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首页 > 品牌列表 > Maplesemi(美浦森) >
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美浦森半导体有限公司是一家集研发、设计、生产、销售和服务于一体的完整型产业链科技公司,公司主营POWER VDMOSFET、SUPER JUNCTION MOSFET、(碳化硅)SiC MOSFET、(碳化硅)SiC DIODE等系列产品。
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 680V
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 2.2Ω@10V,2A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 680V
  • 连续漏极电流(Id): 12A
  • 导通电阻(RDS(on)): 640mΩ@10V,6A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V,3.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 耗散功率(Pd): 32.1W
  • 阈值电压(Vgs(th)): 2V
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 500V
  • 连续漏极电流(Id): 13A
  • 导通电阻(RDS(on)): 483mΩ@10V,5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 连续漏极电流(Id): 2A
  • 导通电阻(RDS(on)): 4.3Ω@10V,1A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 500V
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.12Ω@10V,2.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 430V
  • 连续漏极电流(Id): 11A
  • 导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,5.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 780mΩ@10V,2.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V,2.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 700V
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 阈值电压(Vgs(th)): 2V
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 700V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω@10V,3.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 650mΩ@10V,3.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 4.5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V,2.25A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 700V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 520mΩ@10V,3.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 连续漏极电流(Id): 11A
  • 导通电阻(RDS(on)): 330mΩ@10V,5.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 800mΩ@10V,3.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 650V
  • 连续漏极电流(Id): 15A
  • 导通电阻(RDS(on)): 260mΩ@10V,7.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 15A
  • 导通电阻(RDS(on)): 340mΩ@10V,7.5A
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  • 二极管配置: 独立式
  • 整流电流: 6A
  • 正向压降(Vf): 1.45V@6A
  • 直流反向耐压(Vr): 650V
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  • 二极管配置: 独立式
  • 整流电流: 10A
  • 正向压降(Vf): 1.45V@10A
  • 直流反向耐压(Vr): 650V
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  • 二极管配置: 独立式
  • 整流电流: 6A
  • 正向压降(Vf): 1.45V@6A
  • 直流反向耐压(Vr): 650V
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  • 二极管配置: 独立式
  • 整流电流: 8A
  • 正向压降(Vf): 1.45V@8A
  • 直流反向耐压(Vr): 650V
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 500V
  • 连续漏极电流(Id): 20A
  • 导通电阻(RDS(on)): 220mΩ@10V,10A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 11A
  • 导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@10V,5.5A
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