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LONTEN(龙腾半导体)

LONTEN(龙腾半导体)

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龙腾半导体股份有限公司成立于2009年,专注于新型功率半导体器件的研发、生产和销售。主要产品线包括高压超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、亮度栅极晶体管(SGT)MOSFET 、低压开关(Trench)MOSFET、高压平面MOSFET及SiC JBS&MOSFET等。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 快恢复/高效率二极管
    多选
  • 封装
    • TO-220F
    • TO-252
    • TO-220
    • TO-262
    • TO-263
    • TO-251
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-247
    • DFN-8(5x6)
    • SOP-8
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • DFN-8(3x3)
    • PRPAK(3x4)
    • TO-220-2
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数78
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
LSG65R650HT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439129
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
650mΩ@10V,3.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

3.1折起
  • 4.0392
  • 2.9438
  • 2.1018
  • 1.9592
  • 1.8972
  • 1.8693
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2227

2500/圆盘

总额0

近期成交4单

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
LSG65R950HT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439133
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
950mΩ@10V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.58
  • 1.98
  • 1.73
  • 1.41
  • 1.27
  • 1.18
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1888

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
LND18N50
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483630
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
280mΩ@10V,9A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存732
  • 8.69
  • 7.07
  • 6.18
  • 5.17
  • 4.72
  • 4.52
现货最快4小时发货
广东仓
732
江苏仓
777

50/

总额0

近期成交1单

N沟道 耐压:30V 电流:30A
LSGNE03R098WB
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2836196
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
9.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)
18W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

3.9折起
  • 0.440258
  • 0.321391
  • 0.240708
  • 0.221871
  • 0.213486
  • 0.208455
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4870

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

N沟道 耐压:800V 电流:8A
LSE80R680GT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2836177
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
680mΩ@10V
耗散功率(Pd)
83W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6
1折起
  • 1.572
  • 0.952
  • 0.449
  • 0.419
  • 0.405
  • 0.399
现货最快4小时发货
广东仓
6
江苏仓
556

800/圆盘

总额0

近期成交3单

LSG65R1K6GT
LSG65R1K6GT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C779919
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存65
1折起
  • 0.35454
  • 0.23118
  • 0.11385
  • 0.11212
现货最快4小时发货
广东仓
65

2500/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
LND7N65D
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439231
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@10V,3.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存94
2.2折起
  • 1.8942
  • 1.1712
  • 0.7106
  • 0.6182
  • 0.5632
  • 0.5346
现货最快4小时发货
广东仓
94
江苏仓
96

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
LSF65R380HT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-262-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439125
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
380mΩ@10V,5.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.2
  • 4
  • 3.39
  • 2.8
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
688

50/

总额0

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
LND10N65
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439225
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
10A
阈值电压(Vgs(th))
4V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.46
  • 4.31
  • 3.74
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
96

50/

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
LSH65R380GT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483497
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
380mΩ@10V,5.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.34
  • 4.22
  • 3.66
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
11

72/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:45V 电流:35A
LNG045R210
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483674
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
45V
连续漏极电流(Id)
35A
导通电阻(RDS(on))
21mΩ@10V,35A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3
  • 1.1007
  • 0.8464
  • 0.7374
现货最快4小时发货
广东仓
3

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:40V 电流:39A
LSGNE04R075WB
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
PRPAK(3x4)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2836197
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
39A
导通电阻(RDS(on))
7.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
  • 1.2428
  • 0.9845
  • 0.8738
  • 0.7356
  • 0.6741
  • 0.6372
需订货
广东仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:40V 电流:47A
LNG04R120
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483660
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
47A
导通电阻(RDS(on))
12mΩ@10V,47A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.2792
  • 0.9837
  • 0.857
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
13

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:45V 电流:43A
LNG045R140
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483672
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
45V
连续漏极电流(Id)
43A
导通电阻(RDS(on))
14mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 1.2792
  • 0.9837
  • 0.857
现货最快4小时发货
广东仓
2

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
LSD65R930GT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483524
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
阈值电压(Vgs(th))
4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10
  • 3.89
  • 2.99
  • 2.61
现货最快4小时发货
广东仓
10

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
LNC2N60
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2836225
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
4.5Ω@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.6396
  • 1.2742
  • 1.1176
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1

1000/

总额0

近期成交1单

耐压:600V 电流:10A 反向恢复时间:20ns
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.8V@10A
直流反向耐压(Vr)
600V
整流电流
10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3
  • 3.66
  • 2.93
  • 2.56
现货最快4小时发货
广东仓
3

50/

总额0

1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
LNE06R062
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483686
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@4.5V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.97
  • 3.05
  • 2.59
  • 2.13
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
247

800/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:80V 电流:80A
LNE08R085
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483709
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
11mΩ@4.5V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存225
  • 3.97
  • 3.05
  • 2.59
  • 2.13
现货最快4小时发货
广东仓
225

800/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:800V 电流:5A
LSG80R980GT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483521
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
980mΩ@10V,2.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3
  • 4.55
  • 3.6
  • 3.12
现货最快4小时发货
广东仓
3

2500/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
LNE10N65
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439226
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
1Ω@10V,5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 5.46
  • 4.31
  • 3.74
现货最快4小时发货
广东仓
1

800/圆盘

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:600V 电流:1.9A
LSG60R2K5HT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483588
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
1.9A
导通电阻(RDS(on))
2.5Ω@10V,0.95A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9
  • 1.4022
  • 1.0897
  • 0.9558
现货最快4小时发货
广东仓
9

72/

总额0

1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
LND5N50
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483600
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
1.6Ω@10V,2.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.6972
  • 1.3444
  • 1.1932
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
LSH70R1KGT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439151
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)
4A
阈值电压(Vgs(th))
4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存52
  • 3
  • 2.31
  • 2.01
  • 1.64
现货最快4小时发货
广东仓
52
江苏仓
91

72/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
LSH65R650HT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439130
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
阈值电压(Vgs(th))
4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 1.84
  • 1.79
  • 1.76
现货最快4小时发货
广东仓
2

72/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
LND10N60
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C439157
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
10A
阈值电压(Vgs(th))
4V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11
  • 2.97
  • 2.31
  • 2.02
现货最快4小时发货
广东仓
11

50/

总额0

N沟道 耐压:60V 电流:90A
LND06R079
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220MF
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2836228
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
7.9mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)
38W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 3.11
  • 2.46
  • 2.19
现货最快4小时发货
广东仓
1

50/

总额0

近期成交6单

N沟道,800V、2A、2.8Ω功率MOSFET
LSD80R2K8GT
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220MF
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C779929
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
2A
耗散功率(Pd)
34.2W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存30
  • 3.44
  • 2.64
  • 2.3
现货最快4小时发货
广东仓
30

50/

总额0

1个N沟道 耐压:80V 电流:70A
LNH08R085
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C779903
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
6.5mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9
  • 3.56
  • 2.84
  • 2.48
现货最快4小时发货
广东仓
9

72/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
LSGN04R025
品牌
LONTEN(龙腾半导体)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C483728
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
120A
阈值电压(Vgs(th))
2.2V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20
  • 3.63
  • 2.94
  • 2.6
现货最快4小时发货
广东仓
20

5000/圆盘

总额0