SemiHow
进入品牌官网SemiHow是以在先进半导体技术和中国奠定的高品质生产为基础...以中国企业坚实的 Partnership为武器, 与 Partner一起 用其他企业无法抗衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 封装
- TO-220F
- TO-252
- TO-263
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数14
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 9.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 920mΩ@10V,4.7A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 380mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 530mΩ@10V,6A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V,2.25A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 9.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V,4.75A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 390mΩ@10V,6.5A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 380mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 320mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 32W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 380mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 32W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 16A
- 导通电阻(RDS(on))
- 230mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 33W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 9.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 670mΩ@10V,4.75A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 670mΩ@10V,6A
描述N沟道
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 320mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 106W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 320mΩ@10V
描述COOLMOS管
- 收藏
- 对比