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PCB/SMT 工业品面板定制

Wayon(上海维安)

进入品牌官网

上海维安电子有限公司成立于1996年，专注于电路保护元器件及功率半导体的提供。主要生产电路保护元器件和功率半导体。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 自恢复保险丝
- 线性稳压器(LDO)
- 一次性保险丝
- 肖特基二极管
- 三极管(BJT)
- 气体放电管(GDT)
- 浪涌保护器
- 开关二极管
多选
封装
- TO-220F
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(5x6)
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOT-23-5
- 1206
- SOD-323(SC-90)
- 0805
- SMC(DO-214AB)
- SOD-523(SC-79)
- TO-220
- TO-247
- 2410
- DFN-10(1x2.5)
- DFN-8(3x3)
- DFN1006-3(SOT-883)
- SMB(DO-214AA)
- SOT-143
- SOT-23-6
多选

综合排序

价格

总库存

销量

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现货

折扣

数据手册

自营结果数125

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2843512

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 20V

反向电流(Ir): 150nA

防护等级: IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29K+

20+￥0.1793
200+￥0.139
600+￥0.1166
2000+￥0.1031
10000+￥0.0855
20000+￥0.0792

现货最快4小时发货

广东仓: 27K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交92单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C5357080

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 12V

峰值脉冲电流(Ipp): 30A@8/20us

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存806

9.2折

20+￥0.1785
200+￥0.1585
600+￥0.1485
5000+￥0.12144
10000+￥0.11592
20000+￥0.11316

现货最快4小时发货

广东仓: 800

江苏仓: 13K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C3039401

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 23V

峰值脉冲电流(Ipp): 3A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 70W@8/20us

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存22K+

20+￥0.1699
200+￥0.1321
600+￥0.1111
2000+￥0.0985
10000+￥0.0875
20000+￥0.0816

现货最快4小时发货

广东仓: 22K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交58单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C3039411

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 9A@8/20us

击穿电压: 5.6V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

50+￥0.1174
500+￥0.0904
1500+￥0.0754
10000+￥0.0686
20000+￥0.0608
50000+￥0.0565

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交49单

N沟道增强型MOSFET N沟道耐压:20V 电流:0.75A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN1006-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030941

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 750mA

导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 150mW

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

8.5折

20+￥0.164475
200+￥0.126905
600+￥0.105995
2000+￥0.093415
10000+￥0.07973
20000+￥0.073865

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

700V超结功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7498790

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 700V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 520mΩ@10V,1A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1866

9折

1+￥2.25
10+￥1.98
30+￥1.863
100+￥1.719
500+￥1.656
1000+￥1.611

现货最快4小时发货

广东仓: 1866

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

650V超结功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C21726231

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 23A

导通电阻(RDS(on)): 190mΩ@10V

耗散功率(Pd): 31W

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存796

9.6折

1+￥6.01
10+￥5.43
50+￥5.1
100+￥4.5504
500+￥4.3968
1000+￥4.3296

现货最快4小时发货

广东仓: 796

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

P沟道增强型MOSFET P沟道耐压:20V 电流:3A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030980

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 1W

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5587

8.5折

10+￥0.20383
100+￥0.161755
300+￥0.14076
3000+￥0.11968
6000+￥0.1071
9000+￥0.10081

现货最快4小时发货

广东仓: 5580

江苏仓: 5740

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

电压:40V 电流:1A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN1006-2L

类目: 肖特基二极管

编号: C3039428

正向压降(Vf): 610mV@1A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 1A

反向电流(Ir): 40uA@40V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9505

8.5折

10+￥0.23069
100+￥0.18462
300+￥0.161585
1000+￥0.144245
5000+￥0.12223
10000+￥0.11526

现货最快4小时发货

广东仓: 9500

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C607966

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 19V

峰值脉冲功率(Ppp): 350W@8/20us

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5881

10+￥0.2493
100+￥0.1965
300+￥0.1701
3000+￥0.1404
6000+￥0.1246
9000+￥0.1166

现货最快4小时发货

广东仓: 5880

江苏仓: 4520

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交76单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C607967

极性: 双向

峰值脉冲功率(Ppp): 350W@8/20us

防护等级: IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2

类型: TVS

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5066

8.8折

10+￥0.2827
100+￥0.2251
300+￥0.1963
3000+￥0.13464

现货最快4小时发货

广东仓: 5030

江苏仓: 30

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

30V N沟道增强型功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: PDFN-8L(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39512547

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 5.4mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2965

8.8折

5+￥0.891968
50+￥0.71016
150+￥0.632192
500+￥0.534952
3000+￥0.491656
6000+￥0.465696

现货最快4小时发货

广东仓: 2965

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

单向 58V截止峰值浪涌电流：53.5A@10/1000us

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SMC

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C5247938

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 58V

钳位电压: 93.6V

峰值脉冲电流(Ipp): 53.5A@10/1000us

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥2.92
10+￥2.18
30+￥1.86
100+￥1.47

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1972

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

100V N沟道增强型功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030976

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 96A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 113.6W

收藏
对比

1+￥3.59
10+￥2.9
30+￥2.55
100+￥2.21
500+￥2.01
1000+￥1.9

现货最快4小时发货

广东仓: 2865

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

800V、0.27Ω超结功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7498783

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 14A

导通电阻(RDS(on)): 270mΩ@10V,3A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存909

1+￥6.88
10+￥6.23
50+￥5.83
100+￥5.42

现货最快4小时发货

广东仓: 909

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C3039410

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 20V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 80W@8/20us

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2021

9.2折

20+￥0.1752
200+￥0.1375
600+￥0.1165
2000+￥0.095588
10000+￥0.084824
20000+￥0.079396

现货最快4小时发货

广东仓: 1300

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交49单

800V、0.68Ω超结功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7498788

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 680mΩ@10V,1A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存863

1+￥4
10+￥3.56
30+￥3.34
100+￥3.12
500+￥2.91
1000+￥2.85

现货最快4小时发货

广东仓: 863

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

150V N沟道增强型功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C37723593

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 75A

导通电阻(RDS(on)): 11.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥4.82
10+￥4.37
30+￥4.12
100+￥3.85
500+￥3.36
1000+￥3.3

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1588

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

电压:40V 电流:1A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOD-123

类目: 肖特基二极管

编号: C3039432

正向压降(Vf): 900mV@3A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 1A

反向电流(Ir): 1mA@40V

收藏
对比

SMT扩展库

20+￥0.1727
200+￥0.1349
600+￥0.1139
3000+￥0.0951
9000+￥0.0842
21000+￥0.0783

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 7800

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

瞬态电压抑制器

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN0603-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C3039408

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 13V

峰值脉冲电流(Ipp): 3A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 39W@8/20us

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥0.1744
10+￥0.1524
30+￥0.1414
100+￥0.1331
500+￥0.1265
1000+￥0.1232

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 12K+

15000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

P沟道耐压:20V 电流:0.66A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOT-723

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030960

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 660mA

导通电阻(RDS(on)): 520mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 150mW

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3

8.5折

10+￥0.22814
100+￥0.17918
300+￥0.1547
1000+￥0.13634
5000+￥0.115515
8000+￥0.10812

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2680

8000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

WS13P4SMA-B

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SMA

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C5247942

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

10+￥0.334875
100+￥0.266475
300+￥0.232275
1000+￥0.206625
5000+￥0.177555
10000+￥0.167295

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4280

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

WMLL013N08HGS

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C37656686

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥6.89
10+￥5.74
30+￥5.11
100+￥4.39
500+￥4.07
1000+￥3.93

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1115

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

P沟道增强型MOSFET P沟道耐压:20V 电流:4.1A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030942

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.1A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.2W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1900

8.5折

10+￥0.22814
100+￥0.17918
300+￥0.1547
3000+￥0.13022
6000+￥0.115515
9000+￥0.108205

现货最快4小时发货

广东仓: 1900

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

WT3904F

品牌: Wayon(上海维安)

封装: DFN-3L(1x0.6)

类目: 三极管(BJT)

编号: C25170702

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

直流电流增益(hFE): 300@10mA,1V

特征频率(fT): 300MHz

收藏
对比

SMT扩展库

20+￥0.2312
200+￥0.1832
600+￥0.1592
2000+￥0.1412

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 8720

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

P沟道增强型MOSFET P沟道耐压:30V 电流:4.2A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030905

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.2A

导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.2W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1718

8.5折

10+￥0.286535
100+￥0.224995
300+￥0.194225
3000+￥0.16354
6000+￥0.145095
9000+￥0.13583

现货最快4小时发货

广东仓: 1710

江苏仓: 20

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

N沟道增强型功率MOSFET N沟道耐压:100V 电流:14.6A

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030962

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 14.6A

导通电阻(RDS(on)): 105mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 41.7W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1751

9折

5+￥0.71199
50+￥0.57978
150+￥0.51372
500+￥0.46413
2500+￥0.4104
5000+￥0.39051

现货最快4小时发货

广东仓: 1750

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

WMO15N70C2

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7498780

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2339

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1140WLS4000A072V

1140WLS4000A072V

品牌: Wayon(上海维安)

封装: SMD,11.3x4mm

类目: 一次性保险丝

编号: C5247952

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1500个/圆盘

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600V, 36A, 650V 超级结功率MOSFET

品牌: Wayon(上海维安)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3030923

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 36A

导通电阻(RDS(on)): 97mΩ@10V

耗散功率(Pd): 277W

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