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大连芯冠科技有限公司是一家由海外归国团队创立的半导体高新技术企业,2016年3月17日成立于大连高新区,注册资本8503万元。公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。公司已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月,芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。公司已与国内多家半导体功率器件及下游电源厂商展开深入合作,开发基于氮化镓器件的新一代各类电源产品,包括新能源汽车车载充电机、数据中心服务器电源和高端电机驱动等。
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  • Vds-漏源击穿电压: 650V
  • Id-漏极电流(25℃): 21A
  • Pd-功耗: 83W
  • RDS(on)-导通电阻(8V): 150mΩ
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