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CRMICRO(华润微)

CRMICRO(华润微)

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该品牌拥有悠久的历史和广泛的市场影响力,专注于功率半导体器件与功率/模拟集成电路领域。主要产品线包括高可靠性功率器件、模块、GaN技术产品以及MEMS传感器。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    • 音频功率放大器
    • 碳化硅场效应管(MOSFET)
    • 碳化硅二极管
    • 智能功率模块(IPM)
    • RS-485/RS-422芯片
    多选
  • 封装
    • TO-220
    • TO-252
    • TO-247
    • TO-220F
    • TO-263
    • DFN-8(5x6)
    • TO-3P
    • SOP-8
    • TO-251
    • TSSOP-28-EP
    • SOP-16-EP
    • -
    • TOLL-8L
    • DFN(5x6)
    • TO-247-2
    • TO-247-4
    • TO-262
    • 螺栓安装
    • HSOP-28
    • SOP
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数181
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

CRSS042N10N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C410926
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
172A
导通电阻(RDS(on))
4.2mΩ@10V,50A

描述N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v

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SMT补贴嘉立创库存27K+
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  • 3.5
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广东仓
25K+

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
CRSS052N08N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C410924
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V

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  • 收藏
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  • 2.0645
  • 1.6061
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广东仓
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19K+

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
CR4N65A4K
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2758338
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.8Ω@10V

描述CR4N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准

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SMT补贴嘉立创库存50K+
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50K+
江苏仓
155

2500/圆盘

总额0

近期成交48单

1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
CRSS037N10N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C455308
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
3.7mΩ@10V,50A

描述N沟道

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SMT补贴嘉立创库存8775
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8763
江苏仓
7947

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

CRG40T120AK3S
CRG40T120AK3S
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2802633
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
80A
耗散功率(Pd)
333W
输出电容(Coes)
131pF

描述具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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SMT补贴嘉立创库存3577
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  • 13.4
  • 11.5
  • 9.4
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广东仓
3541
江苏仓
66

25/

总额0

近期成交46单

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
CRSM038N10N4
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2988619
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
3.6mΩ@10V

描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6mΩ最大) DFN5x6封装;

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SMT补贴嘉立创库存21K+
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  • 3.61
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21K+

5000/圆盘

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近期成交100单+

CRG25T120BK3S
CRG25T120BK3S
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2982571
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
25A
耗散功率(Pd)
278W
输出电容(Coes)
77pF

描述UPS、光伏逆变、电焊机用 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120;完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D

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SMT补贴嘉立创库存4879
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  • 10.83
  • 9.21
  • 7.35
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  • 5.69
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广东仓
4874
江苏仓
1

25/

总额0

近期成交16单

CRG40T120AK3SD
CRG40T120AK3SD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2981189
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A
耗散功率(Pd)
333W
输出电容(Coes)
131pF

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档

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SMT补贴嘉立创库存345
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  • 10.14
  • 8.61
  • 7.03
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343
江苏仓
898

25/

总额0

近期成交25单

1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
CRST055N08N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C410925
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V

描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=85V Id=120A Rds=4.6mΩ(5.5mΩ最大) TO-220封装;完全兼容 SKD502T C467184

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SMT补贴嘉立创库存3231
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  • 2.111
  • 1.6822
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广东仓
3185

50/

总额0

近期成交38单

1个N沟道 耐压:1500V 电流:3A
CS3N150AHR
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-3PH
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2758477
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
6.5Ω@10V

描述CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(H),符合RoHS标准

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SMT补贴嘉立创库存3448
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  • 4.8
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广东仓
3448
江苏仓
1081

25/

总额0

近期成交34单

CRG60T60AK3HD
CRG60T60AK3HD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C2924648
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
120A
耗散功率(Pd)
483W

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SMT补贴嘉立创库存1346
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广东仓
1346

25/

总额0

近期成交16单

CRG40T120BK3SD
CRG40T120BK3SD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C2981191
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A
耗散功率(Pd)
278W
输出电容(Coes)
170pF

描述UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用

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SMT补贴嘉立创库存1935
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广东仓
1933
江苏仓
274

25/

总额0

近期成交30单

1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
SKD502T
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C467184
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
4.6mΩ@10V,50A

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SMT补贴嘉立创库存338
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广东仓
285
江苏仓
2400

50/

总额0

近期成交30单

1个N沟道 耐压:100V 电流:78A
CRSD082N10L2
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C455309
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
78A
导通电阻(RDS(on))
7.2mΩ@10V,78A

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2385
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  • 2.5
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广东仓
2322
江苏仓
4

2500/圆盘

总额0

近期成交27单

N-MOSFET 60V,2.8mΩ,80A
CRSM034N06L2
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C467174
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
2.8mΩ@10V,80A

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4381
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  • 3.16
  • 2.5
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广东仓
4284
江苏仓
2082

5000/圆盘

总额0

近期成交42单

1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
CRST060N10N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C455306
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
耗散功率(Pd)
227W

描述N沟道

RoHSSMT扩展库

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  • 3.16
  • 2.49
  • 2.28
  • 1.95
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  • 1.65
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广东仓
0
江苏仓
1811

50/

总额0

近期成交20单

SkyMOS 1N-MOSFET,100V、2.5mΩ、180A
CRSS028N10N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C497213
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
2.5mΩ@10V,90A

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4814
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  • 6.89
  • 5.68
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  • 3.5
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广东仓
4759

1000/圆盘

总额0

近期成交47单

CRTD700P10L
CRTD700P10L
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C841381
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
26A
导通电阻(RDS(on))
59mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3086
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  • 1.3483
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广东仓
3080

2500/圆盘

总额0

近期成交20单

N沟道功率MOSFET
HGQ014N04B-G
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C37889992
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
200A
导通电阻(RDS(on))
1.4mΩ@10V

描述HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET,采用高密度沟槽技术制成,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。其封装形式为 PDFN5×6-8L,符合 RoHS 标准。

RoHSSMT扩展库

  • 收藏
  • 对比
  • 2.95
  • 2.29
  • 2
  • 1.64
  • 1.55
  • 1.46
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广东仓
0
江苏仓
2242

5000/圆盘

总额0

近期成交14单

SkyMOS2 N沟道MOSFET
CRSM120N10L2
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
DFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20623221
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
58A
导通电阻(RDS(on))
16.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
78.1W

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2305
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  • 3.13
  • 2.4
  • 2.09
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  • 1.53
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广东仓
2162

5000/圆盘

总额0

近期成交22单

1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
CS9N90ANHD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-3P
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2897744
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
1.3Ω@10V

描述CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N),符合RoHS标准

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1192
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  • 6.78
  • 5.67
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  • 4.21
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1192
江苏仓
307

25/

总额0

近期成交15单

1个N沟道 耐压:150V 电流:160A
CRST073N15N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3018880
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
7.3mΩ@10V

描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=150V Id=135A Rds=6.2mΩ(7.3mΩ最大) TO-220封装

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1673
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  • 6.91
  • 5.71
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  • 3.8
  • 3.45
  • 3.26
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广东仓
1662

50/

总额0

近期成交21单

CRG50T65AK5HD
CRG50T65AK5HD
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C37967603
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
60A
耗散功率(Pd)
268W
正向压降(Vf)
1.61V@50A

描述CRG50T65AK5HD采用先进的微沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

RoHS

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  • 10.15
  • 8.64
  • 7.7
  • 6.73
  • 6.3
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广东仓
717

25/

总额0

近期成交7单

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
CR7N65A4K
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2925581
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@10V

描述CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3052
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  • 1.4948
  • 1.1672
  • 1.0268
  • 0.8517
  • 0.7737
  • 0.7512
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广东仓
3040

2500/圆盘

总额0

近期成交28单

1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
CRJD390N65GC
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C841380
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
390mΩ@10V,5.5A

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近期成交16单

1个N沟道 耐压:120V 电流:112A
CRTS095N12N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C841374
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
120V
连续漏极电流(Id)
112A
导通电阻(RDS(on))
7mΩ@10V,75A

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近期成交6单

CRG15T60A83L
CRG15T60A83L
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-220
类目
IGBT管/模块
编号
C18905998
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
15A
耗散功率(Pd)
96W
输出电容(Coes)
60pF

描述CRG15T60A83L和CRG15T60A93L具有良好的导通和开关特性和易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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近期成交1单

耐压:600V 电流:83A
CRJQ30N60G2F
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5160665
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
83A
导通电阻(RDS(on))
28mΩ@10V
耗散功率(Pd)
595W

描述高压超结场效应管SJ-MOSFET 汽车直流充电桩电源、矿机电源、工业电源用

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近期成交11单

耐压:100V 电流:4A
CRTJ14DN10L
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42074142
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
140mΩ@10V
耗散功率(Pd)
5W

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近期成交4单

1个N沟道 耐压:115V 电流:172A
CRST045N10N
品牌
CRMICRO(华润微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C410927
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
115V
连续漏极电流(Id)
172A
导通电阻(RDS(on))
4.5mΩ@10V

描述低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=120A Rds=3.6mΩ(4.5mΩ最大) TO-220封装;完全兼容 SKD503T C467185

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