ATO SOLUTION

网址： http://www.atosolution.com/

ATO Solution为存储行业首创无晶圆厂半导体设计公司，主要供应NAND FLASH 及MCP产品，拥有NAND FLASH自主开发设计能力，并持有多项专利技术。 ATO Solution总部位于韩国首尔，合作的wafer代工厂为Hynix M8 Feb，依靠先进的设计及成熟的生产工艺，提供高品质、高可靠度、高兼容性、体积小巧的NAND FLASH , 容量区间为256Mb~2Gb,其中包含1Gb SPI NAND(SPI NAND 为全球首创),其并口产品均为1bit ECC，SPI NAND 已内置ECC 引擎，擦写寿命可支持到100K次。主要合作客户为SAMSUNG,SONY,OLYMPUS,FUJIFILM,NIKON,ALTEK,PENTAX,FOXCONN,SKYWORTH,TCL,GOPRO,ZTE 等等。

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封装：

TSOPI-48 (3)

BGA-48 (1)

DFN-8(6x8) (1)

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托盘 (4)

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smt扩展库 (4)

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AFND1G08S3-CKDI 品牌: ATO SOLUTION 封装: BGA-48 描述: 1Gbit (1.8V/128Mx8Bit) NAND FLASH，支持单层单元技术，符合ONFI 1.0标准，具有50,000次编程/擦除周期，10年数据保留时间，工业温度范围。存储容量: 1Gbit 工作电压: 1.7V~1.95V 写周期时间(Tw): 300us 页写入时间(Tpp): 300us 类目: NAND FLASH 编号: C5149044 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个托盘个个托盘个个托盘已加购


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ATO25D1GA-10ED 品牌: ATO SOLUTION 封装: WSON-8-EP(6x8) 描述: ATO25D1GA是一款1Gbit的串行NAND闪存，支持标准和四线SPI接口，具有快速页复制功能，适用于大容量非易失性存储应用，如固态文件存储和嵌入式系统。该设备提供3.3V电源供电，具有100K次编程/擦除周期和10年的数据保留时间。存储容量: 1Gbit 时钟频率(fc): 104MHz 工作电压: 2.7V~3.6V 写周期时间(Tw): 200us 类目: NAND FLASH 编号: C469320 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个托盘个个托盘个个托盘近期成交5单已加购


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AFND1G08U3-CKA 品牌: ATO SOLUTION 封装: TSOPI-48 描述: AFND1G08U3是一款1Gbit NAND FLASH存储器，支持3.3V供电，具备快速页复制功能，无需外部缓冲。其内存单元阵列包括128M + 4M x 8位的内存单元和2048 + 64 x 8位的数据寄存器。支持自动编程和擦除，硬件数据保护，以及100K次编程/擦除耐久性。提供多种封装选项，包括48-pin TSOP和FBGA。工作温度范围为-40℃~85℃。存储容量: 1Gbit 工作电压: 2.7V~3.6V 页写入时间(Tpp): 200us 块擦除时间(tBE): 2ms 类目: NAND FLASH 编号: C469321 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个托盘个个托盘个个托盘已加购


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AFND1208U1-CKA 品牌: ATO SOLUTION 封装: TSOP-48 描述: AFND1208U1是一款512Mbit（64M x 8Bit）的NAND FLASH存储器，提供3.3V电源供电。其NAND单元结构提供了高性价比的固态存储解决方案。该设备包含4096个可独立擦除的块，每个块由32个页面组成，每个页面大小为528字节。支持快速页面复制和硬件数据保护功能。存储容量: 512Mbit 工作电压: 2.7V~3.6V 页写入时间(Tpp): 200us 块擦除时间(tBE): 2ms 类目: NAND FLASH 编号: C5149043 详细: 数据手册个个托盘个个托盘个个托盘已加购


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AFND5608U1-CKAK 品牌: ATO SOLUTION 封装: TSOP-48 描述: AFND5608U1是一款256Mbit的NAND FLASH，支持3.3V供电，具有快速页复制功能，无需外部缓冲。它提供16K字节的块擦除操作，数据保留时间为10年，支持工业温度范围。存储容量: 256Mbit 工作电压: 2.7V~3.6V 写周期时间(Tw): 200us 页写入时间(Tpp): 200us 类目: NAND FLASH 编号: C570079 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个个已加购


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