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Vergiga(威兆)

Vergiga(威兆)

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威兆半导体是一家位于深圳特区高新技术产业园的高科技企业,专注于分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发。凭借与知名电源厂家的合作经验,威兆在分立器件领域深耕多年,致力于提升国内分立器件品牌的性能竞争力和市场占有率。主要生产低压、中压、高压全系列大功率POWER MOSFET分立器件以及特殊半导体制程设计。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    多选
  • 封装
    • DFN-8(5x6)
    • TO-252
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • SOP-8
    • TO-220F
    • TO-220
    • SOT-23(TO-236)
    • DFN-5(5x6)
    • TO-251
    • DFN-6L(2x2)
    • SOT-23-6
    • TO-247
    • TO-263-3
    • TOLL-8
    • PDFN(5x6)
    • QIPAK
    • TO-263
    • TO-263-6
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数171
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:30V 电流:64A
VS3610AE
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C428260
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
64A
导通电阻(RDS(on))
5.7mΩ@4.5V,16A

描述N沟道 30V 64A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3668
2.6折起
  • 0.685584
  • 0.425016
  • 0.272428
  • 0.229346
  • 0.210184
  • 0.198666
现货最快4小时发货
广东仓
3665

5000/圆盘

总额0

近期成交10单

耐压:100V 电流:50A
VSP004N10MS-K
品牌
Vergiga(威兆)
封装
DFN-8(5.1x6.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036349
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
74W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1657
  • 3.99
  • 3.51
  • 3.27
  • 3.03
  • 2.89
  • 2.82
现货最快4小时发货
广东仓
1657

3000/圆盘

总额0

近期成交7单

100V/125A N沟道先进功率MOSFET
VSP003N10HS-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036315
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
125A
导通电阻(RDS(on))
3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)
114W
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  • 对比

SMT扩展库

  • 4.64
  • 4.16
  • 3.89
  • 3.6
  • 3.46
  • 3.4
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1787

3000/圆盘

总额0

近期成交15单

N沟道 耐压:30V 电流:163A
VSP002N03MST-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036328
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
163A
导通电阻(RDS(on))
2.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
69W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2116
  • 2.32
  • 2.02
  • 1.89
  • 1.73
  • 1.58
  • 1.54
现货最快4小时发货
广东仓
2116

3000/圆盘

总额0

近期成交6单

100V/56A N沟道先进功率MOSFET
VSI008N10MS3-K
品牌
Vergiga(威兆)
封装
QIPAK
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2905395
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
56A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V
耗散功率(Pd)
88W
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  • 对比

SMT扩展库

  • 1.3242
  • 1.0419
  • 0.921
  • 0.77
  • 0.7028
  • 0.6625
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4950

75/

总额0

耐压:40V 电流:232A
VSP003N04MST-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036325
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
232A
导通电阻(RDS(on))
2.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
202W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2780
  • 3.2
  • 2.5
  • 2.21
  • 1.83
  • 1.67
现货最快4小时发货
广东仓
946

3000/圆盘

总额0

近期成交11单

120V/57A N沟道先进功率MOSFET
VSP007N12HS-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C48642981
漏源电压(Vdss)
120V
连续漏极电流(Id)
57A
导通电阻(RDS(on))
6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
50W
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  • 对比

SMT扩展库

  • 3.99
  • 3.24
  • 2.86
  • 2.49
  • 2.26
  • 2.15
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3000

3000/圆盘

总额0

100V/120A N沟道先进功率MOSFET
VSP004N10MSC-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C48642978
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
9.4mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))
2.4V@250uA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.01
  • 3.25
  • 2.88
  • 2.5
  • 2.28
  • 2.16
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3000

3000/圆盘

总额0

65V, 15A N沟道 Advanced Power MOSFET
VSO009N06MS-GA
品牌
Vergiga(威兆)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2905396
漏源电压(Vdss)
65V
连续漏极电流(Id)
15A
导通电阻(RDS(on))
11mΩ@10V
耗散功率(Pd)
3.1W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5.7折起
  • 1.893815
  • 1.319699
  • 1.003029
  • 0.853746
  • 0.787284
  • 0.747384
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
865

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:150V 电流:40A
VSP015N15HS-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
DFN-8(5.1x6.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036355
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
19mΩ@10V
耗散功率(Pd)
57W
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  • 对比

SMT扩展库

  • 4.91
  • 4.38
  • 4.11
  • 3.85
  • 3.51
  • 3.43
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2980

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

N沟道 耐压:30V 电流:105A
VS3698AP
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036319
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
105A
导通电阻(RDS(on))
6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
69W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2705
  • 1.22
  • 1.0572
  • 0.9874
  • 0.9003
现货最快4小时发货
广东仓
2705

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

耐压:30V 电流:60A
VS3620GEMC
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036317
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
10.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
30W
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  • 对比

SMT扩展库

5.4
  • 0.470286
  • 0.409158
  • 0.382968
  • 0.350298
  • 0.335718
  • 0.309528
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1544

5000/圆盘

总额0

近期成交6单

耐压:65V 电流:40A
VS6614GE
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036359
漏源电压(Vdss)
65V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
15mΩ@10V
耗散功率(Pd)
31W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

6.4
  • 0.892544
  • 0.707584
  • 0.628288
  • 0.529344
  • 0.463296
  • 0.436864
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
175

5000/圆盘

总额0

近期成交6单

40V, 36A N沟道 Advanced Power MOSFET
VS4620GEMC
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036316
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
54A
导通电阻(RDS(on))
8.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
30W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.2649
  • 0.9932
  • 0.8768
  • 0.7315
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1215

5000/圆盘

总额0

近期成交8单

耐压:40V 电流:40A
VS4620GP
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036340
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
22W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存98
  • 1.7555
  • 1.4128
  • 1.2659
  • 1.0826
现货最快4小时发货
广东仓
60
江苏仓
825

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

耐压:80V 电流:160A
VS8402ATH
品牌
Vergiga(威兆)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036358
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
259W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存990
  • 4.97
  • 4.03
  • 3.42
  • 2.96
  • 2.68
现货最快4小时发货
广东仓
990

50/

总额0

近期成交1单

耐压:100V 电流:200A
VS1401ATH
品牌
Vergiga(威兆)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036326
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
200A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
375W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存388
  • 5.42
  • 4.92
  • 4.45
  • 4.14
现货最快4小时发货
广东仓
388

50/

总额0

近期成交3单

30V/54A N沟道高级功率MOSFET
VS3618AP
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2859283
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
54A
导通电阻(RDS(on))
11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
32W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存200
  • 0.712
  • 0.5634
  • 0.489
  • 0.4333
  • 0.3887
现货最快4小时发货
广东仓
200
江苏仓
3000

3000/圆盘

总额0

P沟道 耐压:30V 电流:45A
VS3510AP
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036335
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
37W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2720
  • 1.1901
  • 1.0446
  • 0.9822
  • 0.9044
现货最快4小时发货
广东仓
2720

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

N沟道 耐压:30V 电流:16A
VS3618AS
品牌
Vergiga(威兆)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036321
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
16A
导通电阻(RDS(on))
13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
3.1W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2666
  • 0.724
  • 0.6297
  • 0.5893
  • 0.5388
现货最快4小时发货
广东仓
2665

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:40V 电流:175A
VS4603DM6
品牌
Vergiga(威兆)
封装
TO-263-6
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036334
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
175A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
300W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

4.7
  • 2.1291
  • 2.0821
  • 2.0492
  • 2.021
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
270

800/圆盘

总额0

耐压:40V 电流:400A
VS4401ATH
品牌
Vergiga(威兆)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036342
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
400A
导通电阻(RDS(on))
1.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)
375W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

4.7
  • 3.5203
  • 2.9281
  • 2.5051
  • 2.1338
  • 1.974
  • 1.8988
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
230

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:30V 电流:45A
VS3622AE
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C428261
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
7.9mΩ@10V,20A

描述N沟道 30V 45A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存382
  • 0.7655
  • 0.5906
  • 0.5032
现货最快4小时发货
广东仓
315
江苏仓
75

5000/圆盘

总额0

近期成交16单

耐压:40V 电流:160A
VS4603GPHT
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036339
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)
66W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5.7
  • 1.8069
  • 1.767
  • 1.7385
  • 1.7157
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
64

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:100V 电流:65A
VST011N10MS-G
品牌
Vergiga(威兆)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036341
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
65A
导通电阻(RDS(on))
13mΩ@10V
耗散功率(Pd)
86W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.54
  • 2.23
  • 2.01
  • 1.84
  • 1.77
  • 1.72
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1000

50/

总额0

耐压:30V 电流:440A
VS3602GPMT
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036331
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
440A
导通电阻(RDS(on))
0.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)
240W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100
  • 5.06
  • 4.15
  • 3.69
  • 3.24
现货最快4小时发货
广东仓
100
江苏仓
27

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A
VS3540AC
品牌
Vergiga(威兆)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427019
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
3.4A
导通电阻(RDS(on))
52mΩ@10V,3.4A

描述P沟道 -30V -3.4A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25
  • 0.3119
  • 0.2484
  • 0.2167
现货最快4小时发货
广东仓
20

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
VS3618AE
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427052
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@4.5V,10A

描述N沟道 30V 50A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存200
  • 1.1625
  • 0.9331
  • 0.8349
现货最快4小时发货
广东仓
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总额0

近期成交27单

耐压:40V 电流:160A
VS4603GPMT
品牌
Vergiga(威兆)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3036338
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)
66W
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5.7
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60V/180A N沟道高级功率MOSFET
VST002N06MS-K
品牌
Vergiga(威兆)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C48642983
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
4.3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
214W
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