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首页 > 品牌列表 > PJSEMI(平晶微) >
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该品牌专注于提供完整的分立器件解决方案,主要生产整流管、晶体管、场效应管和低压差线性稳压器。
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.1A
    • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@4.5V,2A
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    • 类型: 1个N沟道
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    • 连续漏极电流(Id): 9A
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
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    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • LM386
    • 品牌: PJSEMI(平晶微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: VCC:4~12V 静态功耗低,IQ约4mA,可用于电池供电,增益20-200可调,外围元件少,失真度低
    • 功放类型: AB类功放
    • 扬声器通道数: 单声道
    • 输出功率: 700mWx1@8Ω
    • 工作电压: 4V~12V
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    • 4000个/圆盘
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 40A
    • 导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@10V,40A
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      江苏仓: 2485
    • 圆盘
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 1W
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      ¥0.0588
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    • 广东仓: 5860
      江苏仓: 8120
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