
HUAXIN(华芯)
进入品牌官网无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年,是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试和销售的大型综合型企业。公司主要生产霍尔效应集成传感器、RF LDMOS系列以及RF VDMOS系列产品。
无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年,是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试和销售的大型综合型企业。公司主要生产霍尔效应集成传感器、RF LDMOS系列以及RF VDMOS系列产品。
描述可计数,计转速,接近开关,替代干簧管
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描述HX6472是一款采用BiCMOS技术生产的斩波稳定的霍尔效应传感器,提供具有高灵敏度、温度稳定性和综合保护功能的磁传感解决方案。通过动态偏移消除,实现卓越的高温性能,这降低了由于器件过度成型、温度依赖性和热应力引起的残余偏移电压。每个芯片在单个硅芯片上包括一个稳压器,霍尔电压发生器,小信号放大器,斩波稳定,施密特触发器和一个可吸收高达20mA的电流漏极开路输出。
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描述VCS2383S 是一款高度集成的二维低功耗磁开关传感器,它在一个超小型封装内集成了 AMR 磁传感器和高精度 CMOS 处理电路,CMOS 处理电路提供精确控制的 BOP/BRP 失调电压补偿电路和推挽输出,达到工业级的工作温度范围(工作温度: -40 ~ 125°C ),同时提供宽幅电压工作范围( 2.0V ~ 5.5V )和纳安级的电流功耗,适合于各种门磁开关、手持式设备、电池电源供电的应用。二维磁开关可以检测芯片平面内 360° 任意方向的磁场,无需磁铁安装在特定的方向,能够大大简化安装使用要求,并大幅提高系统冗余度。
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描述可计数,计转速,接近开关,替代干簧管
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描述HX6323是一款基于混合信号CMOS技术的无极性霍尔开关,采用了先进的斩波稳定技术,能够提供准确而稳定的磁开关点。在电路设计上,HX6323内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,推挽输出。采用优越的斩波技术在高温下减少了电压偏移。HX6323可以在 -40°C-125°C 温度范围工作,电源电压工作范围从1.8V到5.5V,低功耗,平均电流只有 0.9μA。封装形式为SOT-23和TO-92S,均符合无卤素标准。
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描述VCS1301是一款高度集成的全极性磁开关传感器,它在个超小型封装内集成了AMR磁传感器和高精度CMOS处理电路,CMOS处理电路提供精确控制的BOP/BRP失调电压补偿电路和推挽输出,达到工业级的工作温度范围(工作温度: -40°C-125°C ),同时提供宽幅电压工作范围( 1.8V-5.5V )和纳安级的电流功耗,适合于各种手持式设备,电池电源供电的应用。
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描述HX251是一款基于混合信号CMOS技术的无极性霍尔开关,采用了先进的斩波稳定技术,能够提供准确而稳定的磁开关点。在电路设计上,HX251内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,推挽输出。采用优越的斩波技术在高温下减少了电压偏移。HX251可以在 -40°C ~ 85°C 温度范围工作,电源电压工作范围从1.65V到6V,低功耗,平均电流只有 5μA。封装形式为SOT-23和TO-92S,均符合无卤素标准。
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描述可替代干簧管,适用于电池供电设备
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描述HX6323是一款基于混合信号CMOS技术的无极性霍尔开关,采用了先进的斩波稳定技术,能够提供准确而稳定的磁开关点。在电路设计上,HX6323内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,推挽输出。采用优越的斩波技术在高温下减少了电压偏移。HX6323可以在 -40°C-125°C 温度范围工作,电源电压工作范围从1.8V到5.5V,低功耗,平均电流只有 0.9μA。封装形式为SOT-23和TO-92S,均符合无卤素标准。
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描述VCS2373是一款高度集成的二维低功耗磁开关传感器,它在一个超小型封装内集成了AMR磁传感器和高精度CMOS处理电路,CMOS处理电路提供精确控制的BOP/BRP失调电压补偿电路和推挽输出,达到工业级的工作温度范围(工作温度: -40~125°C ),同时提供宽幅电压工作范围( 1.8V~5.5V )和纳安级的电流功耗,适合于各种手持式设备、电池电源供电的应用。二维磁开关可以检测芯片平面内360度任意方向的磁场,无需磁铁安装在特定的方向,能够大大简化安装使用要求,并大幅提高系统余度。
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