SI(深爱)
进入品牌官网深圳爱深半导体成立于1988年，是一家专注于半导体功率器件芯片及产品的国有企业。公司拥有完整的前、后生产线，主要生产双极型晶体管、光敏器件、中低压MOSFET、中高压MOSFET、 IPM模块、IGBT、快速恢复二极管、CMOS IC和肖特基二极管等功率半导体器件。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
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- TO-220F
- TO-220
- TO-252
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参数/描述
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操作
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- 导通电阻(RDS(on))
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- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 106W
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- 漏源电压(Vdss)
- 500V
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- 5A
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- 漏源电压(Vdss)
- 600V
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- 500V
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- 9A
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- 850mΩ@10V
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- 650V
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- 1.5Ω@10V
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
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- 10A
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- 700mΩ@10V
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- 漏源电压(Vdss)
- 700V
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- 650V
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- 漏源电压(Vdss)
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
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- 1Ω@10V
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- 500V
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- 13A
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- 18A
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- 380mΩ@10V
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- 12A
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- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 450mΩ@10V
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- 1个N沟道
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- 15A
- 导通电阻(RDS(on))
- 600mΩ@10V
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- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 280mΩ@10V
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