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西奈电子是一家快速成长的MOSFET ODM和系统集成器件公司,致力于电源管理领域的解决方案开发,产品研发,制造和营销。 我们广泛的产品系列专注于工业和汽车产品,如用于汽车模块的MOSFET,电机驱动器,高效率/功率密度远程电源以及用于电动车充电桩的高品质电源。我们还为手机,便携式媒体播放器,液晶电视,个人电脑,适配器,充电器等消费类电子产品市场提供产品。作为ODM公司,我们通过整合产品设计和流程,在产品性能和成本之间保持良好平衡。基于现有的产品平台,我们针对各种质量,性能和可靠性要求,为客户应用提供合适的解决方案。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 500V
  • 连续漏极电流(Id): 13A
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 420mΩ@10V,6.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 180mΩ@10V,20A
    • 已加购
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 47A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 72mΩ@10V,24A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,5A
    • 已加购
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 24A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,12A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 16A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 540mΩ@10V,8A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 12A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,6A
    • 已加购
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,15A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11.5A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 300mΩ@10V,6A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 9A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 640mΩ@10V,4A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 69A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 38mΩ@10V,33A
    • 已加购
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 5A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.5Ω@10V,2.5A
    • 圆盘
    • 圆盘
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@10V,2A
    • 已加购
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4Ω@10V,1.5A
    • 圆盘
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.3Ω@10V,3.5A
    • 圆盘
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
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