
CRMICRO(华润微)
进入品牌官网该品牌拥有悠久的历史和广泛的市场影响力,专注于功率半导体器件与功率/模拟集成电路领域。主要产品线包括高可靠性功率器件、模块、GaN技术产品以及MEMS传感器。

该品牌拥有悠久的历史和广泛的市场影响力,专注于功率半导体器件与功率/模拟集成电路领域。主要产品线包括高可靠性功率器件、模块、GaN技术产品以及MEMS传感器。
描述N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v
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1000个/圆盘
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近期成交100单+
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描述CR4N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准
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描述N沟道
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描述具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
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描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6mΩ最大) DFN5x6封装;
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描述UPS、光伏逆变、电焊机用 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120;完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D
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描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档
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描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=85V Id=120A Rds=4.6mΩ(5.5mΩ最大) TO-220封装;完全兼容 SKD502T C467184
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描述CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(H),符合RoHS标准
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25个/管
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描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用
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描述N沟道
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近期成交20单
描述HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET,采用高密度沟槽技术制成,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。其封装形式为 PDFN5×6-8L,符合 RoHS 标准。
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近期成交22单
描述CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N),符合RoHS标准
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描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=150V Id=135A Rds=6.2mΩ(7.3mΩ最大) TO-220封装
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描述CRG50T65AK5HD采用先进的微沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
RoHS
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近期成交7单
描述CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率
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近期成交6单
描述CRG15T60A83L和CRG15T60A93L具有良好的导通和开关特性和易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
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近期成交1单
描述高压超结场效应管SJ-MOSFET 汽车直流充电桩电源、矿机电源、工业电源用
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RoHS
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近期成交4单
描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=120A Rds=3.6mΩ(4.5mΩ最大) TO-220封装;完全兼容 SKD503T C467185
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