
Alliance Memory
进入品牌官网美国Alliance Memory公司成立于2006年,是从Alliance Semiconductor(1985年成立)分离出来的半导体设计制造公司,总部位于美国加州。主要生产存储芯片,包括SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2和DDR3。
美国Alliance Memory公司成立于2006年,是从Alliance Semiconductor(1985年成立)分离出来的半导体设计制造公司,总部位于美国加州。主要生产存储芯片,包括SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2和DDR3。
描述512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个8M字x16位的DRAM,具有完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高内存带宽的应用,特别是高性能PC应用。
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描述ALLIANCE AS4C16M16SB 是一个高带宽、高速 CMOS 同步 DRAM,内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的存储库,具有 256 Mbit 的总容量。支持快速访问时间、高时钟速率和多种突发模式。
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描述AS4C16M32SC-7TIN 是一款512Mbit的同步动态随机存取内存(SDRAM),具有快速时钟速率133MHz,支持多种突发读写操作,四bank控制,数据掩码等功能。工作温度范围为-40°C至85°C,适用于工业环境。
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描述256Mb SDRAM,166MHz,TSOP II封装,工业级工作温度范围 -40°C~85°C,单 +3.3V ±0.3V 供电,支持多种突发长度和突发类型。
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描述AS4C32M16SC-7TIN 是一款512Mbit的同步动态随机存取内存(SDRAM),具有快速时钟速率133MHz,支持多种突发读写操作,四bank控制,数据掩码等功能。工作温度范围为-40°C至85°C,适用于工业环境。
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