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Potens(博盛半导体)

Potens(博盛半导体)

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Potens是一家中国台湾品牌的半导体公司,其拥有一支非常优秀的研发团队,团队核心成员均为中国台湾富鼎(APEC)的高层,具有丰富的研发经验。Potens目前致力于电源功率半导体的设计与开发,特别是全系列MOSFET,在业内具有相当高的水准。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • SOT-23(TO-236)
    • SOP-8
    • PPAK(5x6)
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • PPAK(3x3)
    • TO-220
    • TO-252
    • DFN-8(3x3)
    • DFN-8(5x6)
    • SOT-89
    • TO-263
    • DFN-6(2x2)
    • SOT-23-6
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自营结果数57
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
PDD0906
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388394
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
15A
导通电阻
90mΩ@10V

描述N沟道 100V 15A 100mΩ@4.5V

  • 收藏
  • 对比
PDC3960X
PDC3960X
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PPAK(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845127
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
耗散功率
135W
  • 收藏
  • 对比
PDS4906
PDS4906
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C371538
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
9A
导通电阻
9mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
PDC3903X
PDC3903X
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PPAK(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845125
  • 收藏
  • 对比
PDN3916S
PDN3916S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845133
  • 收藏
  • 对比
PDC906Z
PDC906Z
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PPAK(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845138
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
60A
  • 收藏
  • 对比
PDC3905Z
PDC3905Z
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PPAK(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C371530
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
30A
导通电阻
15mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
PDC3964X
PDC3964X
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PPAK(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845128
  • 收藏
  • 对比
PDD6902
PDD6902
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845131
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
PDN3912S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C441841
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
6.5A
导通电阻
24mΩ@10V,6A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A
PDN2311S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388392
数量
1个P沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
4.7A
导通电阻
50mΩ@4.5V

描述P沟道,-20V,-4.7A

  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.7A
PDN2312S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C441842
数量
1个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
6.7A
导通电阻
19mΩ@4.5V,4A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
PDS3903
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388396
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
13A
导通电阻
15mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
PDN3909S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C441843
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
5.1A
耗散功率
1.56W
  • 收藏
  • 对比
PDQ3714
PDQ3714
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-6
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388385
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
4A
导通电阻
65mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:60V 电流:5.5A
PDS6910
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388381
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
5.5A
导通电阻
50mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
PDB1216E
PDB1216E
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
DFN-6-EP(2x2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845135
  • 收藏
  • 对比
PDEC2210V
PDEC2210V
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845137
数量
2个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
30A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:60V 电流:8.5A
PDS6903
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C403711
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
8.5A
导通电阻
30mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
PDK3908
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388390
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
7.5A
导通电阻
15.5mΩ@10V

描述N沟道 30V, 7.5A

  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
PDS3812
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388386
数量
2个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
7.5A
导通电阻
20mΩ@10V

描述N沟道,30V,7.5A

  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:176A
PDP3960
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C403715
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
176A
导通电阻
3mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
PDS6904
PDS6904
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C845132
  • 收藏
  • 对比
PDN2309S
PDN2309S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C964595
  • 收藏
  • 对比
PDC3801R
PDC3801R
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
PPAK(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C964587
  • 收藏
  • 对比
PDN3914S
PDN3914S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C964597
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
5.5A
耗散功率
1.56W
  • 收藏
  • 对比
PDN3611S
PDN3611S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C371535
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
4.1A
导通电阻
65mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
PDN2318S
PDN2318S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C964596
数量
1个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
4A
耗散功率
1.56W
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:60V 电流:300mA
PMEN2P7002S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C403712
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
300mA
导通电阻
4Ω@10V
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
PDN6911S
品牌
Potens(博盛半导体)
封装
SOT-23-3S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C388383
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
2A
导通电阻
190mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比