我的订单购物车(0)会员中心联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐PLUS会员BOM配单品牌库PCB/SMT工业品面板定制
EMC(杰力)

杰力公司成立于2008年,为一专业功率组件及IC设计公司,产品主要应用于:计算机主板、笔记本电脑、LCD监视器及电视、LED照明、电源供应器及其他消费性电子产品等。 杰力公司技术及经营团队拥有丰富的电源系统技术服务、功率半导体组件、制程及封装设计之学经历,且具备成功经验实务,是少数具备垂直整合能力之设计公司。具备整合自身及供货商之技术能力,配合客户之需求,除提供必要之高效率功率组件IC,更提供用户快速及完整之解决方案,符合在第一时间将创新及高效能产品推进市场之要求,与上下游成为重要之合作伙伴。 主要业务系从事功率组件(Power Device)、电源管理集成电路(Power Management IC)及电源模块(Power Module)之研究、开发、设计、制造及销售。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 功率电子开关
    多选
  • 封装
    • SOP-8
    • DFN-8(3x3)
    • DFN-8(5x6)
    • SOT-23-5
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-252
    • DFN-8(3.1x3.2)
    • DFN-8(3.3x3.3)
    展开
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数29
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
EMB20N03V
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461950
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
12A
导通电阻
20mΩ@10V,8A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
EMB09N03V
品牌
EMC(杰力)
封装
PowerTDFN-8(3.1x3.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461957
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
20A
耗散功率
21W
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:20V 电流:71A
EMF03N02HR
品牌
EMC(杰力)
封装
EDFN-8(6x5)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461956
数量
1个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
71A
导通电阻
4mΩ@4.5V,10A
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
EMF20A02G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461946
数量
2个N沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
6A
导通电阻
20mΩ@4.5V,6A
  • 收藏
  • 对比
EMB17C03G
EMB17C03G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461951
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
10A
导通电阻
20mΩ@10V,8A
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:15A,耐压:30V
EMB04K03HP
品牌
EMC(杰力)
封装
EDFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919831
数量
2个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
25A
耗散功率
100W
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:30V 电流:10A
EMB17A03G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461960
数量
2个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
10A
导通电阻
17mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.5A
EMF50N03JS
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461955
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
3.5A
导通电阻
50mΩ@4.5V,3.5A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:21A
EMB12P03V
品牌
EMC(杰力)
封装
PowerTDFN-8(3.1x3.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461961
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
21A
导通电阻
12mΩ@10V,13A
  • 收藏
  • 对比
P沟道,电流:-12A,耐压:-30V
EMB14P03G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919838
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
12A
导通电阻
14mΩ@10V,12A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.2A
EMBA5P06J
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461948
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
2.2A
导通电阻
150mΩ@10V,2A
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:26A,耐压:30V
EMB06N03V
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919836
漏源电压
30V
连续漏极电流
26A
导通电阻
6mΩ@10V,14A
耗散功率
2.5W
  • 收藏
  • 对比
N沟道逻辑电平增强型场效应管,电流:75A,耐压:30V
EMB06N03HR
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919830
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
75A
导通电阻
6mΩ@10V,75A
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:80A,耐压:30V
EMB06N03A
品牌
EMC(杰力)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919832
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
80A
导通电阻
6mΩ@10V,30A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
EMB12P03G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461945
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
13A
导通电阻
10mΩ@10V,13A
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:50A,耐压:30V
EMB09N03A
品牌
EMC(杰力)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919829
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
50A
导通电阻
7.5mΩ@10V,25A
  • 收藏
  • 对比
2个P沟道 耐压:20V 电流:8.5A
EMF20B02V
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8-EP(3.2x3.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461962
数量
2个P沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
8.5A
导通电阻
20mΩ@4.5V,8.5A
  • 收藏
  • 对比
EM5203AJ-20
EM5203AJ-20
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23-5
类目
功率电子开关
编号
C2919834
类型
高侧开关
通道数
1
输入控制逻辑
高电平有效
工作电压
2.5V~5.5V
描述
MOSFET高侧功率开关
  • 收藏
  • 对比
N沟道逻辑电平增强型场效应管,电流:5A,耐压:20V
EMF30N02JS
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2919837
漏源电压
20V
连续漏极电流
5A
导通电阻
30mΩ@4.5V,5A
耗散功率
1.04W
  • 收藏
  • 对比
EM5203AJ-02A
EM5203AJ-02A
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23-5
类目
功率电子开关
编号
C2919835
类型
高侧开关
通道数
1
输入控制逻辑
高电平有效
工作电压
2.5V~5.5V
描述
MOSFET高侧功率开关
  • 收藏
  • 对比
EM5203J-20
EM5203J-20
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23-5
类目
功率电子开关
编号
C2919833
描述
MOSFET高侧功率开关
  • 收藏
  • 对比
EM5213AJ-25
EM5213AJ-25
品牌
EMC(杰力)
封装
SOT-23-5
类目
功率电子开关
编号
C2919839
类型
高侧开关
通道数
1
输入控制逻辑
高电平有效
工作电压
2.7V~5.5V
描述
MOSFET高侧功率开关
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
EMB20P03V
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461963
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
18A
导通电阻
20mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
EMB09P03V
品牌
EMC(杰力)
封装
PowerTDFN-8(3.1x3.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461958
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
24A
导通电阻
9.5mΩ@10V,13A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:40V 电流:18A
EMB12N04V
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461959
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
18A
导通电阻
12.8mΩ@10V,12A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
EMB20P03G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461947
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
10A
导通电阻
20mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
EMB03N03HR
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(5.7x5.1)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461965
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
75A
导通电阻
3mΩ@10V,30A
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:40V 电流:8A
EMB22A04G
品牌
EMC(杰力)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461953
数量
2个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
8A
导通电阻
22mΩ@10V,8A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:20V 电流:100A
EMF02P02H
品牌
EMC(杰力)
封装
DFN-8(5.1x5.7)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C461954
数量
1个P沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
100A
导通电阻
3.2mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比