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公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生产和测试设备,持续为客户提供优品质、高可靠性产品。
综合排序 价格 库存 销量
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 放大器数: 单路
  • 增益带宽积(GBP): 1MHz
  • 输入偏置电流(Ib): 10pA
  • 输入失调电压(Vos): 800uV
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    • 放大器数: 单路
    • 输入偏置电流(Ib): 45nA
    • 输入失调电压(Vos): 2mV
    • 压摆率(SR): 0.4V/us
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    • 类型: P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 1A
    • 功率(Pd): 500mW
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    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 36V
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    • 最大输出电流: 150mA
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    • 最大充电电流: 500mA
    • 充电饱和电压: 4.2V
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    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 36V
    • 输出电压: 3.3V
    • 最大输出电流: 100mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 芯片类型: 电池保护芯片
    • 电池类型: 锂离子/聚合物
    • 电池节数: 1
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 广东仓: 5000
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    • 类型: P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 2A
    • 功率(Pd): 1.4W
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    • 输出类型: 可调
    • 输入电压: 37V
    • 输出电压: 2.495V~36V
    • 输出电流: 100mA
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    • 放大器数: 双路
    • 输入偏置电流(Ib): 45nA
    • 输入失调电压(Vos): 2mV
    • 工作温度: 0℃~+70℃
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 功率(Pd): 500mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 功率(Pd): 500mW
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    • 广东仓: 5640
      江苏仓: 14K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 350mW
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      江苏仓: 10K+
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    • 品牌: PJSEMI(平晶微)
    • 封装: SOT-89-5
    • 描述: 降压型恒流LED驱动,输入电压范围:8-30V,输出电流:1.5A(Max) , 支持PWM及模拟调光
    • 输入电压: 6V~30V
    • 开关频率: 1MHz
    • 通道数: 1
    • 输出电流: 1.5A
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 300mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 400V
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