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PJSEMI(平晶微)

PJSEMI(平晶微)

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该品牌专注于提供完整的分立器件解决方案,主要生产整流管、晶体管、场效应管和低压差线性稳压器。

  • 类目
    • 线性稳压器(LDO)
    • 场效应管(MOSFET)
    • 三极管(BJT)
    • 电压基准芯片
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 开关二极管
    • 数字晶体管
    • 电池管理
    • 肖特基二极管
    • 运算放大器
    • 达林顿管
    • LED驱动
    • 稳压二极管
    • 线性霍尔传感器
    • 快充协议芯片
    • 晶闸管(可控硅)/模块
    • 比较器
    • 音频功率放大器
    • USB转换芯片
    多选
  • 封装
    • SOT-23(TO-236)
    • SOT-89
    • SOT-23-5
    • TO-252
    • SOP-8
    • SOT-23-6
    • DFN1x0.6-2L
    • DFN1006-3(SOT-883)
    • DFN2x2A-6L
    • DFN-6(2x2)
    • SOT-223
    • SOD-323(SC-90)
    • DFN1006-2(SOD-882)
    • DFN-4(1x1)
    • SOD-123
    • SOT-89-5
    • SMAF(DO-214AD)
    • SOT-323
    • TO-220F
    • TO-263
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数492
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

LM321
LM321
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-5
类目
运算放大器
编号
C686636
放大器数
单路
输入失调电压
2mV
压摆率
400V/ms
输入偏置电流
45nA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9183
  • 0.3629
  • 0.2933
  • 0.2585
  • 0.2097
  • 0.1889
  • 0.1784
现货最快4小时发货
广东仓
8800
江苏仓
3820

3000/圆盘

总额0

近期成交63单

1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
PJM05P40SA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20417178
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
5A
导通电阻
117mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9324
  • 0.3482
  • 0.2714
  • 0.233
  • 0.2042
  • 0.1812
  • 0.1696
现货最快4小时发货
广东仓
9210
江苏仓
23K+

3000/圆盘

总额0

近期成交21单

P沟道增强型功率MOSFET,电流:-1A,耐压:100V
PJM10H01PSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2838029
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
1A
导通电阻
650mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7010
  • 0.4228
  • 0.3364
  • 0.2932
  • 0.2405
  • 0.2146
  • 0.2016
现货最快4小时发货
广东仓
4140
江苏仓
9560

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

LMV321
LMV321
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-5
类目
运算放大器
编号
C686637
放大器数
单路
最大电源宽度
7.5V
输入失调电压
800uV
输入失调电压温漂
2.7uV/℃
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1805
  • 0.4937
  • 0.4025
  • 0.3569
  • 0.2778
  • 0.2505
  • 0.2368
现货最快4小时发货
广东仓
1200
江苏仓
60

3000/圆盘

总额0

近期成交94单

FMMT491
FMMT491
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686647
晶体管类型
NPN
集电极电流
1A
集射极击穿电压
60V
耗散功率
500mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7310
  • 0.2496
  • 0.1916
  • 0.1626
  • 0.1374
  • 0.12
  • 0.1113
现货最快4小时发货
广东仓
6220
江苏仓
10K+

3000/圆盘

总额0

近期成交71单

FMMT493
FMMT493
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686649
晶体管类型
NPN
集电极电流
1A
集射极击穿电压
100V
耗散功率
250mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4697
  • 0.2545
  • 0.1965
  • 0.1676
  • 0.1395
  • 0.1221
  • 0.1134
现货最快4小时发货
广东仓
4150
江苏仓
16K+

3000/圆盘

总额0

近期成交38单

LM386
LM386
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOP-8
类目
音频功率放大器
编号
C22438596
功放类型
AB类功放
扬声器通道数
单声道
输出功率
700mWx1@8Ω
工作电压
4V~12V

描述VCC:4~12V 静态功耗低,IQ约4mA,可用于电池供电,增益20-200可调,外围元件少,失真度低

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5989
  • 0.6255
  • 0.4912
  • 0.4241
  • 0.3738
  • 0.3335
  • 0.3133
现货最快4小时发货
广东仓
5945

4000/圆盘

总额0

近期成交50单

FMMT593
FMMT593
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686648
晶体管类型
PNP
集电极电流
1A
集射极击穿电压
100V
耗散功率
250mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1918
  • 0.2513
  • 0.2009
  • 0.1757
  • 0.134
  • 0.1189
  • 0.1113
现货最快4小时发货
广东仓
1760
江苏仓
12K+

3000/圆盘

总额0

近期成交58单

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
PJM2301PSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411715
数量
1个P沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
2.8A
导通电阻
140mΩ@2.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+
8
  • 0.10016
  • 0.08576
  • 0.07776
  • 0.07296
  • 0.0688
  • 0.06656
现货最快4小时发货
广东仓
14K+
江苏仓
6440

3000/圆盘

总额0

近期成交10单

DTC144EDC
DTC144EDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000404
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.07896
  • 0.06816
  • 0.06216
  • 0.05856
  • 0.05256
  • 0.05088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9500

10000/圆盘

总额0

近期成交3单

输入6.5V 输出3V 300mA
PJ9193M30SE
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-5
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C686643
输出类型
固定
工作电压
6.5V
输出电压
3V
电源纹波抑制比
70dB@(100kHz)
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8858
  • 0.3559
  • 0.2839
  • 0.2479
  • 0.1915
  • 0.1699
  • 0.159
现货最快4小时发货
广东仓
8800
江苏仓
4210

3000/圆盘

总额0

近期成交12单

N沟道增强型功率MOSFET,电流:3A,耐压:100V
PJM10H03NSC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2891566
漏源电压
100V
连续漏极电流
3A
导通电阻
170mΩ@4.5V
耗散功率
1.5W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 0.3782
  • 0.2918
  • 0.2486
  • 0.2323
  • 0.2063
  • 0.1934
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
680

3000/圆盘

总额0

近期成交19单

单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:10A@8/20us
ESDU5V0ADF
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN1x0.6-2L
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C5156501
极性
单向
反向截止电压
5V
钳位电压
25V
峰值脉冲电流
10A@8/20us

描述8KV接触, 15KV空隙放电

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.0847
  • 0.0735
  • 0.0672
  • 0.0605
  • 0.0572
  • 0.0555
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
29K+

10000/圆盘

总额0

近期成交1单

DTC114EDC
DTC114EDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000402
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1897
  • 0.1465
  • 0.1225
  • 0.1081
  • 0.0908
  • 0.084
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9220

10000/圆盘

总额0

近期成交3单

MMBTA94
MMBTA94
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C411780
晶体管类型
PNP
集电极电流
300mA
集射极击穿电压
400V
耗散功率
350mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5660
  • 0.3373
  • 0.2677
  • 0.2329
  • 0.1851
  • 0.1642
  • 0.1537
现货最快4小时发货
广东仓
5600
江苏仓
2100

3000/圆盘

总额0

近期成交16单

输入36V 输出5V 150mA
PJ75AL50SA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C411735
输出类型
固定
工作电压
36V
输出电压
5V
输出电流
100mA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12K+
  • 0.3858
  • 0.3009
  • 0.2584
  • 0.2259
  • 0.2004
  • 0.1877
现货最快4小时发货
广东仓
12K+

3000/圆盘

总额0

近期成交40单

PJ54M33DE
PJ54M33DE
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN1x1-4L
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C22470321
输出类型
固定
工作电压
45V
输出电压
3.3V
输出电流
350mA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9436
  • 0.779
  • 0.6158
  • 0.5342
  • 0.473
  • 0.424
  • 0.3995
现货最快4小时发货
广东仓
9335

10000/圆盘

总额0

近期成交4单

线性霍尔效应IC
AH49HSC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
线性霍尔传感器
编号
C510723
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存157
  • 0.7852
  • 0.6296
  • 0.5519
  • 0.4935
  • 0.3859
  • 0.3625
现货最快4小时发货
广东仓
155
江苏仓
5765

3000/圆盘

总额0

近期成交38单

DTC143EDC
DTC143EDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000401
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.07896
  • 0.06816
  • 0.06216
  • 0.05856
  • 0.05256
  • 0.05088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
7540

10000/圆盘

总额0

近期成交2单

FMMT591
FMMT591
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686646
晶体管类型
PNP
集电极电流
1A
集射极击穿电压
60V
耗散功率
500mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1107
  • 0.268
  • 0.2101
  • 0.1811
  • 0.1395
  • 0.1221
  • 0.1134
现货最快4小时发货
广东仓
630
江苏仓
6860

3000/圆盘

总额0

近期成交34单

FMMT617
FMMT617
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C686650
晶体管类型
NPN
集电极电流
3A
集射极击穿电压
15V
耗散功率
625mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5766
  • 0.4164
  • 0.33
  • 0.2868
  • 0.2297
  • 0.2038
  • 0.1908
现货最快4小时发货
广东仓
5680
江苏仓
1630

3000/圆盘

总额0

近期成交26单

LM358
LM358
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C2977710
放大器数
双路
最大电源宽度
32V
输入失调电压
5mV
输入偏置电流
30nA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5572
  • 0.6248
  • 0.4868
  • 0.4178
  • 0.3661
  • 0.3184
  • 0.2977
现货最快4小时发货
广东仓
4390

4000/圆盘

总额0

近期成交87单

DTC123JDC
DTC123JDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000405
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.07896
  • 0.06816
  • 0.06216
  • 0.05856
  • 0.05256
  • 0.05088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
6220

10000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
PJM2300NSA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411711
数量
1个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
4.5A
导通电阻
70mΩ@1.8V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+
  • 0.1367
  • 0.1187
  • 0.1087
  • 0.1027
  • 0.0975
  • 0.0947
现货最快4小时发货
广东仓
16K+

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
PJM2302NSA-S
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C411710
数量
1个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
2A
导通电阻
80mΩ@2.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8966
  • 0.165
  • 0.1299
  • 0.1104
  • 0.0846
  • 0.0744
  • 0.069
现货最快4小时发货
广东仓
8780
江苏仓
1740

3000/圆盘

总额0

近期成交13单

DTC143ZDC
DTC143ZDC
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
DFN-3L(1x0.6)
类目
数字晶体管
编号
C3000406
数量
1个NPN-预偏置
集射极击穿电压
50V
集电极电流
100mA
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1897
  • 0.1465
  • 0.1225
  • 0.1081
  • 0.0908
  • 0.084
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4940

10000/圆盘

总额0

近期成交4单

PJM13P40PA SOP-8
PJM13P40PA
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49021818
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
13A
导通电阻
9mΩ@10V;13mΩ@4.5V

描述一个P沟道,VDS=-40V ID=-13A ,PD:3.5W RDS(ON)<14.3mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON)<22mΩ@Vgs=-4.5V, VGS(TH):1~2.5V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.5517
  • 1.2292
  • 1.0909
  • 0.9184
  • 0.8416
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3965

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

1个P沟道 耐压:60V 电流:60A
PJMG60P60TE
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C36493742
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
60A
导通电阻
20mΩ@4.5V

描述1个P沟道,VDS=60V ID=60A ,PD:100W RDS(ON)<16mΩ@Vgs=10V

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1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
PJM90H09NTF
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C510724
数量
1个N沟道
漏源电压
900V
连续漏极电流
9A
导通电阻
1.4Ω@10V,4.5A
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MMDT3906SG
MMDT3906SG
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-23-6
类目
三极管(BJT)
编号
C3000398
晶体管类型
PNP
集电极电流
200mA
集射极击穿电压
40V
耗散功率
1W
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