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PJSEMI(平晶微)

PJSEMI(平晶微)

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该品牌专注于提供完整的分立器件解决方案,主要生产整流管、晶体管、场效应管和低压差线性稳压器。

  • 类目
    • 线性稳压器(LDO)
    • 场效应管(MOSFET)
    • 三极管(BJT)
    • 电压基准芯片
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 开关二极管
    • 数字晶体管
    • 电池管理
    • 肖特基二极管
    • 运算放大器
    • 达林顿管
    • LED驱动
    • 稳压二极管
    • 线性霍尔传感器
    • 快充协议芯片
    • 晶闸管(可控硅)/模块
    • 比较器
    • 音频功率放大器
    • USB转换芯片
    多选
  • 封装
    • SOT-23(TO-236)
    • SOT-89
    • SOT-23-5
    • TO-252
    • SOP-8
    • DFN-8(5x6)
    • SOT-23-6
    • DFN1006-2(SOD-882)
    • DFN-8(3x3)
    • DFN-6(2x2)
    • DFN1006-3(SOT-883)
    • SOT-223
    • SOD-323(SC-90)
    • DFN-4(1x1)
    • SOD-123
    • SOT-89-5
    • SMAF(DO-214AD)
    • SOT-323(SC-70)
    • TO-220F
    • TO-263
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数530
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

低功耗,轨到轨运算放大器
LMV321
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-5
类目
运算放大器
编号
C686637
放大器数
单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
7.5V
轨到轨
轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)
1.5MHz

描述LMV321(单通道)是一款轨到轨输入、输出的电压反馈型低功耗运算放大器。它具有较宽的输入共模电压和输出摆幅。最低工作电压可达2.1V,建议的最高工作电压为5.5V

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  • 对比

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SMT补贴嘉立创库存14K+
  • 0.4937
  • 0.4025
  • 0.3569
  • 0.2778
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  • 0.2368
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:100V 电流:1A
PJM10H01PSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2838029
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
1A
导通电阻(RDS(on))
650mΩ@10V
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SMT补贴嘉立创库存16K+
  • 0.4228
  • 0.3364
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  • 0.2405
  • 0.2146
  • 0.2016
现货最快4小时发货
广东仓
15K+
江苏仓
3680

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM321
LM321
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-5
类目
运算放大器
编号
C686636
放大器数
单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
24V
输入失调电压(Vos)
2mV
压摆率(SR)
400V/ms

描述LM321是一款低功耗、宽电源范围高性能运算放大器;每个放大器的静态电流仅为430 μA(5V电源时),具有高单位增益频率,电压摆率为0.4 V/μs。输入共模电路包含地,因此该器件可用于单电源和双电源应用。

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SMT补贴嘉立创库存5636
  • 0.3629
  • 0.2933
  • 0.2585
  • 0.2097
  • 0.1889
  • 0.1784
现货最快4小时发货
广东仓
5600
江苏仓
3740

3000/圆盘

总额0

近期成交59单

1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
PJM05P40SA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20417178
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
117mΩ@4.5V
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SMT补贴嘉立创库存8700
  • 0.3647
  • 0.2879
  • 0.2495
  • 0.2207
  • 0.1977
  • 0.1862
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广东仓
8700
江苏仓
23K+

3000/圆盘

总额0

近期成交21单

LM386
LM386
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOP-8
类目
音频功率放大器
编号
C22438596
功放类型
AB类功放
扬声器通道数
单声道
输出功率
700mWx1@8Ω
工作电压
4V~12V

描述VCC:4~12V 静态功耗低,IQ约4mA,可用于电池供电,增益20-200可调,外围元件少,失真度低

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SMT补贴嘉立创库存5337
  • 0.6087
  • 0.4745
  • 0.4073
  • 0.357
  • 0.3167
  • 0.2965
现货最快4小时发货
广东仓
5225

4000/圆盘

总额0

近期成交44单

电压比较器
LM358
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C2977710
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
5mV
输入偏置电流(Ib)
30nA

描述LM358由两个独立的电压比较器组成。它可以采用单电源或双电源供电,且电源的功耗电流与电源电压无关。其应用包括音频放大器、工业控制、直流增益元件以及所有常规运算放大器

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SMT补贴嘉立创库存4455
  • 0.6248
  • 0.4868
  • 0.4178
  • 0.3661
  • 0.3184
  • 0.2977
现货最快4小时发货
广东仓
4165

4000/圆盘

总额0

近期成交72单

NPN 电流:1A 电压:60V
FMMT491
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686647
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
500mW
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  • 对比

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SMT补贴嘉立创库存7009
  • 0.2527
  • 0.1947
  • 0.1658
  • 0.1406
  • 0.1232
  • 0.1145
现货最快4小时发货
广东仓
6970
江苏仓
7280

3000/圆盘

总额0

近期成交46单

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
PJM2301PSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411715
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2.8A
导通电阻(RDS(on))
140mΩ@2.5V
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SMT补贴嘉立创库存13K+
8
  • 0.10016
  • 0.08576
  • 0.07776
  • 0.07296
  • 0.0688
  • 0.06656
现货最快4小时发货
广东仓
13K+
江苏仓
3240

3000/圆盘

总额0

近期成交12单

PNP 电流:1A 电压:100V
FMMT593
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686648
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
250mW
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6682
  • 0.2524
  • 0.202
  • 0.1768
  • 0.1351
  • 0.12
  • 0.1124
现货最快4小时发货
广东仓
6660
江苏仓
3500

3000/圆盘

总额0

近期成交73单

输入36V 输出3.3V 100mA
PJ75AL33SA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C411736
输出类型
固定
工作电压
36V
输出电压
3.3V
输出电流
100mA
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 0.4201
  • 0.3351
  • 0.2926
  • 0.2277
  • 0.2022
  • 0.1894
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
880

3000/圆盘

总额0

近期成交30单

NPN型数字晶体管
DTC144EDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000404
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
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  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.07896
  • 0.06816
  • 0.06216
  • 0.05856
  • 0.05256
  • 0.05088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9500

10000/圆盘

总额0

近期成交2单

NPN型数字晶体管
DTC114EDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000402
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
  • 收藏
  • 对比

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  • 0.1897
  • 0.1465
  • 0.1225
  • 0.1081
  • 0.0908
  • 0.084
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9220

10000/圆盘

总额0

近期成交3单

单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:10A@8/20us
ESDU5V0ADF
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN1x0.6-2L
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C5156501
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
5V
钳位电压
25V
峰值脉冲电流(Ipp)
10A@8/20us

描述8KV接触, 15KV空隙放电

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SMT扩展库

  • 0.0847
  • 0.0735
  • 0.0672
  • 0.0605
  • 0.0572
  • 0.0555
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
29K+

10000/圆盘

总额0

近期成交1单

电压:40V 电流:1A
1N5819WS
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOD-323
类目
肖特基二极管
编号
C440261
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
600mV@1A
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
1A
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8429
  • 0.1869
  • 0.1453
  • 0.1222
  • 0.1078
  • 0.0958
  • 0.0893
现货最快4小时发货
广东仓
8060
江苏仓
6440

3000/圆盘

总额0

近期成交86单

NPN型数字晶体管
DTC143EDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000401
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
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  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.07896
  • 0.06816
  • 0.06216
  • 0.05856
  • 0.05256
  • 0.05088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
7540

10000/圆盘

总额0

近期成交5单

NPN 电流:1A 电压:100V
FMMT493
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686649
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
250mW
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存443
  • 0.2545
  • 0.1965
  • 0.1676
  • 0.1395
  • 0.1221
  • 0.1134
现货最快4小时发货
广东仓
210
江苏仓
8700

3000/圆盘

总额0

近期成交35单

输入30V 输出5V 100mA
PJ78L05SA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C411751
输出类型
固定
工作电压
30V
输出电压
5V
输出电流
100mA

描述PJ78LXXSA 系列固定电压单片集成电路三端正电压稳压器适用于需要高达 100 mA 电源的应用场景。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 0.3103
  • 0.2431
  • 0.2095
  • 0.1843
  • 0.1641
  • 0.154
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
640

3000/圆盘

总额0

近期成交19单

输入6.5V 输出3V 300mA
PJ9193M30SE
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-5
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C686643
输出类型
固定
工作电压
6.5V
输出电压
3V
电源纹波抑制比(PSRR)
70dB@(100kHz)
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8694
  • 0.3731
  • 0.3011
  • 0.2651
  • 0.2087
  • 0.1871
  • 0.1763
现货最快4小时发货
广东仓
8690
江苏仓
2200

3000/圆盘

总额0

近期成交10单

1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
PJMG10P60SQ
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42388541
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
110mΩ@4.5V

描述SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道,VDS=-60V ID=-10A ,PD:1.5W RDS(ON)<75mΩ@Vgs=-10V,

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4353
  • 0.9387
  • 0.7371
  • 0.6507
  • 0.5429
  • 0.4949
现货最快4小时发货
广东仓
4295

1000/圆盘

总额0

近期成交40单

NPN型数字晶体管
DTC123JDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000405
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
100mA
耗散功率(Pd)
200mW
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  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.07896
  • 0.06816
  • 0.06216
  • 0.05856
  • 0.05256
  • 0.05088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
6220

10000/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
PJM2300NSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411711
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.5A
导通电阻(RDS(on))
70mΩ@1.8V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+
  • 0.1367
  • 0.1187
  • 0.1087
  • 0.1027
  • 0.0975
  • 0.0947
现货最快4小时发货
广东仓
16K+

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
PJM2301PSA-S
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411716
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
180mΩ@2.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 0.168
  • 0.1329
  • 0.1134
  • 0.0893
  • 0.0792
现货最快4小时发货
广东仓
11K+
江苏仓
20

3000/圆盘

总额0

近期成交8单

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
PJM3401PSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411718
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.1A
导通电阻(RDS(on))
65mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 0.2124
  • 0.1886
  • 0.1767
  • 0.1507
  • 0.1436
  • 0.14
现货最快4小时发货
广东仓
11K+
江苏仓
1290

3000/圆盘

总额0

近期成交10单

1个P沟道 耐压:60V 电流:60A
PJMG60P60TE
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C36493742
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@4.5V

描述1个P沟道,VDS=60V ID=60A ,PD:100W RDS(ON)<16mΩ@Vgs=10V

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  • 对比

SMT扩展库

  • 3.55
  • 2.86
  • 2.51
  • 2.17
  • 1.97
  • 1.86
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2258

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

PNP 电流:1A 电压:60V
FMMT591
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686646
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
500mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3291
  • 0.268
  • 0.2101
  • 0.1811
  • 0.1395
  • 0.1221
  • 0.1134
现货最快4小时发货
广东仓
3170
江苏仓
3810

3000/圆盘

总额0

近期成交38单

N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:3A
PJM10H03NSC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2891566
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
170mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
1.5W
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近期成交25单

输入36V 输出5V 150mA
PJ75AL50SA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C411735
输出类型
固定
工作电压
36V
输出电压
5V
输出电流
100mA
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近期成交34单

耐压:20V 电流:2A
PJM4602DNSG-S
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-6
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2944132
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)
1W
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近期成交6单

P沟道增强型功率MOSFET
PJM13P40PA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49021818
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
13A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V;13mΩ@4.5V

描述一个P沟道,VDS=-40V ID=-13A ,PD:3.5W RDS(ON)<14.3mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<22mΩ@Vgs=-4.5V, VGS(TH):1~2.5V

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近期成交3单

PNP 电流:200mA 电压:40V
MMDT3906SG
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-6
类目
三极管(BJT)
编号
C3000398
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
1W
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近期成交7单