10V,10A
    • 耗散功率(Pd): 34W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 330mΩ@10V,5.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 560mΩ@10V,3A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 45A
    • 导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V,22A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1Ω@10V,1A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@10V,5.5A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@10V,40A
    • 耗散功率(Pd): 450W
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    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 210mΩ@10V,10A
    • 耗散功率(Pd): 198W
    • 阈值电压(Vgs(th)): 4V
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    • 第五阶梯1
    • 第六阶梯1
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      • ¥6.15
      • ¥5.21
      • ¥5.12
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 600mΩ@10V,3.5A
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  • 6.3 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯6.3
    • 第二阶梯6.3
    • 第三阶梯6.3
    • 第四阶梯6.3
    • 第五阶梯6.3
    • 第六阶梯6.3
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 54mΩ@10V,2.6A
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    • 第四阶梯1.9
    • 第五阶梯1.9
    • 第六阶梯1.9
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      ¥0.034257
    • 3000+: 

      ¥0.029241
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 46A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@10V,30A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 220mΩ@10V,5.5A
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第五阶梯4.9
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      ¥1.6464
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      ¥1.6072
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    • 广东仓: 492
      江苏仓: 0
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    • 漏源电压(Vdss): 68V
    • 连续漏极电流(Id): 95A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 3V
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    • 第一阶梯10
    • 第二阶梯9.1
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