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PCB/SMT 工业品面板定制

HUASHUO(华朔)

进入品牌官网

华朔半导体有限公司是一家专注于自主研发与销售服务的半导体器件公司，致力于发展新技术和提供创新解决方案。主要生产高压、中压、低压全系列Power Mosfet分立器件及特殊制程IC。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 电池管理
多选
封装
- PRPAK5x6-8L
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- SOP-8
- PRPAK3x3-8L
- TO-220
- TO-263
- SOT-89
- SOT-223
- DFN-8(5x6)
- DFN-6(2x2)
- SOT-23-6
- DFN-8(3x3)
- DFN-8(3.3x3.3)
- SOT-363
- TO-252-4
- TOLL-8L
- DFN-6(2x3)
- PRPAK5x6-8
- TSSOP-8
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数609

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:60V 电流:26A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C845604

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 26A

耗散功率(Pd): 5.2W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存33K+

5+￥2.43
50+￥1.89
150+￥1.62
500+￥1.27
3000+￥1.2
6000+￥1.16

现货最快4小时发货

广东仓: 32K+

江苏仓: 16K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:60V 电流:60A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2828498

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 5.2mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

1+￥2.66
10+￥2.07
30+￥1.78
100+￥1.52
500+￥1.26
1000+￥1.21

现货最快4小时发货

广东仓: 18K+

江苏仓: 7084

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:20V 电流:4.9A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C518785

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.9A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V,4.9A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31K+

8.8折

10+￥0.3662
100+￥0.2942
300+￥0.2582
3000+￥0.19536
6000+￥0.176352
9000+￥0.166848

现货最快4小时发货

广东仓: 31K+

江苏仓: 1690

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交84单

1个N沟道耐压:30V 电流:5.2A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C700953

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.2A

导通电阻(RDS(on)): 27mΩ@4.5V,5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存195K+

20+￥0.2526
200+￥0.2007
600+￥0.1748
3000+￥0.1354
9000+￥0.1198
21000+￥0.112

现货最快4小时发货

广东仓: 195K+

江苏仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:40V 电流:27A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252-2

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C508797

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 27A

导通电阻(RDS(on)): 32mΩ@10V,8A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

8.8折

5+￥1.524
50+￥1.2137
150+￥1.0808
500+￥0.805112
2500+￥0.682176
5000+￥0.643192

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

江苏仓: 1120

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交32单

1个P沟道耐压:30V 电流:4.2A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C700954

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.2A

导通电阻(RDS(on)): 54mΩ@4.5V,3A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存115K+

20+￥0.2516
200+￥0.1997
600+￥0.1738
3000+￥0.1354
9000+￥0.1198
21000+￥0.112

现货最快4小时发货

广东仓: 114K+

江苏仓: 1460

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C518788

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@4.5V,100mA

描述产品材料符合Rohs要求且无卤；ESD保护；低RDS(ON)；可应用于便携式应用,如DSC、PDA、手机等。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8181

9.5折

50+￥0.092625
500+￥0.07258
3000+￥0.055955
6000+￥0.049305
24000+￥0.04351
51000+￥0.040375

现货最快4小时发货

广东仓: 8150

江苏仓: 43K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

1个N沟道耐压:80V 电流:60A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C701052

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 8.7mΩ@10V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5810

8.8折

1+￥3.8
10+￥3.04
30+￥2.71
100+￥2.0328
500+￥1.6544
1000+￥1.5576

现货最快4小时发货

广东仓: 5594

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

1个P沟道耐压:40V 电流:100A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252-2

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2987712

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V

描述-

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1956

9.3折

1+￥5.32
10+￥4.29
30+￥3.78
100+￥3.0411
500+￥2.5947
1000+￥2.4552

现货最快4小时发货

广东仓: 1956

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

1个N沟道耐压:100V 电流:20A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C701031

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 105mΩ@10V,5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8776

5+￥1.095
50+￥0.8555
150+￥0.7529
500+￥0.6248
3000+￥0.5183
6000+￥0.484

现货最快4小时发货

广东仓: 8775

江苏仓: 745

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交63单

1个P沟道耐压:150V 电流:2A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-23L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2987710

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 780mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4

8.8折

5+￥1.3268
50+￥1.0546
150+￥0.938
500+￥0.6974
3000+￥0.58872
6000+￥0.554488

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4860

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交85单

1个P沟道耐压:40V 电流:39A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2828497

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 39A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6048

5+￥2.0089
50+￥1.5708
150+￥1.3831
500+￥1.0683
3000+￥0.964
6000+￥0.9014

现货最快4小时发货

广东仓: 6005

江苏仓: 560

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:20V 电流:1.4A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: DFN1006-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C508789

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 1.4A

导通电阻(RDS(on)): 234mΩ@2.5V,450mA

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

10+￥0.3515
100+￥0.2795
300+￥0.2435
1000+￥0.2165
5000+￥0.1722
10000+￥0.1614

现货最快4小时发货

广东仓: 16K+

江苏仓: 10

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

1个N沟道耐压:60V 电流:10A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C701006

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

5+￥0.6185
50+￥0.4985
150+￥0.4385
500+￥0.3935
2500+￥0.3118
5000+￥0.2938

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 15

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

1个N沟道耐压:40V 电流:50A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C508834

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 6.9mΩ@4.5V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

5+￥1.2556
50+￥1.0023
150+￥0.8938
500+￥0.7584
3000+￥0.6215
6000+￥0.5853

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交20单

1个P沟道耐压:20V 电流:60A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C845610

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@4.5V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4338

9.5折

5+￥1.51563
50+￥1.20764
150+￥1.07559
500+￥0.91086
2500+￥0.800755
5000+￥0.75677

现货最快4小时发货

广东仓: 4335

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

1个N沟道耐压:60V 电流:30A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK3x3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C701038

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6096

5+￥2.0033
50+￥1.552
150+￥1.3586
500+￥1.1172
3000+￥0.9434
6000+￥0.879

现货最快4小时发货

广东仓: 6095

江苏仓: 2865

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交42单

1个P沟道耐压:200V 电流:5A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22359258

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 2.4Ω@10V

描述P沟道,200V/5A2.4R

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2403

8.8折

1+￥2.6048
10+￥2.068
30+￥1.8392
100+￥1.5576
500+￥1.4344
1000+￥1.3552

现货最快4小时发货

广东仓: 2403

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

1个N沟道耐压:60V 电流:85A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C508828

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@4.5V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存909

9.5折

1+￥3.8475
10+￥3.1065
30+￥2.736
100+￥2.375
500+￥2.0995
1000+￥1.9855

现货最快4小时发货

广东仓: 909

江苏仓: 2970

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

1个P沟道耐压:60V 电流:150A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2909634

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 4.7mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存841

1+￥13.4
10+￥11.25
30+￥9.91
100+￥7.89
500+￥7.27
800+￥7

现货最快4小时发货

广东仓: 841

江苏仓: 1423

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交48单

1个N沟道+1个P沟道耐压:100V 电流:8A 6.2A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5341695

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 8A；6.2A

导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@4.5V,1.6A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3725

9.5折

5+￥2.065
50+￥1.6215
150+￥1.4314
500+￥1.13449
3000+￥1.03417
6000+￥0.97394

现货最快4小时发货

广东仓: 3725

江苏仓: 90

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个P沟道耐压:40V 电流:100A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2987717

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4827

1+￥3.36
10+￥2.7
30+￥2.36
100+￥2.03
500+￥1.76
1000+￥1.66

现货最快4小时发货

广东仓: 4827

江苏仓: 2

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

1个N沟道耐压:150V 电流:23A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C701044

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 23A

导通电阻(RDS(on)): 56mΩ@10V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8100

1+￥3.42
10+￥2.66
30+￥2.33
100+￥1.92
500+￥1.6
1000+￥1.49

现货最快4小时发货

广东仓: 8067

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交35单

1个N沟道耐压:20V 电流:50A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: DFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C701041

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 2mΩ@4.5V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2024

9.5折

1+￥4.4365
10+￥3.6575
30+￥3.268
100+￥2.888
500+￥2.2135
1000+￥2.0995

现货最快4小时发货

广东仓: 2024

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

1个P沟道耐压:60V 电流:70A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252-2

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2828492

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11

1+￥7.39
10+￥6.18
30+￥5.52
100+￥4.77
500+￥3.44
1000+￥3.29

现货最快4小时发货

广东仓: 11

江苏仓: 1475

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交81单

1个P沟道耐压:100V 电流:60A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22359244

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V

描述P沟道,100V/60A20mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2237

1+￥7.87
10+￥6.61
30+￥5.92
100+￥5.13
500+￥4.33
1000+￥4.18

现货最快4小时发货

广东仓: 2237

3000个/圆盘

个

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近期成交45单

1个N沟道耐压:150V 电流:1.8A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2987707

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 1.8A

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@4.5V

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广东仓: 3105

江苏仓: 700

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOT-223

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C45385110

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 19A

导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@10V,10A

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广东仓: 3040

3000个/圆盘

个

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近期成交2单

1个P沟道耐压:60V 电流:11A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C700986

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 11A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V,10A

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广东仓: 6075

2500个/圆盘

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近期成交41单

1个P沟道耐压:60V 电流:35A

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: PRPAK5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2903568

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V

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广东仓: 2913

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近期成交62单