我的工作台手机立创消息(0)

我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群

领券中心备货找料立推专区爆款推荐

TI订货 PLUS会员 BOM配单

PCB/SMT 工业品面板定制

ASDsemi(安森德)

进入品牌官网

西安安森德半导体有限公司（简称“安森德”）是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路研发和销售的半导体公司，其技术团队由在欧美顶尖半导体公司工作过的资深专家组成。主要生产通用模拟IC产品。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 有源晶振
- 运算放大器
- DC-DC电源芯片
- 电压基准芯片
- 无源晶振
- RS-485/RS-422芯片
- 模拟开关/多路复用器
- 功率电子开关
多选
封装
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(5x6)
- SOP-8
- DFN-8(3.3x3.3)
- SOT-89
- SMD
- SOT-223
- DIP-8
- SOT-23-6
- TO-220
- TO-252-3
- DFN-5(5x6)
- DFN-6(1x1)
- DFN-8(3x3)
- HC-49US
- SOP-8-EP
- SOT-363
- TO-220F
- TO-263
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数94

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:30V 电流:100A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972873

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

5+￥1.8029
50+￥1.4426
150+￥1.2881
500+￥0.9129
2500+￥0.8271
5000+￥0.7756

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

1个N沟道耐压:40V 电流:40A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972887

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

5+￥1.0195
50+￥0.7918
150+￥0.6942
500+￥0.5725
2500+￥0.507
5000+￥0.4744

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

耐压:60V 电流:116A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972876

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 116A

导通电阻(RDS(on)): 5.2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 113W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4928

5+￥1.9524
50+￥1.5593
150+￥1.3908
500+￥1.0179
2500+￥0.9243
4000+￥0.8681

现货最快4小时发货

广东仓: 4865

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交32单

双运算放大器

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOP-8

类目: 运算放大器

编号: C2758239

放大器数: 双路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V

增益带宽积(GBP): 15MHz

输入失调电压(Vos): 3mV

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3257

5+￥0.6987
50+￥0.5595
150+￥0.4899
500+￥0.4377
2500+￥0.3617
4000+￥0.3408

现货最快4小时发货

广东仓: 3135

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

1个N沟道耐压:30V 电流:120A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972859

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7722

5+￥1.2744
50+￥1.0123
150+￥0.9
500+￥0.6949
2500+￥0.6325
4000+￥0.595

现货最快4小时发货

广东仓: 7720

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

100V N沟道MOSFET,电流:90A,耐压:100V

ASDM100R045NQ-R

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972856

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存200

1+￥3.97
10+￥3.24
30+￥2.88
100+￥2.51
500+￥1.98
1000+￥1.86

现货最快4小时发货

广东仓: 194

江苏仓: 3900

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

1个N沟道耐压:100V 电流:45A

ASDM100R160NKQ-R

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972882

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4

5+￥2.1684
50+￥1.7426
150+￥1.56
500+￥1.1467
2500+￥1.0453
5000+￥0.9845

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2745

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个P沟道耐压:20V 电流:6A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758219

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@2.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5542

10+￥0.4222
100+￥0.3377
300+￥0.2954
3000+￥0.2637
6000+￥0.2383
9000+￥0.2256

现货最快4小时发货

广东仓: 5400

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

1个N沟道耐压:40V 电流:80A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972880

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3552

5+￥1.1656
50+￥0.9036
150+￥0.7912
500+￥0.6511
2500+￥0.5887

现货最快4小时发货

广东仓: 3550

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

1个N沟道耐压:30V 电流:55A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758221

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3692

5+￥0.7203
50+￥0.5643
150+￥0.4863
500+￥0.4278
2500+￥0.3728

现货最快4小时发货

广东仓: 3690

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

2个N沟道耐压:30V 电流:11.8A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C520559

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 11.8A

导通电阻(RDS(on)): 11.5mΩ@10V,11A

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥0.8274
50+￥0.6498
150+￥0.561
500+￥0.4944
2500+￥0.3475
4000+￥0.3208

现货最快4小时发货

广东仓: 10

江苏仓: 3930

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

耐压:30V 电流:150A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972857

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 2.5mΩ@10V

耗散功率(Pd): 43W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3250

5+￥1.3395
50+￥1.1757
150+￥1.1055
500+￥0.9711
2500+￥0.9321
4000+￥0.9087

现货最快4小时发货

广东仓: 3250

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

高压线性电压转换器LDO

ASPL4030-ADJW-R

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: ESOP-8

类目: 线性稳压器(LDO)

编号: C7528163

输出类型: 可调

工作电压: 42V

输出电压: 600mV~24V

输出电流: 250mA

描述高压线性电压转换器LDO 40V250mA高PSRR超低IQ,带延迟、PG，功能齐全的工业级低压差线性稳压器。ESOP8封装

收藏
对比

1+￥2.57
10+￥2.28
30+￥2.13
100+￥1.99
500+￥1.9
1000+￥1.86

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3917

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

双运算放大器

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DIP-8L

类目: 运算放大器

编号: C5362950

放大器数: 双路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V

增益带宽积(GBP): 15MHz

输入失调电压(Vos): 3mV

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存735

5+￥0.7446
50+￥0.5886
150+￥0.5106
500+￥0.4521
2000+￥0.4053
5000+￥0.3819

现货最快4小时发货

广东仓: 735

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

40V, 80A, 40V N沟道 MOSFET

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972888

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥1.0289
50+￥0.7996
150+￥0.7013
500+￥0.5787
2500+￥0.5241

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2500

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

耐压:60V 电流:64A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972885

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 64A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V,20A

耗散功率(Pd): 56.5W

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥1.0537
50+￥0.9172
150+￥0.8587
500+￥0.7857
2500+￥0.7142
4000+￥0.6947

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3785

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

N沟道,电流:52A,耐压:40V

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758236

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 52A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

耗散功率(Pd): 65W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1588

5+￥1.1278
50+￥0.8786
150+￥0.7718
500+￥0.6385
2500+￥0.5792
5000+￥0.5436

现货最快4小时发货

广东仓: 1585

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

60V N&P沟道功率MOSFET

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758243

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1411

5+￥1.1618
50+￥0.9338
150+￥0.836
500+￥0.7141
2500+￥0.5597
4000+￥0.5271

现货最快4小时发货

广东仓: 1410

江苏仓: 20

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

20V,12A N沟道 MOSFET

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758218

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 12.5mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2892

10+￥0.2922
100+￥0.236
300+￥0.2079
3000+￥0.1685
6000+￥0.1517
9000+￥0.1432

现货最快4小时发货

广东仓: 2890

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

P沟道耐压:30V 电流:6A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758226

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V

耗散功率(Pd): 1.8W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存47

10+￥0.4382
100+￥0.3508
300+￥0.3071
3000+￥0.2534
6000+￥0.2271
9000+￥0.214

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2340

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

耐压:40V 电流:20A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: PDFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972863

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 19mΩ@10V

耗散功率(Pd): 21W

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥0.5733
50+￥0.5005
150+￥0.4641
500+￥0.4368
2500+￥0.3932
5000+￥0.3822

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4675

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

N沟道耐压:30V 电流:90A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758223

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V

耗散功率(Pd): 65W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存279

5+￥0.7209
50+￥0.583
150+￥0.5141
500+￥0.4623

现货最快4小时发货

广东仓: 275

江苏仓: 1910

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

30V,90A,30V N沟道 MOSFET

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972890

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 5.2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 65W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存727

5+￥0.8843
50+￥0.775
150+￥0.7282
500+￥0.6698
2500+￥0.5618
4000+￥0.5462

现货最快4小时发货

广东仓: 725

江苏仓: 2555

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

N沟道+P沟道耐压:100V 电流:5A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758237

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 185mΩ@10V

耗散功率(Pd): 2.5W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2217

5+￥1.0353
50+￥0.9041
150+￥0.8479
500+￥0.7778
2500+￥0.7465
4000+￥0.7278

现货最快4小时发货

广东仓: 2215

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

1个N沟道耐压:30V 电流:32A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: DFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758222

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 32A

导通电阻(RDS(on)): 5.2mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥1.0749
50+￥0.8456
150+￥0.7473
500+￥0.6247
2500+￥0.5635
5000+￥0.5307

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1845

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

耐压:60V 电流:50A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972878

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 62.5W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2502

5+￥1.4635
50+￥1.156
150+￥1.0243
500+￥0.8599
2500+￥0.7546
5000+￥0.7107

现货最快4小时发货

广东仓: 2500

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:8A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758241

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 21mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2073

10+￥0.4933
100+￥0.399
300+￥0.3518
1000+￥0.3164
4000+￥0.2409
8000+￥0.2267

现货最快4小时发货

广东仓: 2070

江苏仓: 990

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

2个N沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: PDFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972862

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥0.5493
50+￥0.4843
150+￥0.4518
500+￥0.4274
2500+￥0.3884
5000+￥0.3787

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3955

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

100V,15A N沟道 MOSFET

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972865

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2405

5+￥0.6314
50+￥0.5066
150+￥0.4442
500+￥0.3974

现货最快4小时发货

广东仓: 2405

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

P沟道耐压:20V 电流:13A

品牌: ASDsemi(安森德)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2972879

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

耗散功率(Pd): 3.6W

描述VDS-20V,ID-13ARDS(on),Typ@VGS=10V6mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3810

5+￥0.6591
50+￥0.5811
150+￥0.5421
500+￥0.5129
2500+￥0.4661
4000+￥0.4544

现货最快4小时发货

广东仓: 3810

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单