Truesemi(信安)

信安半导体成立于2008年，位于韩国浦项，2009年，安联集团投资韩国半导体设计领域，并收购了主营POWER MOSFET及IGBT生产和研发的韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。主要生产高压、中低压大电流系列MOSFET及IGBT电力器件。

类目
- 场效应管(MOSFET)
封装
- TO-220F
- TO-3P
- TO-220
- TO-247
- TO-252
- TO-251
- TO-263
- DFN-8(5x6)
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数据手册

自营结果数102

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

TSA28N50M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-3P-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C439874

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 28A

导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@10V,12A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存75

1+￥9.94
10+￥8.21
30+￥6.87
90+￥5.8
450+￥5.32
900+￥5.1

现货最快4小时发货

广东仓: 75

江苏仓: 592

30个/管

个

总额￥0

近期成交13单

TSD16N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2829043

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 250mΩ@10V

描述MOS,N沟道,16N25,250V,16A,0.25Ω(Max)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1699

1+￥1.8908
10+￥1.4674
30+￥1.286
100+￥1.0596
500+￥0.9588
1000+￥0.9349

现货最快4小时发货

广东仓: 1699

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

TSF20N60MR

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382374

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 400mΩ@10V

描述N沟道，600V，20A，0.4Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存350

1+￥5.89
10+￥4.77
50+￥3.98
100+￥3.42
500+￥3.09
1000+￥2.92

现货最快4小时发货

广东仓: 350

江苏仓: 48

50个/管

个

总额￥0

近期成交5单

TSF10N60M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382371

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 800mΩ@10V

描述N沟道，600V，10A，0.8Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存467

1+￥3.35
10+￥2.64
50+￥2.25
100+￥1.87
500+￥1.71
1000+￥1.6

现货最快4小时发货

广东仓: 467

江苏仓: 44

50个/管

个

总额￥0

近期成交12单

TSD5N60M

品牌: Truesemi(信安)

封装: DPAK(TO-252)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382368

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 4.5A

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

描述N沟道，600V，4.5A，2.5Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1085

5+￥1.3859
50+￥1.0931
150+￥0.9677
500+￥0.8112
2500+￥0.7185
5000+￥0.6767

现货最快4小时发货

广东仓: 1065

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

TSP40N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3647141

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存290

1+￥4.92
10+￥3.95
50+￥3.53
100+￥3.05
500+￥2.76
1000+￥2.61

现货最快4小时发货

广东仓: 258

50个/管

个

总额￥0

近期成交8单

TSK50N30M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20623853

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 300V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥13.46
10+￥11.46
30+￥9.77
90+￥8.49

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 110

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSK82N30M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2935821

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 300V

连续漏极电流(Id): 82A

导通电阻(RDS(on)): 46mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存46

1+￥28.33
10+￥25.3
30+￥16.04
90+￥14.22
510+￥13.38
990+￥13.01

现货最快4小时发货

广东仓: 46

江苏仓: 2

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSF14N30M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20623854

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 300V

连续漏极电流(Id): 14A

导通电阻(RDS(on)): 290mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥2.84
10+￥2.23
50+￥1.97
100+￥1.65

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 190

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

TSA40N20M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-3P

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3647135

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存443

1+￥4.5
10+￥4.05
30+￥3.8
90+￥3.51

现货最快4小时发货

广东仓: 443

江苏仓: 20

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSF9N90M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382385

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 900V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V

描述N沟道，900V，9A，1.4Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存139

1+￥6.56
10+￥5.32
50+￥4.49
100+￥3.88
500+￥3.51
1000+￥3.32

现货最快4小时发货

广东仓: 139

江苏仓: 3

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

TSK65R140SD

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832945

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 140mΩ@10V

收藏
对比

1+￥10.76
10+￥9.08
30+￥8.03
90+￥6.96

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 103

30个/管

个

总额￥0

近期成交4单

TSP630M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3647134

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 9.5A

导通电阻(RDS(on)): 400mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15

5+￥1.5894
50+￥1.1977
150+￥1.0573
500+￥0.8821
2000+￥0.8041
5000+￥0.7573

现货最快4小时发货

广东仓: 15

江苏仓: 350

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSD65R300

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832942

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@10V

收藏
对比

1+￥3.88
10+￥3.13
30+￥2.75

现货最快4小时发货

广东仓: 43

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

TSF7N80M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382383

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述N沟道，800V，7A，1.6Ω

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥4.15
10+￥3.35
50+￥2.89
100+￥2.5
500+￥2.26
1000+￥2.14

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 50

50个/管

个

总额￥0

近期成交2单

TSP40N20M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3647136

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥5.22
10+￥4.24
50+￥3.31
100+￥2.83
500+￥2.54
1000+￥2.39

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 40

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSB40N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20623860

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存65

1+￥5.7
10+￥4.59
30+￥4.04

现货最快4小时发货

广东仓: 65

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

TSP50N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20623859

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 78mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25

1+￥6.29
10+￥5.18
50+￥4.42
100+￥3.73

现货最快4小时发货

广东仓: 25

江苏仓: 260

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSF25N50MD

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C46855380

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 250mΩ@10V

耗散功率(Pd): 37W

描述MOS，TO-220，N沟道，25N50，500V，25A，0.25Ω（Max）

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥8.2
10+￥6.83
50+￥6.08

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 80

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSF65R140SD

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832944

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 22A

导通电阻(RDS(on)): 140mΩ@10V

收藏
对比

1+￥9.11
10+￥7.54
50+￥6.67

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 84

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSK82N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C718686

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 82A

导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@10V,40A

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥26.82
10+￥24.08
30+￥13.44
90+￥11.79

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 24

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSD5N65M

品牌: Truesemi(信安)

封装: DPAK(TO-252)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382376

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

描述N沟道，650V，3A，3.0Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存823

5+￥0.7148
50+￥0.6981
150+￥0.687
500+￥0.6758

现货最快4小时发货

广东仓: 820

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

TSU5N60M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-251

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C475510

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 4.5A

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V,2.25A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存151

5+￥1.4423
50+￥1.1325
160+￥0.9998
480+￥0.8341
2480+￥0.7604
4000+￥0.7161

现货最快4小时发货

广东仓: 150

80个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSP18N20M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5199870

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@10V,9A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100

1+￥2.47
10+￥1.95
50+￥1.7
100+￥1.42
500+￥1.29
1000+￥1.22

现货最快4小时发货

广东仓: 100

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

TSP16N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20623857

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 250mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥2.59
10+￥2.03
50+￥1.79

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 20

50个/管

个

总额￥0

近期成交2单

TSF13N50M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382360

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 480mΩ@10V

描述N沟道，500V，13A，0.48Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存42

1+￥3.39
10+￥2.66
50+￥2.34
100+￥1.95
500+￥1.78
1000+￥1.67

现货最快4小时发货

广东仓: 42

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

TSF16N50MR

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382361

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 400mΩ@10V

描述N沟道，500V，16A，0.4Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存47

1+￥4.35
10+￥3.58
50+￥2.83
100+￥2.44
500+￥2.21
1000+￥2.09

现货最快4小时发货

广东仓: 47

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

TSF16N60MR

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C382373

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 470mΩ@10V

描述N沟道，600V，16A，0.47Ω

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥5.4
10+￥4.47
50+￥3.39
100+￥2.93
500+￥2.65
1000+￥2.51

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 52

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

TSA40N25M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-3P-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3647140

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 250V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥5.89
10+￥4.79
30+￥4.19
90+￥3.51

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 71

30个/管

个

总额￥0

近期成交2单

TSA35N50M

品牌: Truesemi(信安)

封装: TO-3P

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47355606

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 155mΩ@10V

耗散功率(Pd): 500W

描述TO-3P，N沟道，35N50，500V，35A，0.155Ω（Max）

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存52

1+￥7.09
10+￥6.93
30+￥6.83

现货最快4小时发货

广东仓: 52

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

Truesemi(信安)

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参数/描述

优惠券/标签

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