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首页 > 品牌列表 > LONTEN(龙腾半导体) >
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龙腾半导体股份有限公司成立于2009年,专注于新型功率半导体器件的研发、生产和销售。主要产品线包括高压超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、亮度栅极晶体管(SGT)MOSFET 、低压开关(Trench)MOSFET、高压平面MOSFET及SiC JBS&MOSFET等。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
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  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 650mΩ@10V,3.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 18A
    • 导通电阻(RDS(on)): 280mΩ@10V,9A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 39A
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V,12A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 950mΩ@10V,2A
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 9.8mΩ@10V,30A
    • 耗散功率(Pd): 18W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,3.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@10V,5.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 12A
    • 导通电阻(RDS(on)): 800mΩ@10V,6A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@4.5V,2A
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    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 680mΩ@10V,4A
    • 耗散功率(Pd): 83W
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  • 2 折起
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯4
    • 第二阶梯3
    • 第三阶梯2
    • 第四阶梯2
    • 第五阶梯2
    • 第六阶梯2
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      ¥2.096
    • 10+: 

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    • 30+: 

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      ¥0.838
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 47A
    • 导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@10V,47A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1Ω@10V,5A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 6.5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 46mΩ@10V,6.5A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 46mΩ@10V,4.3A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V,3.5A
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  • 3.7 折起
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯5.7
    • 第二阶梯4.7
    • 第三阶梯3.7
    • 第四阶梯3.7
    • 第五阶梯3.7
    • 第六阶梯3.7
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      ¥1.0249
    • 100+: 

      ¥0.9583
    • 500+: 

      ¥0.9176
    • 1000+: 

      ¥0.8991
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    • 广东仓: 121
      江苏仓: 420
    • 50个/管
    • 总额: ¥0
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 4V
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

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    • 10+: 

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