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首页 > 品牌列表 > Truesemi(信安) >
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信安半导体成立于2008年,位于韩国浦项,2009年,安联集团投资韩国半导体设计领域,并收购了主营POWER MOSFET及IGBT生产和研发的韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。主要生产高压、中低压大电流系列MOSFET及IGBT电力器件。
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 500V
  • 连续漏极电流(Id): 28A
  • 导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@10V,12A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 300V
    • 连续漏极电流(Id): 82A
    • 导通电阻(RDS(on)): 46mΩ@10V,40A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 250V
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    • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 250V
    • 连续漏极电流(Id): 82A
    • 导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@10V,40A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 200V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
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    • 漏源电压(Vdss): 900V
    • 连续漏极电流(Id): 9A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V,4.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 900V
    • 连续漏极电流(Id): 2.53A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.2Ω@10V,2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
    • 导通电阻(RDS(on)): 110mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 200V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 200V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 200V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
    • 导通电阻(RDS(on)): 46mΩ@10V,50A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 24A
    • 导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@10V,12A
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    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 4.5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V,2.25A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 800mΩ@10V,5A
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    • 漏源电压(Vdss): 250V
    • 连续漏极电流(Id): 40A
    • 导通电阻(RDS(on)): 90mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 18A
    • 导通电阻(RDS(on)): 370mΩ@10V,9A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
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    • 导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@10V,11.5A
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      江苏仓: 0
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 9A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 480mΩ@10V,10A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 900V
    • 连续漏极电流(Id): 9A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V,4.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 18A
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