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首页 > 品牌列表 > GME(银河微电) >
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常州银河世纪微电子股份有限公司(股票代码:688689.SH)是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,具备IDM模式下的一体化经营能力。产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、碳化硅、光电器件、模拟IC等,可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足客户一站式采购需求。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域。
综合排序 价格 库存 销量
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406
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 正向压降(Vf): 1.25V
  • 直流反向耐压(Vr): 75V
  • 整流电流: 200mA
  • 反向电流(Ir): 1uA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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      江苏仓: 57K+
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    • 正向压降(Vf): 1.25V
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 2.5uA
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    • 广东仓: 53K+
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    • 直流反向耐压(Vr): 400V
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    • 广东仓: 10K
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    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 350mW
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    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 整流电流: 125mA
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    • 直流反向耐压(Vr): 40V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.8A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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      江苏仓: 63K
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 250mW
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      ¥0.0375
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 32K+
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    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 5uA
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      江苏仓: 9400
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    • 正向压降(Vf): 1.25V
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 整流电流: 215mA
    • 反向电流(Ir): 2.5uA
  • 领券
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      ¥0.0596
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    • 正向压降(Vf): 1.7V
    • 直流反向耐压(Vr): 600V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 10uA
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      ¥0.1146
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    • 稳压值(标称值): 10V
    • 功率(Pd): 3W
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      江苏仓: 4970
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.7A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V
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      ¥0.2585
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      ¥0.2094
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      ¥0.1849
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交3单
      已加购
    • 正向压降(Vf): 980mV
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 5uA
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    • 5000个/圆盘
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    • 近期成交4单
      已加购
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.4Ω@10V,500mA
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      江苏仓: 2680
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    • 3000个/圆盘
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    • 近期成交2单
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    • 类型: 1个P沟道
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
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