Maplesemi(美浦森)
进入品牌官网美浦森半导体有限公司是一家集研发、设计、生产、销售和服务于一体的完整型产业链科技公司，公司主营POWER VDMOSFET、SUPER JUNCTION MOSFET、(碳化硅)SiC MOSFET、(碳化硅)SiC DIODE等系列产品。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 碳化硅二极管
多选 - 封装
- TO-220F
- TO-220-2
- TO-252
- DFN-8(5x6)
- TO-220
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数31
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 680V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.6Ω@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 680V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.35Ω@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 耗散功率(Pd)
- 32.1W
- 阈值电压(Vgs(th))
- 2V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 483mΩ@10V,5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.3Ω@10V,1A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.12Ω@10V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 430V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 550mΩ@10V,5.5A
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 780mΩ@10V,2.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 850mΩ@10V,2.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 阈值电压(Vgs(th))
- 2V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V,3.5A
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 650mΩ@10V,3.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V,2.25A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 520mΩ@10V,3.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 330mΩ@10V,5.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V,3.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 15A
- 导通电阻(RDS(on))
- 260mΩ@10V,7.5A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 15A
- 导通电阻(RDS(on))
- 340mΩ@10V,7.5A
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 独立式
- 整流电流
- 10A
- 正向压降(Vf)
- 1.45V@10A
- 直流反向耐压(Vr)
- 650V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 220mΩ@10V,10A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 300mΩ@10V,5.5A
- 收藏
- 对比