ATO SOLUTION

ATO Solution为存储行业首创无晶圆厂半导体设计公司，主要供应NAND FLASH 及MCP产品，拥有NAND FLASH自主开发设计能力，并持有多项专利技术。 ATO Solution总部位于韩国首尔，合作的wafer代工厂为Hynix M8 Feb，依靠先进的设计及成熟的生产工艺，提供高品质、高可靠度、高兼容性、体积小巧的NAND FLASH , 容量区间为256Mb~2Gb,其中包含1Gb SPI NAND(SPI NAND 为全球首创),其并口产品均为1bit ECC，SPI NAND 已内置ECC 引擎，擦写寿命可支持到100K次。主要合作客户为SAMSUNG,SONY,OLYMPUS,FUJIFILM,NIKON,ALTEK,PENTAX,FOXCONN,SKYWORTH,TCL,GOPRO,ZTE 等等。

类目
- NAND FLASH
封装
- TSOPI-48
- BGA-48
- DFN-8(6x8)
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AFND1G08S3-CKDI

品牌: ATO SOLUTION

封装: BGA-48

类目: NAND FLASH

编号: C5149044

存储容量: 1Gbit

工作电压: 1.7V~1.95V

写周期时间(Tw): 300us

页写入时间(Tpp): 300us

描述1Gbit (1.8V/128Mx8Bit) NAND FLASH，支持单层单元技术，符合ONFI 1.0标准，具有50,000次编程/擦除周期，10年数据保留时间，工业温度范围。

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对比

ATO25D1GA-10ED

品牌: ATO SOLUTION

封装: WSON-8-EP(6x8)

类目: NAND FLASH

编号: C469320

存储容量: 1Gbit

接口类型: SPI

时钟频率(fc): 104MHz

工作电压: 2.7V~3.6V

描述ATO25D1GA是一款1Gbit的串行NAND闪存，支持标准和四线SPI接口，具有快速页复制功能，适用于大容量非易失性存储应用，如固态文件存储和嵌入式系统。该设备提供3.3V电源供电，具有100K次编程/擦除周期和10年的数据保留时间。

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对比

AFND1G08U3-CKA

品牌: ATO SOLUTION

封装: TSOPI-48

类目: NAND FLASH

编号: C469321

存储容量: 1Gbit

工作电压: 2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp): 200us

块擦除时间(tBE): 2ms

描述AFND1G08U3是一款1Gbit NAND FLASH存储器，支持3.3V供电，具备快速页复制功能，无需外部缓冲。其内存单元阵列包括128M + 4M x 8位的内存单元和2048 + 64 x 8位的数据寄存器。支持自动编程和擦除，硬件数据保护，以及100K次编程/擦除耐久性。提供多种封装选项，包括48-pin TSOP和FBGA。工作温度范围为-40℃~85℃。