
JKSEMI(金开盛)
进入品牌官网金开盛电子(JKSEMI)以国际一流的电子技术为目标,专注于功率保护器件和高分子PPTC两大系列产品线。主要生产功率保护器件如TVS、ESD、TSS、MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR以及高分子PPTC如PTC、PESD。
金开盛电子(JKSEMI)以国际一流的电子技术为目标,专注于功率保护器件和高分子PPTC两大系列产品线。主要生产功率保护器件如TVS、ESD、TSS、MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR以及高分子PPTC如PTC、PESD。
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描述ULC0511CDN是一款双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间、极低电容和低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ULC0511 CDN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15KV,接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和极低电容使ULC0511CDN成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口和许多其他便携式应用的理想选择。
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描述优秀的ESD箝位和小插入损耗。高瞬态电流能力,最快的响应时间。电容设计为超低值,可以高效地适用于高速数据线。符合EU-RoHS标准。
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描述PESD0402MS05聚合物静电放电(ESD)抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电影响,且不会扭曲数据信号。这得益于其超低电容,仅为0.05 pF(I/O到地),可帮助设备通过IEC61000 - 4 - 2 4级测试(15KV空气放电、8KV接触放电)。
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描述06 100 系列熔断器设定了高性能行业标准,具有可靠性和高质量。无焊设计在使用过程中提供了出色的开关特性和温度循环特性,同时也使我们的SMD熔断器比典型的次微型熔断器更耐热和抗冲击。
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描述06 100 系列熔断器设定了高性能行业标准,在性能、可靠性和质量方面树立了标杆。无焊设计在使用过程中提供了优异的通断特性和温度循环特性,同时也使得 SMD 熔断器比典型的次微型熔断器具有更好的耐热性和抗冲击性。
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描述06 110 系列熔断器是性能、可靠性和质量方面的行业标准。无焊设计在使用过程中提供了出色的开关特性和温度循环特性,同时也使我们的SMD熔断器比典型的亚微型熔断器更耐热和抗冲击。
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描述JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低,典型值为0.4 pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±20 kV,接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具有高ESD浪涌保护能力,使JCA0510D1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。
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