
Applied Power(应能微)
进入品牌官网江苏应能微电子成立于2012年,是一家专注于功率和模拟集成电路设计、制造及销售的半导体技术公司。公司主要生产高性能瞬态电压抑制器(TVS)、硅基MOSFET以及正在研发中的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,覆盖电力和电源管理领域的核心器件。
江苏应能微电子成立于2012年,是一家专注于功率和模拟集成电路设计、制造及销售的半导体技术公司。公司主要生产高性能瞬态电压抑制器(TVS)、硅基MOSFET以及正在研发中的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,覆盖电力和电源管理领域的核心器件。
描述AR0521P0是一款双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0521P0具有超低电容,典型值为0.3 pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±25 kV,接触放电±22 kV。它采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护特性,使AR0521P0成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。
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描述AU0521P0是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0521P0符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力,使AU0521P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择,可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。
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描述AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1521P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±30 kV,接触放电±30 kV。该器件采用超小型无铅DFN1006 - 2封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。
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描述AU1501D5是一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压超低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1501D5符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电 ±30 kV,接触放电 ±30 kV。该器件采用超小型SOD523无铅封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力,使AU1501D5成为保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用的理想选择。
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描述AU0771P1是一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想选择。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力,使AU0771P1成为保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用的理想之选。
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描述AUXXX1D1F-T 是瞬态电压抑制器,旨在保护敏感电子设备免受雷击和电压瞬变造成的损坏。
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描述AR1511D3是一款15V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR1511D3电容低,典型值为1pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±30 kV,接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
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描述AU2481D1F-T是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用SOD-123FL无铅封装。其尺寸小且具备高ESD/浪涌保护能力,使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。
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描述ASDXXC专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)而设计,采用单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压超低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。
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描述ASDXXC专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)而设计,采用单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压超低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。
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描述AU0561P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间、极低电容和低静电放电钳位电压等特性,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0561P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。其小尺寸和极低电容特性,使AU0561P1成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。
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描述AU0721P0是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0721P0符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其小尺寸和高ESD浪涌保护能力,使AU0721P0成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。
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描述AU0721P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0721P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。
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描述AU0781P1是一款7V双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0781P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±30 kV,接触放电±30 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使AU0781P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。
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描述GBL05C-A是一款5V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。GBL05C-A电容低,典型值为1pF,符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用无铅SOD-323封装。其尺寸小、电容低且ESD浪涌保护能力强,是保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
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描述AR0821P1是一款双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0821P1具有超低电容,典型值为0.3 pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±25 kV,接触放电±20 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力使AR0821P1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。
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描述ASDXXC专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)而设计,采用单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压超低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。
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描述ASDXXC专为取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻(MLV)而设计,采用单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压超低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。
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描述AR0511D3 是一款 5V 双向 TVS 二极管,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD 钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0511D3 电容低,典型值为 1pF,符合 IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。它采用无铅 SOD-323 封装。其尺寸小、电容低且具备高 ESD 浪涌保护能力,使 AR0511D3 成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
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描述AU0701P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器(TVS),采用领先的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感线路的理想解决方案。AU0701P4 - 3符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±30 kV,接触放电±30 kV。它采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装,每个器件可保护一条线路。小尺寸与高浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、液晶显示器、USB和多媒体卡接口等应用。
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