SkyHigh Memory
进入品牌官网Skyhigh Memory是设计、开发和销售高性能非易失性闪存的技术领先者以下主要市场的存储器产品：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费者，和（iv）工业和医疗。
- 类目
- NAND FLASH
- 封装
- -
- TSOPI-48
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综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 存储容量
- 1Gbit
- 工作电压
- 1.7V~1.95V
- 写周期时间(Tw)
- 45ns
- 页写入时间(Tpp)
- 250us
描述Cypress S34MS01G1系列提供1.8V供电，支持x8或x16 I/O接口。其NAND单元为嵌入式固态存储市场提供了最具成本效益的解决方案。每个块可以编程和擦除高达100,000次（带ECC）。芯片支持CE#不要求功能，允许微控制器直接从NAND闪存设备下载代码。
- 收藏
- 对比
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 页写入时间(Tpp)
- 300us
- 块擦除时间(tBE)
- 3ms
- 数据保留 - TDR(年)
- 10年
描述S34ML01G2系列提供3.3V VCC电源供应，并支持x8或x16 I/O接口。该NAND闪存单元提供了固态大规模存储市场中最经济有效的解决方案。存储器被划分为可以独立擦除的块，从而可以在旧数据被擦除的同时保留有效数据。页面大小为x8时为(2048 + 64)字节，x16时为(1024 + 32)字。每个设备有1个平面，每个平面有1024个块。
- 收藏
- 对比
- 存储容量
- 2Gbit
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 写周期时间(Tw)
- 25ns
- 收藏
- 对比
- 存储容量
- 2Gbit
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 写周期时间(Tw)
- 25ns
- 收藏
- 对比
- 存储容量
- 1Gbit
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 工作电压
- 1.7V~1.95V
- 写周期时间(Tw)
- 45ns
- 收藏
- 对比