KODENSHI AUK(光电子)
进入品牌官网光电子是从1972年开始在日本Kyoto成立，与1980年在韩国开拓益山基地，1992年建立中国基地，是历经40余年的全球化电子元件企业。KODENSHI AUK 是以韩国，日本，中国3国为据点，通过三位一体模式追求高于顾客需求的目标。并以快速应对顾客的高效经营方式和高品优势为全世界提供界最高水平的核心元件。
- 类目
- 线性稳压器(LDO)
- 三极管(BJT)
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 电压基准芯片
- 运算放大器
- 红外遥控接收头(IRM)
- 开关二极管
- 比较器
- 监控和复位芯片
- 快恢复/高效率二极管
- 槽型光电开关(光电晶体管输出)
- 数字晶体管
- 环境光传感器
多选 - 封装
- TO-220F
- SOT-23(TO-236)
- TO-252
- SOT-89
- TO-92-2.54mm
- SMD-3P,5.5x3mm
- SOP-8
- -
- DIP-8
- SIP-3-2mm
- SOD-323(SC-90)
- SOP-14
- SOP-14-175mil
- SOT-23-5
- TO-220F-2
- TO-3P
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数55
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
4折
- ￥0.03644
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- 3
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 150mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
4折
- ￥0.04168
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- 100
3000个/圆盘
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近期成交1单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 收藏
- 对比
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SMT补贴嘉立创库存2606
4折
- ￥0.06012
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- 2600
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- 2220
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近期成交3单
- 输出类型
- 可调
- 工作电压
- 2.495V~36V
- 输出电压
- 2.495V~36V
- 输出电流
- 100mA
描述SN431系列是三端精密并联稳压器，可在2.495V至36V的宽电压范围内进行编程，容差为±0.3%、±0.5%、±1.0%。SN431系列的动态阻抗低至0.15 Ω。这些特性使SN431系列成为众多需要精密参考电压的应用电路中齐纳二极管的理想替代品。
- 收藏
- 对比
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SMT补贴嘉立创库存6804
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- 6804
30000个/圆盘
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近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
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SMT补贴嘉立创库存1225
4折
- ￥0.04952
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- 1220
3000个/圆盘
个
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近期成交2单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 800mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
4折
- ￥0.07212
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- 380
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近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@5V
- 收藏
- 对比
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SMT补贴嘉立创库存1262
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- 1260
3000个/圆盘
个
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近期成交2单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 25V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12
- ￥0.1219
- ￥0.0966
- ￥0.0719
- ￥0.0635
- ￥0.0562
- ￥0.0522
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- 江苏仓
- 1250
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 输出类型
- 可调
- 输出电压
- 2.495V~36V
- 输出电流
- 100mA
- 精度
- ±1%
描述2.495V-36V,±0.5%/±1.0%
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存23
- ￥0.4031
- ￥0.3182
- ￥0.2757
- ￥0.2438
- ￥0.2183
- ￥0.2055
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- 广东仓
- 23
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 正向压降(Vf)
- 1.25V@150mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 70V
- 整流电流
- 200mA
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 1对串联式
- 正向压降(Vf)
- 900mV@100mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 80V
- 整流电流
- 100mA
- 收藏
- 对比
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 120@10mA,5V
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 独立式
- 正向压降(Vf)
- 1.58V@10A
- 直流反向耐压(Vr)
- 600V
- 整流电流
- 10A
- 收藏
- 对比
- 芯片类型
- 电压监控器
- 输出类型
- 开漏
- 复位有效电平
- 低电平有效
- 阈值电压
- 4.2V
描述4.2V
- 收藏
- 对比
- 输出类型
- 可调
- 输出电压
- 2.495V~36V
- 输出电流
- 100mA
- 精度
- ±0.5%
描述KN431系列是三端精密并联稳压器，可在2.495V至36V的宽电压范围内进行编程，公差为±0.3%、±0.5%、±1.0%。KN431系列的动态阻抗低至0.15 Ω。这些特性使KN431系列成为众多需要精密参考电压的应用电路中齐纳二极管的理想替代品。
- 收藏
- 对比
- 放大器数
- 单路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 30V
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
- 输入失调电压(Vos)
- 2mV
描述单运算放大器
- 收藏
- 对比
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 36V
- 输入失调电压(Vos)
- 7mV
- 输入失调电压温漂(Vos TC)
- 7uV/℃
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 30V
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
- 输入失调电压(Vos)
- 2mV
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 30W
描述N沟道,600V,4A,2.5Ω@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 14.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@10V
描述N沟道,100V,14.6A,110m?@4.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@10V
- 收藏
- 对比
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 750mΩ@10V,5A
- 耗散功率(Pd)
- 40W
描述N沟道,600V,10A,750mA@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 380mΩ@10V,5.5A
描述N沟道,600V,11A,380mA@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@10V,10A
描述N沟道,600V,20A,150mA@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@10V
描述N沟道,600V,20A,0.15Ω@10V
- 收藏
- 对比
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 收藏
- 对比