
Prisemi(芯导)
进入品牌官网上海芯导电子科技股份有限公司(Prisemi)成立于2009年,总部位于上海市张江科学城,专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售。公司获得多项荣誉资质,包括国家级专精特新“小巨人”企业等,并拥有百余项知识产权。主要生产功率IC和功率器件。
上海芯导电子科技股份有限公司(Prisemi)成立于2009年,总部位于上海市张江科学城,专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售。公司获得多项荣誉资质,包括国家级专精特新“小巨人”企业等,并拥有百余项知识产权。主要生产功率IC和功率器件。
描述30KV接触, 30KV空隙放电
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描述12KV接触, 15KV空隙放电
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描述30KV接触, 30KV空隙放电
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描述30KV接触, 30KV空隙放电
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描述PESDNC2FD4V5B可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备适用于电路板级保护的理想电气特性,如响应时间快、工作电压低等。在不适合使用阵列的应用中,它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
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描述30KV接触, 30KV空隙放电
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描述PESDMC2FD5VB可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中,它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
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描述8KV接触, 15KV空隙放电
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描述30KV接触, 30KV空隙放电
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描述PESDNC2FD3V3BS可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备适用于电路板级保护的理想电气特性,如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中,它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
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描述7V,单向,IR=1uA,(30KV接触, 30KV空隙放电)
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描述PESDNC2FD3V3B可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)及其他电压瞬态事件造成的损坏或故障。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中,它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
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描述PTVSHC1TF24VBH瞬态电压抑制器旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻(MLV)。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC1TF24VBH可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件导致的损坏或故障。PTVSHC1TF24VBH采用SOD - 123FL封装,工作电压为24伏。
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描述PSM712可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)及其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中,它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
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描述30KV接触, 30KV空隙放电
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描述PESDNC2XD12VB可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流,具备用于电路板级保护的理想电气特性,如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中,它为设计人员提供了保护单条单向线路的灵活性。
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描述N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V
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描述PTVSLC3D3V3B是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器,旨在保护敏感电子设备免受因静电放电(ESD)、雷击及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法可承受15kV的ESD脉冲,能满足4级要求。
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