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深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳,在韩国和广州设有分公司。 铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力,为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品,现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等,铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴,产品远销国内外。 我们始终坚持主动了解客户需求,通过不断研发创新,竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案,为客户的成功提供强力支撑。
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清空
240
  • 型号: APG077N01G
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(5.1x5.8)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.2mΩ@10V,40A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±25 Vth(V) 1.5-3 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 6.2/7.7 连续漏极电流ID (A) 90
  • 编号:C2840980
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  • 型号: APG095N01G
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(5.9x5.2)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.2mΩ@10V,20A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.2-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 8.2/9.5 连续漏极电流ID (A) 60
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  • 型号: APG095N01K
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-252-3
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,20A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.2-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 7.5/9.5 连续漏极电流ID (A) 60
  • 编号:C2840978
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  • 型号: AP1310K
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-252
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):68W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.2-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 14/16 连续漏极电流ID (A) 50
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  • 型号: APG022N06G
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(5x6)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,20A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 60 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.5-3 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 1.9/2.3 连续漏极电流ID (A) 150
  • 编号:C2995347
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  • 型号: AP40P05
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,3A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 65/85 连续漏极电流ID (A) 5
  • 编号:C2886385
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  • 型号: AP68N06G
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(5x6)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,25A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 60 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 13.2/16 连续漏极电流ID (A) 50
  • 编号:C2828590
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  • 型号: AP25P06K
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-252
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,12A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -60 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 49/60 连续漏极电流ID (A) 25
  • 编号:C2995326
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  • 型号: AP30H80K
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-252
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 4.1/4.8 连续漏极电流ID (A) 80
  • 编号:C2849564
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  • 型号: AP60P20Q
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: DFN-8(3.3x3.3)
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@4.5V,20A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -20 阈值电压VGS ±12 Vth(V) 0.3/0.6/1.0 导通电阻RDS(ON) (mΩ) - 连续漏极电流ID (A) 60
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  • 型号: AP30P30Q
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN3333-8
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,15A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 7/9 连续漏极电流ID (A) 40
  • 编号:C471913
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  • 型号: AP90P03Q
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(3x3.2)
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,30A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 7/8.5 连续漏极电流ID (A) 60
  • 编号:C2849567
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  • 型号: AP90N03GD
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(5x6)
  • 描述:类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,30A MOSFET类型 N+N 漏源电压(Vdss) (V) 30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 5.2/5.8 连续漏极电流ID (A) 80
  • 编号:C3013877
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  • 型号: AP2300
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.2A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@2.5V,5.2A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 20 阈值电压VGS ±10 Vth(V) 0.3-1 导通电阻RDS(ON) (mΩ) - 连续漏极电流ID (A) 4
  • 编号:C360338
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  • 型号: AP5N10S
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):115mΩ@10V,3A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-3 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 110/135 连续漏极电流ID (A) 3
  • 编号:C2849571
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  • 型号: AP2003
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述:类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):800mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@4.5V,3A MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -20 阈值电压VGS ±12 Vth(V) 0.4-1 导通电阻RDS(ON) (mΩ) - 连续漏极电流ID (A) 3
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  • 型号: AP3910GD
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: DFN-8-EP(5x6)
  • 描述:类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,10A MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 11/14 连续漏极电流ID (A) 30
  • 编号:C2828586
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  • 型号: AP4435C
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOP-8
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):3.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,10A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 16/23 连续漏极电流ID (A) 10
  • 编号:C2833150
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  • 型号: AP4085G
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(4.9x5.8)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):57A 功率(Pd):27.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.9mΩ@10V,12A
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  • 型号: AP4410
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOP-8
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,10A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 6.5/8 连续漏极电流ID (A) 15
  • 编号:C2837277
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  • 型号: AP3908QD
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: DFN-8-EP(3.2x3.1)
  • 描述:类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,10A MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 16/23 连续漏极电流ID (A) 20
  • 编号:C2828585
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  • 型号: AP20P30Q
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: DFN-8(3x3.3)
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,10A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 8.6/11 连续漏极电流ID (A) 35
  • 编号:C2837278
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  • 型号: AP15P03Q
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(3x3.2)
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 15/20 连续漏极电流ID (A) 12
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  • 型号: AP40N06K
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-252
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.5mΩ@10V,15A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 60 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 14.5/18 连续漏极电流ID (A) 40
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  • 型号: AP40N100K
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-252-3
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS 20/-12 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 20/25 连续漏极电流ID (A) 40
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  • 型号: AP200N04
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: TO-220
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,50A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 2.4/2.8 连续漏极电流ID (A) 160
  • 编号:C2995336
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  • 型号: APG046N01G
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8L(5x6)
  • 描述:类型:N 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):85A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@20V,85A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 100 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.5-3 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 3.8/4.6 连续漏极电流ID (A) 85
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  • 型号: AP4407C
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: SOP-8
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,10A MOSFET类型 P 漏源电压(Vdss) (V) -30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 10.5/14 连续漏极电流ID (A) 12
  • 编号:C2849576
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  • 封装: TO-252
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,20A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 20 阈值电压VGS ±12 Vth(V) 0.4-1.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) - 连续漏极电流ID (A) 80
  • 编号:C471916
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  • 型号: AP80N04Q
  • 品牌: ALLPOWER(铨力)
  • 封装: PDFN-8(3.1x3.2)
  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@10V,30A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 5.7/7.5 连续漏极电流ID (A) 40
  • 编号:C2903771
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