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首页 > 品牌列表 > PJSEMI(平晶微) >
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该品牌专注于提供完整的分立器件解决方案,主要生产整流管、晶体管、场效应管和低压差线性稳压器。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 1A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
  • 耗散功率(Pd): 500mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 耗散功率(Pd): 250mW
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    • 放大器数: 单路
    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 7.5V
    • 输入失调电压(Vos): 800uV
    • 输入失调电压温漂(Vos TC): 2.7uV/℃
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
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    • 广东仓: 1820
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    • 放大器数: 单路
    • 输入失调电压(Vos): 2mV
    • 压摆率(SR): 400V/ms
    • 输入偏置电流(Ib): 45nA
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    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 30mA
    • 耗散功率(Pd): 500mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 耗散功率(Pd): 250mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 300mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 400V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
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    • 广东仓: 9840
      江苏仓: 2230
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    • 工作电压: 36V
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 2000+: 

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      江苏仓: 9220
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯6
    • 第三阶梯6
    • 第四阶梯6
    • 第五阶梯6
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      • 200+: 
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      • ¥0.0876
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      ¥0.07896
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      ¥0.06816
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      ¥0.05856
    • 10000+: 

      ¥0.05256
    • 20000+: 

      ¥0.05088
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 9680
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    • LM386
    • 品牌: PJSEMI(平晶微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: VCC:4~12V 静态功耗低,IQ约4mA,可用于电池供电,增益20-200可调,外围元件少,失真度低
    • 功放类型: AB类功放
    • 扬声器通道数: 单声道
    • 输出功率: 700mWx1@8Ω
    • 工作电压: 4V~12V
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    • 50+: 

      ¥0.4912
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      ¥0.4241
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      ¥0.3738
    • 2500+: 

      ¥0.3335
    • 4000+: 

      ¥0.3133
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    • 广东仓: 7310
      江苏仓: 0
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    • 4000个/圆盘
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    • 近期成交37单
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    • 极性: 单向
    • 反向截止电压(Vrwm): 5V
    • 钳位电压: 12V
    • 峰值脉冲电流(Ipp): 10A
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    • 50000+: 

      ¥0.0555
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 29K+
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    • 近期成交1单
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    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@2.5V,2A
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  • 8 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯8
    • 第三阶梯8
    • 第四阶梯8
    • 第五阶梯8
    • 第六阶梯8
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      • ¥0.086
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      江苏仓: 6460
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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      ¥0.084
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      江苏仓: 9300
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯6
    • 第二阶梯6
    • 第三阶梯6
    • 第四阶梯6
    • 第五阶梯6
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      • 原价
      • ¥0.1316
      • ¥0.1136
      • ¥0.1036
      • ¥0.0976
      • ¥0.0876
      • ¥0.0848
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    • 2000+: 

      ¥0.05856
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      ¥0.05256
    • 20000+: 

      ¥0.05088
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      江苏仓: 7800
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    • 输出类型: 固定
    • 工作电压: 24V
    • 输出电压: 3.3V
    • 输出电流: 30mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
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    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.1A
    • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@4.5V,2A
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 1W
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    • 芯片类型: 线性充电芯片
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    • 最大充电电流: 500mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 3A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 耗散功率(Pd): 10W
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    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 7.5V
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