JESTEK(吉思泰)
进入品牌官网南京江智科技有限公司是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。拥有一支从业经验15年以上的设计研发团队，在南京红枫工业园拥有完整的封装测试产线。 公司以功率器件为核心，掌握 8英寸先进器件设计工艺，持续关注器件电性能提高，以及产品的可靠性提高，通过ISO9001,ISO14001体系认证。与国际一流的芯片、封装、测试代工厂保持密切的合作，保证产品的品质可靠和稳定供货。公司产品以技术和市场的需要为导向，在中、低压MOS产品市场中，占有很大的份额。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 稳压二极管
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOP-8
- SOT-323(SC-70)
- SOD-123
- SOD-523(SC-79)
- TO-252
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数14
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@4.5V
描述N沟道 30V 100A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.242
- ￥0.9839
- ￥0.8732
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 31
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 70mΩ@2.5V
描述N沟道 20V 3A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 导通电阻(RDS(on))
- 140mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 400mW
描述P沟道 -20V -3A
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@1.8V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@2.5V
描述N沟道 30V 5.8A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 85mΩ@2.5V
描述P沟道 -30V -4.2A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@4.5V
描述N沟道 30V 13A
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 独立式
- 稳压值(标称值)
- 5.1V
- 反向电流(Ir)
- 2uA@1.5V
- 稳压值(范围)
- 4.6V~5.4V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 34mΩ@4.5V
描述P沟道 -30V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比