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PCB/SMT 工业品面板定制

PIP(丽隽)

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PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS，自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品，广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。公司秉承“诚信、相信、信心、信仰"的企业文化，为客户提供完美、创新、专业的产品和全方位的服务。为客户创造价值是我们永远的宗旨。

类目
- 场效应管(MOSFET)
封装
- TO-220F
- TO-220
- TO-3P
- TO-247
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- SOT-23-6
- TO-3PF
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数据手册

自营结果数88

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400V N沟道MOSFET

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575804

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 450mΩ@10V,5A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12

1+￥1.1929
10+￥1.1684
50+￥1.1521

现货最快4小时发货

广东仓: 12

50个/管

个

总额￥0

1个N沟道耐压:650V 电流:5A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343847

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V

描述N沟道,650V,1.85?@10V,5.0A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2

1+￥1.6365
10+￥1.3089
50+￥1.1685

现货最快4小时发货

广东仓: 2

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

450V N沟道MOSFET

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575807

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 450V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 480mΩ@10V,4.5A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8

1+￥1.3333
10+￥1.3059
50+￥1.2877

现货最快4小时发货

广东仓: 8

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

500V N沟道MOSFET

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575811

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 13A

耗散功率(Pd): 190W

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对比

SMT扩展库

1+￥1.84
10+￥1.8
50+￥1.78

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2

50个/管

个

总额￥0

1个N沟道耐压:600V 电流:0.03A

品牌: PIP(丽隽)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343866

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 30mA

导通电阻(RDS(on)): 700Ω@0V

描述600V

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600V N沟道MOSFET

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575820

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 26A

导通电阻(RDS(on)): 250mΩ@10V,13A

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对比

1个N沟道耐压:60V 电流:55A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343830

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V

描述N沟道,60V,13.5m?@10V,55A

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对比

1个N沟道耐压:800V 电流:10A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343859

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 1.15Ω@10V

描述N沟道,800V,1.0?@10V,10A

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SPTA65R160

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C840437

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PIP8205-Z6

品牌: PIP(丽隽)

封装: SOT-23-6

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575789

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 7A

耗散功率(Pd): 1.5W

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对比

1个N沟道耐压:650V 电流:10A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343851

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述N沟道,650V,0.70?@10V,10A

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对比

1个N沟道耐压:650V 电流:7A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343848

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V

描述N沟道,650V,1.2?@10V,7.0A

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对比

1个N沟道耐压:650V 电流:12A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343852

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 750mΩ@10V

描述N沟道,650V,0.60?@10V,12A

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343855

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 500mΩ@10V

描述N沟道,650V,0.36?@10V,20A

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PTP20N65

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C474408

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 360mΩ@10V,10A

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1个N沟道耐压:650V 电流:4A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-252-2

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343863

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

描述N沟道,650V,1.9?@10V,4.0A

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1个N沟道耐压:650V 电流:8A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343850

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 1.3Ω@10V

描述N沟道,650V,0.85?@10V,8.0A

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1个N沟道耐压:650V 电流:4A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343846

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

描述N沟道,650V,4A,1.9?10V

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对比

1个N沟道耐压:650V 电流:7A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343849

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V

描述N沟道,650V,7.0A,1.1?@10V

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对比

PTP09N20A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575799

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 250mΩ@10V,5.4A

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PSP06N40

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575803

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 780mΩ@10V,3A

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对比

1个N沟道耐压:700V 电流:6A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343856

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 700V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述N沟道,700V,6.0A,1.35?10V

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对比

1个N沟道耐压:800V 电流:4A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C343858

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 4.8Ω@10V

描述N沟道,800V,3.7?@10V,4A

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对比

PTP9506E

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575793

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 68V

连续漏极电流(Id): 95A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V,24A

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对比

PTP09N50

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575810

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,9A

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对比

PTA11N45

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575808

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 450V

连续漏极电流(Id): 11A

导通电阻(RDS(on)): 390mΩ@10V,5.5A

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对比

PTP02N03N

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575790

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 2.6mΩ@10V,24A

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对比

PTA13N45

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575809

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 450V

连续漏极电流(Id): 13A

耗散功率(Pd): 63W

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对比

PTP18N20A

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575801

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V,10A

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对比

PTP08N06NB

品牌: PIP(丽隽)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C575792

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 105A

导通电阻(RDS(on)): 6.1mΩ@10V,50A

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对比